A. | CsCl、SiO2、CBr4、CF4 | B. | SiO2、CsCl、CF4、CBr4 | ||
C. | SiO2、CsCl、CBr4、CF4 | D. | CF4、CBr4、CsCl、SiO2 |
分析 晶體熔沸點(diǎn)高低順序是:原子晶體>離子晶體>分子晶體,分子晶體熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比,還與氫鍵有關(guān),含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高,據(jù)此分析解答.
解答 解:晶體熔沸點(diǎn)高低順序是:原子晶體>離子晶體>分子晶體,分子晶體熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比,還與氫鍵有關(guān),含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高,SiO2、CsCl、CBr4、CF4晶體類型分別是原子晶體、離子晶體、分子晶體、分子晶體,但CBr4的相對(duì)分子質(zhì)量大于CF4,所以這幾種物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低順序是SiO2、CsCl、CBr4、CF4,故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體熔沸點(diǎn)高低比較,為高頻考點(diǎn),側(cè)重考查晶體類型判斷,明確常見(jiàn)物質(zhì)晶體類型及晶體與熔沸點(diǎn)關(guān)系即可解答,注意分子晶體中分子穩(wěn)定性與化學(xué)鍵有關(guān),但分子晶體熔沸點(diǎn)與分子間作用力和氫鍵有關(guān),為易錯(cuò)點(diǎn).
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 元素X的原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)可能為(2a2-1) | |
B. | 元素X形成的單質(zhì)既能作氧化劑又能作還原劑 | |
C. | 元素X形成的簡(jiǎn)單離子,各電子層的電子數(shù)均達(dá)到2n2個(gè)(n表示電子層數(shù)) | |
D. | 由元素X形成的某些化合物,可能具有殺菌消毒的作用 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 水溶性 | B. | 熱穩(wěn)定性 | C. | 與酸反應(yīng) | D. | 焰色反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1:1:1 | B. | 2:1:1 | C. | 3:7:4 | D. | 1:5:2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 最高價(jià)氧化物分子式為R2O5 | B. | 含氧酸分子式為 HRO3 | ||
C. | 含氧酸分子式為H3RO4 | D. | 氣態(tài)氫化物分子式為RH5 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
元素編號(hào) 元素性質(zhì) | ① | ② | ③ | ④ | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ | ⑨ | ⑩ |
原子半徑 (10-10m) | 1.52 | 2.27 | 0.74 | 1.43 | 0.77 | 1.10 | 0.99 | 1.86 | 0.75 | 0.71 |
最高價(jià)態(tài) | +1 | +1 | - | +3 | +4 | +5 | +7 | +1 | +5 | - |
最低價(jià)態(tài) | - | - | -2 | - | -4 | -3 | -1 | - | -3 | -1 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | B、A、D、C、E | B. | C、D、B、A、E | C. | B、A、C、D、E | D. | C、D、A、B、E |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Z+1 | B. | Z+11 | C. | Z+25 | D. | Z+32 |
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