單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能要比我們想像中的大得多，這對(duì)硅的純度要求很高，用化學(xué)方法可制得高純度的硅(Si)，其化學(xué)方程式如下：

①

②

③

其中屬于置換反應(yīng)的是

[　　]

A．①②

B．②③

C．①③

D．①②③
答案：C
解析：

此題涉及三個(gè)反應(yīng)，找出屬于置換反應(yīng)的，根據(jù)置換反應(yīng)的概念，既有單質(zhì)參加又有單質(zhì)生成的化學(xué)反應(yīng)，①③符合，②中只有單質(zhì)參加，沒(méi)有單質(zhì)生成，是化合反應(yīng)．


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

8、單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（　�。�

查看答案和解析>>

科目：初中化學(xué) 來(lái)源：《9.2 化學(xué)與材料》2010年同步練習(xí)（4）（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．復(fù)分解反應(yīng)

查看答案和解析>>

科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2010年甘肅省白銀市會(huì)寧縣枝陽(yáng)中學(xué)中考化學(xué)模擬試卷（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．復(fù)分解反應(yīng)

查看答案和解析>>

科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2010年山東省濰坊市諸城市中考考前模擬化學(xué)試卷（5）（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）

查看答案和解析>>

科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2010年北京市中考化學(xué)一模解密預(yù)測(cè)試卷（四）（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案