現(xiàn)有如下各化合物：①酒精，②氯化銨，③氫氧化鋇，④氨水，⑤蔗糖，⑥高氯酸，⑦氫硫酸，⑧硫酸氫鉀，⑨磷酸，⑩硫酸。

請(qǐng)用物質(zhì)的序號(hào)填寫(xiě)下列空白：

(1)屬于電解質(zhì)的有

________________________________________________________________________。

(2)屬于強(qiáng)電解質(zhì)的有

________________________________________________________________________。

(3)屬于弱電解質(zhì)的有

________________________________________________________________________。


(1)②③⑥⑧⑨⑩　(2)②③⑥⑧⑩　(3)⑨


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


A、B、C為中學(xué)常見(jiàn)單質(zhì)，其中一種為金屬，通常情況下，A為固體，B為黃綠色氣體，C為無(wú)色氣體。D、E、F、G、H、X均為化合物，其中X常溫下是無(wú)色氣體，其水溶液是一種強(qiáng)酸，E為黑色固體，H在常溫下為液體。它們之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示(其中某些反應(yīng)條件和部分反應(yīng)物已略去)。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫(xiě)出下列物質(zhì)的化學(xué)式：A__________、D__________、E__________、X_________。

（2）在反應(yīng)①～⑦中，不屬于氧化還原反應(yīng)的是__________(填編號(hào))。

（3）反應(yīng)④的離子方程式是_____________________________________________；

（4）反應(yīng)⑦的化學(xué)方程式是_____________________________________________；

該反應(yīng)中每消耗0.3 mol的A，可轉(zhuǎn)移電子______mol。

（5）寫(xiě)出D的溶液與小蘇打溶液反應(yīng)的離子方程式是________________________

_____________________________________________________________________。

（6）除去D溶液中混有的少量G的方法是_________________________________

_____________________________________________________________________。

（7）在D溶液中制備無(wú)水D固體的方法是__________________________________

_____________________________________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅．

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450℃～500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4

Ⅲ.SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100℃～1200℃條件下反應(yīng)制得純硅

已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃，能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng).1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ.

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是______________________________________

_______________________________________________________________________。

②整個(gè)制備純硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是____________；H2還原SiCl4過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是____________．

③上述生產(chǎn)過(guò)程所需氯氣和氫氣均由氯堿廠提供，氯堿廠的基本設(shè)備是離子交換膜電解槽(如圖所示)，其中進(jìn)入陽(yáng)極室的溶液是__________________________________，b電極上的電極

反應(yīng)式是______________________________________________________．

（2）二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


在某溫度時(shí)，測(cè)得純水中的[H＋]＝2.0×10－7 mol·L－1，則[OH－]為(　　)

A．2.0×10－7 mol·L－1

B．0.1×10－7 mol·L－1

C．1.0×10－14/2.0×10－7 mol·L－1

D．無(wú)法確定

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


水的電離過(guò)程為H2OH＋＋OH－，在不同溫度下其平衡常數(shù)分別為：K(25℃)＝1.0×10－14 mol2·L－2，K(35℃)＝2.1×10－14 mol2·L－2，則下列敘述正確的是(　　)

A．[H＋]隨著溫度的升高而降低

B．在35℃時(shí)，[H＋]>[OH－]

C．水的電離程度α(25℃)>α(35℃)

D．水的電離是吸熱的

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


以Pt為電極，電解含有0.10 mol M+和0.10 mol N3+(M+、N3+均為金屬陽(yáng)離子)的溶液，陰極析出金屬單質(zhì)或氣體的總物質(zhì)的量(y)與導(dǎo)線中通過(guò)電子的物質(zhì)的量(x)的關(guān)系如圖。對(duì)離子氧化能力的強(qiáng)弱判斷正確的是(選項(xiàng)中H+為氫離子)(   )

A.M+＞H+＞N3+                         B.M+＞N3+＞H+

C.N3+＞H+＞M+                         D.條件不足，無(wú)法確定

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


已知鉛蓄電池的工作原理為Pb+PbO2+2H2SO4

2PbSO4+2H2O,現(xiàn)用如圖裝置進(jìn)行電解(電解液足量),測(cè)得當(dāng)鉛蓄電池中轉(zhuǎn)移

0.4 mol電子時(shí)鐵電極的質(zhì)量減少11.2 g。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)A是鉛蓄電池的　　　　極,鉛蓄電池正極反應(yīng)式為　　　　　　　　　,放電過(guò)程中電解液的密度　　　　(填“減小”“增大”或“不變”)。

(2)Ag電極的電極反應(yīng)式是　　　　　　　　,該電極的電極產(chǎn)物共　　　　g。

(3)Cu電極的電極反應(yīng)式是　　　　　　　　　　,CuSO4溶液的濃度　　　　(填“減小”“增大”或“不變”)。

(4)如圖表示電解進(jìn)行過(guò)程中某個(gè)量(縱坐標(biāo)x)隨時(shí)間的變化曲線,則x表示　　　　。

a.各U形管中產(chǎn)生的氣體的體積

b.各U形管中陽(yáng)極質(zhì)量的減少量

c.各U形管中陰極質(zhì)量的增加量

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


下列對(duì)沉淀溶解平衡的描述正確的是(　　)

A．反應(yīng)開(kāi)始時(shí)，溶液中各離子濃度相等

B．沉淀溶解達(dá)到平衡時(shí)，沉淀的速率和溶解的速率相等

C．沉淀溶解達(dá)到平衡時(shí)，溶液中溶質(zhì)的離子濃度相等，且保持不變

D．沉淀溶解達(dá)到平衡時(shí)，如果再加入難溶性的該沉淀物，將促進(jìn)溶解

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


下列濃度關(guān)系正確的是(　　)

A．氯水中：[Cl2]＝2{[ClO－]＋[Cl－]＋[HClO]}

B. 氯水中：[Cl－]>[H＋]>[OH－]>[ClO－]

C．等體積等濃度的氫氧化鈉與醋酸混合：[Na＋]＝[CH3COO－]

D．Na2CO3溶液中：[Na＋]>[CO]>[OH－]>[HCO]>[H＋]

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