18．用石墨作電極，電解1mol•L-1下列物質(zhì)的溶液，通電一段時(shí)間后溶液的pH升高的是（　�。�
A．H2 SO4B．CuSO4C．Na2 SO4D．NaCl

分析 用石墨作電極電解1mol•L-1下列物質(zhì)的溶液，一段時(shí)間后溶液的pH增大，說明電解后溶液中c（H+）減小或c（OH-）增大，溶液中溶質(zhì)可能是可溶性強(qiáng)堿、活潑金屬的無氧酸鹽等，據(jù)此分析解答．

解答 解：A、用惰性電極電解H2SO4溶液時(shí)，陽(yáng)極上氫氧根離子放電、陰極上氫離子放電，所以相當(dāng)于電解水，電解過程中硫酸濃度增大，導(dǎo)致溶液的pH減小，故錯(cuò)誤；
B、用惰性電極電解CuSO4溶液時(shí)，陽(yáng)極上氫氧根離子放電、陰極上銅離子放電，產(chǎn)物是硫酸、銅和氧氣，溶液的pH減小，故錯(cuò)誤；
C、用惰性電極電極Na2SO4溶液時(shí)，陽(yáng)極上氫氧根離子放電、陰極上氫離子放電，相當(dāng)于電解水，導(dǎo)致硫酸鈉濃度增大，但硫酸鈉是強(qiáng)酸強(qiáng)堿鹽，其溶液呈中性，所以溶液的pH不變，故錯(cuò)誤；
D、用惰性電極電解NaCl溶液時(shí)，陰極上氫離子放電、陽(yáng)極上氯離子放電，所以電解后溶液中溶質(zhì)含有NaOH，溶液中c（OH-）增大，pH增大，故正確；
故選D．

點(diǎn)評(píng) 本題考查電解原理，為高頻考點(diǎn)，明確各個(gè)電極上放電離子是解本題關(guān)鍵，熟練掌握常見離子放電順序，知道電解前后溶液中溶質(zhì)及其濃度變化，題目難度不大．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

8．下列熱化學(xué)方程式正確的是（注：AH的絕對(duì)值均正確）（　�。�
A．C2H5OH（l）+3O2（g）═2CO2（g）+3H2O（g）；△H=-1367.0 kJ/mol（燃燒熱）
B．NaOH（aq）+HCl（aq）═NaCl（aq）+H2O（l）；△H=-57.3kJ/mol（中和熱）
C．S（s）+O2（g）═SO2（g）；△H=+269.8kJ/mol（反應(yīng)熱）
D．2HCl（g）═Cl2（g）+H2（g）；△H=-184.6kJ/mol（反應(yīng)熱）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

9．有關(guān)金屬性質(zhì)的敘述正確的是（　�。�
A．都具有很高的熔點(diǎn)
B．最外層電子數(shù)少于 3 個(gè)的都是金屬
C．都能導(dǎo)電、傳熱
D．都只能和酸不能和堿發(fā)生化學(xué)反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

6．下列有關(guān)鈉及其化合物的說法正確的是（　�。�
A．用手掰開一塊金屬鈉，觀察鈉的顏色
B．鈉投入硫酸銅溶液中，既有氣體又有沉淀生成
C．氧化鈉和過氧化鈉可用作潛艇里氧氣的來源
D．氧化鈉和過氧化鈉與二氧化碳反應(yīng)的產(chǎn)物完全相同

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

13．向集滿CO2的鋁制易拉罐中加入過量NaOH濃溶液，立即封閉罐口，易拉罐漸漸凹癟；再過一段時(shí)間，罐壁又重新凸起．上述實(shí)驗(yàn)過程中沒有發(fā)生的離子反應(yīng)是（　　）
A．Al3++4OH-→[Al（OH）4]-B．Al2O3+2OH-+3H2O=2[Al（OH）4]-
C．CO2+2OH-=CO32-+H2OD．2Al+2OH-+6H2O=2[Al（OH）4]-+3H2↑

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

3．我國(guó)稀土資源豐富．下列有關(guān)14462Sm與15062Sm的說法正確的是（　�。�
A．14462Sm與15062Sm 是同一種核素
B．14462Sm與15062Sm 互為同位素
C．14462Sm與15062Sm 的質(zhì)量數(shù)相同
D．14462Sm與15062Sm 的核外電子數(shù)和中子數(shù)相同

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

10．下列說法正確的是（　�。�
A．CO和NO都是大氣污染物，在空氣中都能穩(wěn)定存在
B．Al在濃硫酸中會(huì)“鈍化”能用鋁槽盛放濃硫酸
C．四氯化碳常用作滅火劑
D．在堿性溶液中可以大量存在：S2O32-、AlO2-、SiO32-、S2-、Na+

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

7．向Mg Cl2溶液中滴加氨水，過濾得到Mg（OH）2沉淀，用蒸餾水對(duì)沉淀進(jìn)行洗滌，洗滌方法是向過濾器中注人蒸餾水，直至沒過沉淀，然后等待液體從漏斗底部流出，重復(fù)操作2～3次（以除去吸附溶液中的其它離子）．檢驗(yàn)該沉淀已經(jīng)洗凈的操作為取最后一次洗滌液放入試管中，向該溶液中滴加AgNO3溶液，若無沉淀產(chǎn)生則證明沉淀已洗凈．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

13．SiCl4在室溫下為無色液體，易揮發(fā)，有強(qiáng)烈的刺激性．把SiCl4先轉(zhuǎn)化為SiHCl3，再經(jīng)氫氣還原生成高純硅．
（1）高溫條件下，SiHCl3與氫氣反應(yīng)的方程式為：SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+3HCl．
（2）已知：
（�。㏒i（S）+4HCl（g）=SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241KJ．mol-1
（ⅱ）Si（S）+3HCl（g）=SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210KJ．mol-1
則SiCl4轉(zhuǎn)化為SiHCl3的反應(yīng)（ⅲ）：3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（S）═4SiHCl3（g）△H=-117KJ．mol-1．
（3）力研究反應(yīng)（iii）的最適宜反應(yīng)溫度，下圖為四氯化碳的轉(zhuǎn)化率隨溫度的變化曲線：由圖可知該反應(yīng)最適宜的溫度為500℃，四氯化碳的轉(zhuǎn)化率隨溫度升高而增大的原因?yàn)榉磻?yīng)未達(dá)到平衡，溫度升高反應(yīng)速率加快，SiCl4轉(zhuǎn)化率增大．
（4）一定條件下，在2L恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)（ⅲ），6h后達(dá)到平衡，H2與SiHCl3的物質(zhì)的量濃度分別為1mol．L-1和0.2mol．L-1
①?gòu)姆磻?yīng)開始到平衡，v（SiCl4）=0.025mol/（L•h）．
②該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為K=$\frac{{c}^{4}（SiHC{l}_{3}）}{{c}^{3}（SiC{l}_{4}）•{c}^{2}（{H}_{2}）}$，溫度升高，K值減�。ㄌ睢啊痹龃蟆�、“減小”或“不變”）．
③原容器中，通入H2的體積（標(biāo)準(zhǔn)狀況下）為49.28L．
④若平衡后再向容器中充人與起始時(shí)等量的SiCl4和H2（假設(shè)Si足量），當(dāng)反應(yīng)再次達(dá)到平衡時(shí)，與原平衡相比較，H2的體積分?jǐn)?shù)將減�。ㄌ睢霸龃蟆�、“減小”或“不變”）．
⑤平衡后，將容器的體積壓縮為1L，再次達(dá)到平衡時(shí)，H2的物質(zhì)的量濃度范圍為1mol/L＜C（H2）＜2mol/L．

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