Question

2．C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式1s²2s²2p⁶3s²3p²．從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為O＞C＞Si．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為sp³，微粒間存在的作用力是共價鍵．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為Ng（填元素符號），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點比CaO的高，其原因是Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大．

Answer 1

分析 （1）Si原子核外共14個電子，按照能量最低原則書寫電子排布式；元素周期表中主族元素越靠右、越靠上電負(fù)性越大，F(xiàn)的電負(fù)性最大（為4.0）；
（2）晶體硅中一個硅原子周圍與4個硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp³；非金屬原子之間形成的化學(xué)鍵為共價鍵；
（3）根據(jù)電子總數(shù)判斷M的原子序數(shù)，進(jìn)而確定元素符號；從影響離子晶體熔沸點高低的因素分析二者熔沸點的高低．

解答 解：（1）Si是14號元素，Si原子核外共14個電子，按照能量最低原則電子先填入能量最低的1s軌道，填滿后再依次填入能量較高的軌道；其電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p²；從電負(fù)性的角度分析，O和C位于同一周期，非金屬性O(shè)強于C；C和Si為與同一主族，C的非金屬性強于Si，故由強到弱為O＞C＞Si，
故答案為；1s²2s²2p⁶3s²3p²； O＞C＞Si；
（2）SiC中Si和C原子均形成四個單鍵，故其為sp³雜化；非金屬原子之間形成的化學(xué)鍵全部是共價鍵，
故答案為：sp³；共價鍵；
（3）MO和SiC的電子總數(shù)相等，故含有的電子數(shù)為20，則M含有12個電子，即Mg；晶格能與所組成離子所帶電荷成正比，與離子半徑成反比，MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同，Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大，熔點高；
故答案為：Mg；Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大．

點評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，涉及電子排布式的書寫、電負(fù)性的大小比較、雜化軌道類型的判斷以及晶體熔點的比較，題目較為綜合，充分考查了學(xué)生的分析、理解能力及靈活應(yīng)用能力．