Question

10．短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X 原子的最外層電子數(shù)是其內層電子總數(shù)的3 倍，Y 原子的最外層只有2 個電子，Z 單質可制成半導體材料，W與X屬于同一主族．下列敘述正確的是（　�。�

• A． 元素W 的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比X 的強
• B． 元素W 的最高價氧化物對應水化物的酸性比Z 的弱
• C． 化合物YX、ZX₂、WX₃ 中化學鍵的類型相同
• D． 原子半徑的大小順序：r_Y＞r_Z＞r_W＞r_X

Answer 1

分析 短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的最外層電子數(shù)是其內層電子總數(shù)的3倍，X有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，故X為O元素，W與X屬于同一主族，故W為S元素，Y原子的最外層只有2個電子，原子序數(shù)大于O元素，故Y處于第三周期，故Y為Mg元素，Z單質可制成半導體材料，Z為Si元素．

解答 解：短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的最外層電子數(shù)是其內層電子總數(shù)的3倍，X有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，故X為O元素，W與X屬于同一主族，故W為S元素，Y原子的最外層只有2個電子，原子序數(shù)大于O元素，故Y處于第三周期，故Y為Mg元素，Z單質可制成半導體材料，Z為Si元素，
A．非金屬性X（O）＞W(wǎng)（S），故W元素的簡單氣態(tài)氫化物的還原性比X的弱，故A錯誤；
B．非金屬Z（Si）＜W（S），故硫酸的酸性比硅酸強，故B錯誤；
C．MgO含有離子鍵，SiO₂、SO₃含有共價鍵，故C錯誤；
D．同周期自左而右，原子半徑減小，同主族電子層越多原子半徑越大，故原子半徑Mg＞Si＞S＞O，即r_Y＞r_Z＞r_W＞r_X，故D正確，
故選：D．

點評 本題考查結構性質與位置關系、元素周期律等，難度不大，推斷元素是解題的關鍵．