Question

【題目】四種短周期元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表所示，請(qǐng)回答下列問題。

元素	A	B	C	D
性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息	單質(zhì)在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2。能形成兩種二元含氧酸	原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子，核外p電子總數(shù)大于7	單質(zhì)曾被稱為“銀色的金子”與鋰形成的合金常用于制造航天飛行器。單質(zhì)能溶于強(qiáng)酸和強(qiáng)堿溶液	原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2。單質(zhì)和氧化物均為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有很高的熔、沸點(diǎn)

(1)A原子的最外層電子排布式為_______________，D原子核外共有____________個(gè)電子。

(2)寫出C的單質(zhì)與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子方程式：______________________________________________。

(3)A、B兩元素的氫化物分子中鍵能較小的是__________________________（填分子式）；分子較穩(wěn)定的是__________________（填分子式）。

(4)E、D同主族，均為短周期元素。它們的最高價(jià)氧化物晶體中熔點(diǎn)較高的是________________。

(5)已知D的單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)與SiC的晶體結(jié)構(gòu)相似，其中C原子的雜化方式為______________。SiC與D的單質(zhì)的晶體的熔、沸點(diǎn)高低順序是________________。

Answer 1

【答案】3s23p4 14 H2S HCl SiO2（或二氧化硅） sp3 雜化 SiC>Si

【解析】

A單質(zhì)在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2，能形成二元含氧酸的元素是硫；

B原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子，核外p電子總數(shù)大于7，電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p5，據(jù)此推斷應(yīng)為Cl；

C單質(zhì)能溶于強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的短周期元素應(yīng)為鋁；

D原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2，單質(zhì)和氧化物均為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有很高的熔、沸點(diǎn)，可知電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p2，為硅；以此分析。

A單質(zhì)在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2，能形成二元含氧酸的元素是硫；

B原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子，核外p電子總數(shù)大于7，電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p5，據(jù)此推斷應(yīng)為Cl；

C單質(zhì)能溶于強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的短周期元素應(yīng)為鋁；

D原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2，單質(zhì)和氧化物均為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有很高的熔、沸點(diǎn)，可知電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s23p2，為硅；

（1）S元素最外層有6個(gè)電子，其最外層電子排布式為3s23p4；Si原子核外有14個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不相同，故答案為：3s23p4；14；

（2）單質(zhì)鋁與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)生成偏鋁酸根和氫氣，離子方程式為，故答案為：；

（3）在氫化物中，HCl分子的鍵能較大，分子較穩(wěn)定；H2S分子的鍵能較小，分子穩(wěn)定性差，故答案為：H2S；HCl；

（4）CO2是分子晶體，常溫下是氣態(tài)，熔點(diǎn)較低；SiO2是原子晶體，常溫下是固態(tài)，熔點(diǎn)較高，故答案為：SiO2（或二氧化硅）；

（5）晶體硅中1個(gè)硅原子與4個(gè)硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以其雜化方式是sp3雜化，SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅相似，故C原子的雜化方式也是sp3雜化；因?yàn)?/span>Si-C鍵的鍵長(zhǎng)小于Si-Si鍵，所以熔沸點(diǎn)：碳化硅＞晶體硅，故答案為：sp3 雜化；SiC>Si。