【題目】(化學——選修3:物質的結構與性質)

鈦有“生物金屬”和“未來金屬”之稱,鈦及其化合物的應用正越來越受到人們的關注。

(1)基態(tài)鈦原子外圍電子的軌道表達式為___________。與鈦同周期的元素中,基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相同的有___種。

(2)金屬鈦的熔點、硬度均比鋁大,可能的原因是____。

(3)TiCl4是氯化法制取鈦的中間產物。TiCl4和SiCl4在常溫下都是液體,分子結構相同。采用蒸餾的方法分離TiCl4和SiCl4的混合物,先獲得的餾分是__________ (填化學式)。

(4)半夾心結構催化劑M能催化乙烯、丙烯、苯乙烯等的聚合,其結構如圖所示。

①組成該物質的元素中,電負性最大的是__________ (填元素名稱)。

②M中碳原子的雜化形式有___________種。

③M中不含__________ (填字母代號)。

a.π鍵   b.σ鍵 c.配位鍵

d.氫鍵   e.離子鍵

(5)①金屬鈦晶體中原子采用面心立方最密堆積,則晶胞中鈦原子的配位數(shù)為_____。

②設鈦原子的直徑為d cm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,鈦原子的摩爾質量為M g·mol-1,則晶體鈦的密度為________g·cm-3

③金屬鈦晶胞中有若干個正四面體空隙,如圖中a、b、c、d四個鈦原子形成一個正四面體,其內部為正四面體空隙,可以填充其他原子。若晶胞中所有的正四面體空隙中都填充氫原子,那么形成的氫化鈦的化學式為__________。

【答案】 3 Ti原子的價電子數(shù)比Al金屬鍵更強 SiCl4 2 de 12 TiH2

【解析】

(1)根據(jù)Ti原子外圍電子排布式3d24s2,畫出外圍電子的軌道表達式;根據(jù)Ti原子未成對電子數(shù)為2,第4周期元素中,基態(tài)原子的未成對電數(shù)與鈦相同的有Ni(3d84s2)、Ge(4s24p2)、Se(4s24p4)。

(2)鈦與鋁同為金屬晶體,金屬晶體的硬度主要由金屬鍵決定,鈦硬度比鋁大的原因是Ti原子的價電子數(shù)比Al多,金屬鍵更強;

(3)由TiCl4和SiCl4在常溫下都是液體,可知,兩者均屬于分子晶體且分子結構相同,分子間作用力是影響晶體物理性質的主要因素,相對分子質量越大分子間作用力越大;

(4)①組成該物質的元素中,電負性最大的是氧;

②碳原子的雜化形式有sp2、sp3兩種;

③在半夾心分子結構中,C-C、C-H、C-O原子中存在σ鍵,環(huán)中存在著大π鍵、TiO間存在配位鍵,不存在氫鍵與離子鍵。

(5)①Ti晶體屬于面心立方最密堆積,以此分析Ti原子配位數(shù);

②根據(jù)=計算晶體鈦的密度;

③根據(jù)題給信息,求出Ti原子和H原子個數(shù)比,確定化學式。

(1)Ti的原子序數(shù)為22,基態(tài)Ti原子核外電排布為1s22s22p63s23p63d24s2,外圍電子的軌道表達式為,且未成對電子數(shù)為2,基態(tài)下原子核外電子排布的最高能級的符號是3d;第4周期元素中,基態(tài)原子的未成對電數(shù)與鈦相同的有Ni(3d84s2)、Ge(4s24p2)、Se(4s24p4)3種。

故答案為;3;

(2)鈦與鋁同為金屬晶體,金屬晶體的硬度主要由金屬鍵決定,鈦硬度比鋁大的原因是Ti原子的價電子數(shù)比Al多,金屬鍵更強(或Ti的原子化熱比Al大,金屬鍵更強等其他合理答案)。

故答案為:Ti原子的價電子數(shù)比Al多,金屬鍵更強;

(3)由TiCl4和SiCl4在常溫下都是液體,可知,兩者均屬于分子晶體且分子結構相同,分子間作用力是影響晶體物理性質的主要因素,相對分子質量越大分子間作用力越大,所以,TiCl4比SiCl4沸點高。采用蒸餾的方法分離TiCl4和SiCl4的混合物,先獲得的餾分是SiCl4。

故答案為SiCl4;

(4)①組成該物質的元素中,電負性最大的是氧;

②碳原子的雜化形式有sp2、sp3兩種;

③在半夾心分子結構中,C-C、C-H、C-O原子中存在σ鍵,環(huán)中存在著大π鍵、TiO間存在配位鍵,不存在氫鍵與離子鍵。故選d、e。

故答案為;2de;

(5)①晶胞中Ti原子位于面心、頂點上,屬于面心立方最密堆積;以頂點Ti原子研究,與之相鄰的原子處于面心,每個頂點為8故晶胞共用,每個面心為2個晶胞共有,故Ti原子配位數(shù)為=12。

②晶胞中Ti原子數(shù)目為+6×=4,晶胞質量為g,

Ti原子半徑為dcm,晶胞棱長=4d cm×=2d cm,晶胞體積為(2dcm)3,則晶胞密度=4×g(2dcm)3= g·cm-3

③由圖可知每個晶胞中有8個正四面體,若晶胞中所有的正四面體空隙中都填充氫原子,那么可以填充8個H原子,且處于晶胞內部,而一個晶胞擁有4個Ti原子,n(Ti):n(H)=1:2,所以形成的氫化鈦的化學式為TiH2。

故答案為:12; ;TiH2。

練習冊系列答案
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【題目】半導體工業(yè)需要高純硅,粗硅中含有SiO2、Fe2O3、CuO、C等雜質,提純硅的方法比較多,其中三氯氫硅(有一定毒性)氫還原法和四氯化硅氫還原法應用較為廣泛,下面是實驗室模擬工業(yè)上三氯氫硅氫還原法的基本原理:

已知:①Si+3HCl SiHCl3+H2(主要反應)

Si+4HClSiCl4+2H2(次要反應)

2NaCl+H2SO4()Na2SO4+2HCl↑

②典型硅的重要化合物的部分性質如下表:

熔點()

沸點()

溶解性

SiHCl3

-127

33

易溶于多數(shù)有機溶劑

SiCl4

-23

77

易溶于多數(shù)有機溶劑

(1)粗硅在提純前,需要進行酸、堿預處理,其目的是___________________________________

(2)下列裝置在實驗室可用于制備HCl氣體的是_____(填字母代號)。

(3)1100~1200℃條件下,利用圖B在石英管中可以獲得硅,寫出該反應的方程式_______;其燒杯中水的作用是__________________________;該裝置使用石英管而不是普通玻璃管的原因是_________

(4)三氯氫硅氫還原法用 SiHCl3在圖B中制硅,不足之處有_______________(任意回答一點即可)。

(5)SiCl4與氫氣反應也能得到硅,但反應所需溫度不同,在工業(yè)上往往將三氯氫硅中混入的SiCl4分離后再與氫氣反應,你認為最好的分離方法是______________

(6)工業(yè)上如果用四氯化硅氫還原法制硅,其原理如下:該方法與用三氯氫硅氫還原法比較,其缺點至少有兩處,分別是_________________。

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【題目】短周期主族元素R、W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,R的簡單氫化物可用作制冷劑,X是短周期中金屬性最強的元素。Y的簡單離子在同周期元素的簡單離子中半徑最小,由W、X和Z三種元素形成的一種鹽溶于水后,加入稀鹽酸,有黃色沉淀(Z的單質)析出,同時產生有刺激性氣味的氣體(Z的氧化物)。下列說法正確的是( )

A. 原子半徑:Z>Y>X>W

B. Z的簡單氫化物的熱穩(wěn)定性比W的強

C. Y的氧化物既可溶于R的最高價氧化物對應的水化物水溶液,也可溶于R的氫化物水溶液

D. X與W、Z形成的化合物不少于三種

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【題目】氰化物有劇毒,我國工業(yè)廢水中氰化物(CN)的最高允許排放濃度為0.5 mg/L。對廢水中CN的處理方法是:在堿性條件下,用Cl2將廢水中的CN轉化成N2和CO2等,使廢水得到凈化。發(fā)生的反應為2CN+8OH+5Cl2===2CO2+N2+10Cl+4H2O。下列有關說法不正確的是( )

A. 上述反應中氧化產物有N2和CO2

B. 經測定,NaCN的水溶液呈堿性,說明CN能促進水的電離

C. 若上述反應生成0.4 mol CO2,則溶液中陰離子增加的物質的量為2 mol

D. 現(xiàn)取1 L含CN1.02 mg/L的廢水,至少需用5.0×10-5 mol Cl2處理后才符合排放標準

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【題目】工業(yè)上以軟錳礦(主要成分是MnO2,含有SiO2、Fe2O3等少量雜質)為主要原料制備高性能的磁性材料碳酸錳(MnCO3)。其工業(yè)流程如下圖所示:

(1)“過濾Ⅰ”所得“濾渣Ⅰ”的主要成分為_________(填化學式)。

(2)“氧化”過程中除了發(fā)生MnO2與SO2的反應外,還發(fā)生另一氧化還原反應,寫出該反應的離子方程式______________________________________________________________。

(3)“浸錳”反應中往往有副產物MnS2O6生成,溫度對“浸錳”反應的影響如圖所示,為減少MnS2O6的生成,“浸錳”的適宜溫度是____________________________________。

(4)向“過濾Ⅱ”所得的濾液中加入NH4HCO3溶液時溫度控制在30~35 ℃,溫度不宜太高的原因是_________________________________________________________________。

(5)加入NH4HCO3溶液后,生成MnCO3沉淀,同時還有CO2氣體生成,寫出反應的離子方程式:_____________________________________________________________________

(6)生成的MnCO3沉淀需經充分洗滌,檢驗沉淀是否洗滌干凈的方法是___________________________________________________________________________。

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【題目】(化學——選修5:有機化學基礎)

化合物G是一種有機光電材料中間體。由A制備G的一種合成路線如下圖所示:

請回答下列問題:

(1)F中官能團的名稱為___________

(2)B的分子式為C9H8O,B→C的過程中第一步反應的化學方程式為_________________。

(3)反應②~⑥中屬于取代反應的是___________(填序號)。

(4)在鎳的催化作用下,E與足量的氫氣加成所得的產物分子中有___________種不同環(huán)境的氫原子。

(5)一定條件下以F為單體發(fā)生加聚的反應方程式為___________。

(6)C有多種同分異構體,其中同時滿足下列條件的同分異構體有_________種。

①能發(fā)生銀鏡反應;

②能發(fā)生水解反應;

③能與溴的CCl4溶液發(fā)生加成反應;

④屬于芳香族化合物。

(7)請寫出以和CH3C≡CH為原料制備的合成路線流程圖(無機試劑任用,合成路線流程圖示例見本題題干中合成路線)。____________

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【題目】已知反應:2A(g)+B(g)2C(g)

(1)在一個體積為2L的密閉容器中充入6 mol A和3mol B進行上述反應,保持溫度不變,2min后達到平衡,測得混合氣體中B的體積分數(shù)為25%,用A濃度變化表示的化學反應速率為___________,求該溫度下平衡常數(shù)K=______________;

(2)下圖表示在密閉容器中上述反應達到平衡時,由于條件改變而引起反應速率和化學平衡的變化情況,a~b過程中改變的條件可能是________;b~c過程中改變的條件可能是________;請將增大壓強時,反應速度變化情況畫在c~d處。____________

(3)以上反應達平衡后,若此時只將容器的體積擴大為原來的2倍,達新平衡后,容器內溫度將______(填“升高”、“降低”或“不變”(假設容器不與外界進行熱交換))。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】反應X(g)4Y(g)+Z(g),在200℃和T℃時,X 的物質的量濃度(單位:mol·L-1)隨時間變 化的有關實驗數(shù)據(jù)見下表:

時間/min

0

2

4

6

8

10

200/

0.80

0.55

0.35

0.20

0.15

0.15

T/

1.00

0.65

0.35

0.18

0.18

0.18

下列有關該反應的描述正確的是

A. 200℃時,4min內用Y表示的化學反應速率為0.1125mol·L-1·min-1

B. T℃下,6min時反應剛好達到平衡狀態(tài)

C. 根據(jù)上表內 X 的濃度變化,可知濃度越大,反應速率越大

D. 從表中可以看出T <200

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】10分)、反應A(g)+B(g)C(g) +D(g)過程中的能量變化如圖所示,回答下列問題。

(1)該反應是____________________反應(吸熱”“放熱”);

(2)當反應達到平衡時,升高溫度,A的轉化率______(增大”“減小”“不變”),原因是_______________________________

(3)反應體系中加入催化劑對反應熱是否有影響?________,原因是_________

(4)在反應體系中加入催化劑,反應速率增大,E1E2的變化是:E1_________E2________(增大”“減小、”“不變”)

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