【二選一—選修3：物質結構與性質】
已知A、B、C、D、E、F為周期表前四周期原子序數(shù)依次增大的六種元素。其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素，B原子最外層電子數(shù)是內層電子數(shù)的2倍。D、E為同主族元素，且E的原子序數(shù)為D的2倍。F元素在地殼中含量位于金屬元素的第二位。試回答下列問題：
（1）F元素價層電子排布式為 ____________________。
（2）關于B2A2的下列說法中正確的是 ________________。
A.B2A2中的所有原子都滿足8電子結構         
B.每個B2A2分子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為1:1
C.B2A2是由極性鍵和非極性鍵形成的非極性分子    
D.B2A2分子中的B-A鍵屬于s—pσ鍵
（3）B和D形成的一種三原子分子與C和D形成的一種化合物互為等電子體，則滿足上述條件的B和D形成的化合物的空間構型是 ________________。
（4）C元素原子的第一電離能比B、D兩元素原子的第一電離能高的主要原因____________
（5）A與D可以形成原子個數(shù)比分別為2：1，1：1的兩種化合物X和Y，其中 Y含有_____________鍵（填“極性鍵”“非極性鍵”），A與C組成的兩種化合物M和N所含的電子數(shù)分別與X、Y相 等，則M的電子式為_____________ ,N的結構式為______________。
（6）E的氫化物的價層電子對互斥理論模型為 _______，E 原子的雜化方式為 _________雜化。
（7）F單質的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如右圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞的棱邊長分別為acm、bcm，則F單質的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為____________，F(xiàn)原子配位數(shù)之比為_____________。
（1）3d64s2； 
（2）CD
（3）直線型 
（4）C元素原子的最外層電子的p軌道處于半充滿狀態(tài)，能量低，較穩(wěn)定，失去第一個電子需要的能量較B、D多 
（5）極性鍵、非極性鍵 ； ；
（6）四面體形；sp3；   
（7）2b3:a3 ；3:2
練習冊系列答案
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科目：高中化學 來源：遼寧省同步題 題型：填空題

（三選一）【化學——選修物質結構與性質】
(1)第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 _________。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為_________。在四大晶體類型中，GaN屬于_________晶體。
(2)銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有___________的原子或離子 
(3)CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：
請回答下列問題：
① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是___________。
②SO2分子的空間構型為__________。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學式為_________
 ③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為__________。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是____________。
④(3)中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有___________。    
a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結構如圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為____________。

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