(12分) 氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸（氫氟酸除外），是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下：

（1）凈化N2和H2時(shí)，銅屑的作用是：                      ；硅膠的作用是                 。
（2）在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，開始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋?u>        ；體系中要通入適量的氫氣是為了       。
（3）X可能是            （選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）。
（4）用硅粉作硅源、疊氮化鈉（NaN3）作氮源，直接燃燒生成氮化硅（發(fā)生置換反應(yīng)），該反應(yīng)的化學(xué)方程式為：           。

（1）除去原料氣中的氧氣（2分）；除去生成的水蒸氣（2分）。
（2）這是放熱反應(yīng)，防止局部過熱，導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán)，阻礙與N2的接觸（2分）；
將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣，而易被除去（若答將整個(gè)體系中空氣排盡也可得分）（2分）。
（3）硝酸（2分） （4）9Si+4NaN33Si3N4 +4Na↑（2分）

解析

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：2013學(xué)年江西省德興一中、橫峰中學(xué)、鉛山一中、弋陽一中高一第三次月考化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

（10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。
②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為?                   ;還原過程中若混入可能引起的后果是?                 。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是?       (填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                         。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2013學(xué)年江西省、鉛山一中、弋陽一中高一第三次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

（10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。

②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為?                   ;還原過程中若混入可能引起的后果是?                 。

(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是?       (填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                         。

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年江蘇省高三實(shí)驗(yàn)班第一次模擬考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

(12分) 氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸（氫氟酸除外），是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下：

（1）凈化N2和H2時(shí)，銅屑的作用是：                       ；硅膠的作用是                  。

（2）在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，開始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋?u>         ；體系中要通入適量的氫氣是為了         。

（3）X可能是                  （選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）。

（4）用硅粉作硅源、疊氮化鈉（NaN3）作氮源，直接燃燒生成氮化硅（發(fā)生置換反應(yīng)），該反應(yīng)的化學(xué)方程式為：                  。

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

(8分)有科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”、“未來的石油”，硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣，制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

請(qǐng)回答下列問題：

（1）寫出第①步的化學(xué)反應(yīng)方程式___________________________；

（2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________________（填字母）：

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．硅可做“未來的石油”，可能的原因之一是燃燒放出的熱量多，且燃燒產(chǎn)物對(duì)環(huán)境污染程度低，容易有效控制

C．普通玻璃是由燒堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

E．高純度硅可直接用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

F． 氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

（3）SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________；

（4）單質(zhì)硅遇到氫氧化鈉溶液會(huì)完全溶解得到無色溶液并放出無色氣體，請(qǐng)寫出該反應(yīng)的離子方程式________________________________________。

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案