分析 A裝置制備氫氣,B裝置中盛放濃硫酸干燥氫氣,防止SiHCl3水解,利用生成的氫氣排盡裝置內(nèi)空氣,防止安全事故的發(fā)生,再在D中反應得到高純硅,同時生成HCl氣體,D裝置中四氯化碳吸收未反應的SiHCl3,氫氧化鈉溶液吸收HCl,還可以防止倒吸,最后可以利用燃燒法處理氫氣.
(1)組裝好儀器后,實驗室制備氣體發(fā)生的反應,裝置不能漏氣;
(2)裝置B中試劑是干燥氫氣的干燥劑,可以選擇濃硫酸,D中氫氣與SiHCl3反應生成Si與HCl;
(3)吸收SiHCl3及HCl,并防止倒吸;
(4)先通入氫氣,排盡裝置中空氣,再加熱石英管,提高原理利用率,反應完畢停止通氫氣;
(5)滴定終點時,氫氧化鈉完全反應,溶液紅色褪去;
氫氧化鈉物質(zhì)的量等于生成的HCl與后加入HCl的物質(zhì)的量之和,可以計算生成HCl的物質(zhì)的量,再根據(jù)方程式計算參加反應SiHCl3的質(zhì)量,進而計算其利用率.
解答 解:A裝置制備氫氣,B裝置中盛放濃硫酸干燥氫氣,防止SiHCl3水解,利用生成的氫氣排盡裝置內(nèi)空氣,防止安全事故的發(fā)生,再在D中反應得到高純硅,同時生成HCl氣體,D裝置中四氯化碳吸收未反應的SiHCl3,氫氧化鈉溶液吸收HCl,還可以防止倒吸,最后可以利用燃燒法處理氫氣.
(1)組裝好儀器后,實驗室制備氣體發(fā)生的反應,應先進行的操作是檢查裝置的氣密性,
故答案為:檢查裝置的氣密性;
(2)①B裝置中盛放濃硫酸干燥氫氣,故答案為:濃硫酸;
②D中氫氣與SiHCl3反應生成Si與HCl,反應方程式為:SiHCl3+H2 $\frac{\underline{\;1357K\;}}{\;}$Si+3HCl,
故答案為:SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;1357K\;}}{\;}$ Si+3HCl;
(3)裝置E的作用為:四氯化碳吸收未反應的SiHCl3,氫氧化鈉溶液吸收HCl,還可以防止倒吸,
故答案為:四氯化碳吸收未反應的SiHCl3;防止倒吸;
(4)先通入氫氣,排盡裝置中空氣,再加熱石英管,提高原理利用率,反應完畢停止通氫氣,②打開K1,裝置A中反應一段時間,①加熱裝置D至1357K:;⑤加熱裝置C,打開K2,滴加6.5mLSiHC13;④關(guān)閉K2;③關(guān)閉K1,其合理順序為:②①⑤④③,
故答案為:②①⑤④③;
(5)滴定終點時,氫氧化鈉完全反應,溶液紅色褪去,且半分鐘不變色;
氫氧化鈉物質(zhì)的量等于生成的HCl與后加入HCl的物質(zhì)的量之和,則生成HCl的物質(zhì)的量=0.2L×1mol/L-0.02L×0.1mol/L×$\frac{200ml}{20ml}$=0.18mol,由SiHCl3+H2 $\frac{\underline{\;1357K\;}}{\;}$Si+3HCl,可知參加反應SiHCl3為 $\frac{0.18mol}{3}$=0.06mol,故SiHCl3的利用率為 $\frac{0.06mol×135.5g/mol}{6.5ml×1.34g/mol}$×100%=93.34%,
故答案為:溶液紅色褪去,且半分鐘不變色;93.34.
點評 本題考查物質(zhì)制備實驗方案設(shè)計,側(cè)重考查學生獲取信息和利用、基本操作能力,明確實驗原理是解本題關(guān)鍵,題目難度中等.
科目:高中化學 來源: 題型:多選題
A. | 常溫常壓下,8gO2含有4NA個電子 | |
B. | 任意條件下,16g O3所含的原子數(shù)為NA | |
C. | 由CH4和C2H6組成的混合物中共有NA個分子,其中的氫原子數(shù)為5NA | |
D. | 46 g二氧化氮和46 g四氧化二氮含有的原子數(shù)均是6NA |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
時間(s) | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
n(NO)(mol) | 0.020 | 0.010 | 0.009 | 0.008 | 0.008 | 0.008 |
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
加熱前質(zhì)量 | 加熱后質(zhì)量 | |
m1(容器) | m2(容器+晶體) | m3(容器+無水硫酸銅) |
5.200g | 7.900g | 6.900g |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:實驗題
SO2的轉(zhuǎn)化率% | 0.1MPa | 1MPa | 10MPa |
400°C | 99.2 | 99.7 | 99.9 |
600°C | 73.7 | 89.5 | 96.4 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | v(A)=0.5 mol•L-1•s-1 | B. | v(B)=0.5 mol•L-1•s-1 | ||
C. | v(C)=1.8 mol•L-1•min-1 | D. | v(D)=1 mol•L-1•s-1 |
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