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下列有關硅及其化合物的敘述中，錯誤的是（　�。�
A、單質硅是良好的半導體材料
B、硅和碳是都是第ⅣA族的元素
C、二氧化硅用來制造通訊材料（光導纖維）
D、二氧化硅溶于水生成硅酸，它是揮發(fā)性酸
考點：硅和二氧化硅
專題：碳族元素
分析：A．單質硅是良好的半導體材料；
B．硅和碳最外層4個電子；
C．光導纖維的成分是二氧化硅；
D．二氧化硅不溶于水．
解答： 解：A．單質硅是一種良好的半導體材料，故A正確；
B．硅和碳最外層4個電子，是第ⅣA族的元素，故B正確；
C．二氧化硅的導光性好，光導纖維的成分是二氧化硅，故C正確；
D．二氧化硅不溶于水，不與水反應，故D錯誤．
故選D．
點評：本題考查硅和二氧化硅的性質和用途，側重于常識性內容的考查，難度不大，注意基礎知識的積累．
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

已知：N2（g）+3H2（g）?2NH3（g）△H=-92.2kJ/mol．下列說法不正確的是（　�。�
A、1mol N2（g）和3mol H2（g）的能量之和高于2mol NH3（g）的能量
B、形成2mol NH3（g）的化學鍵釋放的總能量大于斷裂1mol N2（g）和3mol H2（g）的化學鍵所吸收的總能量
C、加入催化劑是為了加大反應速率，縮短生產周期，降低生產成本
D、將1mol N2（g）和3mol H2（g）充入一密閉容器中充分反應，放出92.2kJ 的熱量

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科目：高中化學 來源： 題型：

下列反應屬于吸熱反應的是（　�。�
A、碳酸鈣分解成氧化鈣和二氧化碳
B、鋅與稀鹽酸的反應
C、葡萄糖在人體內氧化分解
D、氫氧化鈉和硫酸中和

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科目：高中化學 來源： 題型：

在下列現(xiàn)象中，不能用膠體的有關知識解釋的是（　�。�
A、在河流入�？谔幰仔纬扇侵�
B、將FeCl3飽和溶液滴到沸水中，得到紅褐色液體
C、在NaCl溶液中加入KNO3溶液看不到沉淀
D、同一支鋼筆同時使用不同牌號的墨水可能發(fā)生堵塞

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科目：高中化學 來源： 題型：

下列元素均位于第ⅦA族，其中非金屬性最弱的元素是（　　）
A、FB、ClC、BrD、I

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科目：高中化學 來源： 題型：

在第n電子層中，當它作為原子的最外層時，容納電子數(shù)最多與n-1層相同；當它作為原子的次外層時，其電子數(shù)比n+1層最多容納電子數(shù)多10個，則此電子層是（　　）
A、K層B、L層C、M層D、N層

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科目：高中化學 來源： 題型：

下列離子方程式書寫正確的是（　�。�
A、鈉和冷水反應：Na+2H2O═Na++2OH-+H2↑
B、澄清石灰水跟稀硝酸反應：Ca（OH）2+2H+═Ca2++2H2O
C、AlCl3溶液中加入足量的氨水：Al3++3OH-═Al（OH）3↓
D、鐵粉投入到硫酸銅溶液中：Fe+Cu2+═Fe2++Cu

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科目：高中化學 來源： 題型：

t℃時，將3molA和1molB氣體通入體積為2L的密閉容器中（容積不變），發(fā)生如下反應：3A（g）+B（g）?xC（g）．2min時反應達到平衡狀態(tài)（溫度不變），剩余了0.8molB，并測得C的濃度為0.4mol/L，請?zhí)顚懴铝锌瞻祝?br />（1）從反應開始至達到平衡狀態(tài)，生成C的平均反應速率為
 
．
（2）x=
 
；平衡常數(shù)K=
 
．
（3）若繼續(xù)向原平衡混合物的容器中通入少量氦氣（假設氦氣和A、B、C都不反應）后，化學平衡（填字母）
 
．
A．向正反應方向移動     B．向逆反應方向移動     C．不移動
（4）若向原平衡混合物的容器中再充入amolC，在t℃時達到新的平衡，此時B的物質的量為n（B）=
 
mol．
（5）如果上述反應在相同溫度和容器中進行，欲使反應達到平衡時C的物質的量分數(shù)與原平衡相等，起始加入三種物質的物質的量n（A）、n（B）、n（C）之間應該滿足的關系式為
 
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

某溶液由Na+、Cu2+、Fe3+、AlO2-、CO32-、SO42-、Cl-中的若干種離子組成．取適量該溶液進行如下實驗：
①向其中加入過量的鹽酸，有氣體生成，并得到無色透明的溶液；
②在①所得的溶液中加入過量氨水，產生白色沉淀，過濾；
③在②所得的濾液中加入過量Ba（OH）2溶液，產生白色沉淀，過濾；
④在③所得的濾液中加入過量稀硝酸，再加入硝酸銀溶液，產生白色沉淀．
根據以上實驗回答下列問題：
（1）據①可知溶液中肯定存在的離子是
 
．
（2）③中反應的離子方程式為
 
．
（3）溶液中肯定不存在的離子是
 
．
（4）溶液中存在的溶質是
 
．

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