| 淀粉 | 纖維素 |
分子式 |
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n的大小 |
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結(jié)構(gòu)特點(diǎn) |
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水解最終產(chǎn)物 |
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化學(xué)性質(zhì) |
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是否純凈物 |
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是否同分異構(gòu) |
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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆安徽省江南十校高三素質(zhì)教育聯(lián)考理科綜合試卷化學(xué)部分(解析版) 題型:填空題
(13分)硫代硫酸鈉是一種常見的化工原料。將SO2通入按一定比例配成的Na2S和Na2CO3的混合溶液中,便可得到Na2S2O3,其制備反應(yīng)方程式為:o
(1) 在配制混合溶液前先將蒸餾水加熱煮沸一段時(shí)間后待用,其目的是_______。
(2) 用該方法獲得的Naj2O3^H2O晶體中�;煊幸欢康碾s質(zhì)。某興趣小組欲對(duì)其中所含雜質(zhì)成分進(jìn)行探究(不考慮副反應(yīng)和雜質(zhì)所帶的結(jié)晶水)。
【提出假設(shè)】
假設(shè)1 :晶體中只含>fe2C03雜質(zhì)
假設(shè)2:晶體中只含Na2S雜質(zhì)
假設(shè)3: ____________________________
【查閱資料】
②NhS2O3在中性、堿性溶液中較穩(wěn)定,而在酸性溶液中能迅速反應(yīng):
【判斷與思考】
某同學(xué)取少量制得的晶體溶于足量稀H2SO4,并將產(chǎn)生的氣體通入CuSO4溶液中,未見黑色沉淀,據(jù)此認(rèn)為假設(shè)2不成立。你認(rèn)為其結(jié)論是否合理?_______ (填“合理”、“不合理”)并說明理由:____________________________
【設(shè)計(jì)方案進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】
基于假設(shè)1,完成下表實(shí)驗(yàn)方案、現(xiàn)象及結(jié)論(儀器自選)。
限選實(shí)驗(yàn)試劑:酸性KMnO4溶液、飽和NaHCO3溶液、品紅溶液、澄清石灰水
(3) 已知:。為測定所制得晶體的純度,該小組以淀粉作指示劑,用
的碘水進(jìn)行多次取樣滴定,測得
的含量約為102%。若所用試劑及操作均無不當(dāng),產(chǎn)生該結(jié)果最可能的原因是______________。
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年甘肅省高三下學(xué)期第一次診斷考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。
實(shí)驗(yàn)過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點(diǎn)/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點(diǎn)/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
請(qǐng)回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是????????????????????????? 。
(2)裝置C中的試劑是?????????? ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是????????????? 。
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無SO32-也無ClO-;假設(shè)3:?????? 。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:
序號(hào) | 操? 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
① | 向a試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設(shè)2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設(shè)2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴????????? 溶液 |
| 假設(shè)3成立 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年四川省綿陽市高三第二次診斷性考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。
實(shí)驗(yàn)過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) |
SiCl4 |
AlCl3 |
FeCl3 |
沸點(diǎn)/℃ |
57.7 |
- |
315 |
熔點(diǎn)/℃ |
-70.0 |
- |
- |
升華溫度/℃ |
- |
180 |
300 |
請(qǐng)回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是 。
(2)裝置C中的試劑是
; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是
。
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無SO32-也無ClO-;假設(shè)3: 。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:
序號(hào) |
操 作 |
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 |
結(jié)論 |
① |
向a試管中滴加幾滴 溶液 |
若溶液褪色 |
則假設(shè)1成立 |
若溶液不褪色 |
則假設(shè)2或3成立 |
||
② |
向b試管中滴加幾滴 溶液 |
若溶液褪色 |
則假設(shè)1或3成立 |
若溶液不褪色 |
假設(shè)2成立 |
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③ |
向c試管中滴加幾滴 溶液 |
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假設(shè)3成立 |
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