氮化硅Si3N4是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料。粉末狀的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3氣的混合物反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但是,將粉末狀Si3N4和適量MgO在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以得到結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料。
(1)寫(xiě)出由SiCl4的蒸氣和NH3氣制備Si3N4的反應(yīng)方程式;
(2)分別寫(xiě)出粉末狀Si3N4和H2O及O2反應(yīng)的方程式;
(3)為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕?
(1)3SiCl4十4NH3=Si3N4十12HCl; (2)Si3N4十6H2O=3SiO2十4NH3↑;Si3N4十3O2=3SiO2十3N2; (3)Si3N4與MgO在密閉容器中熱處理后使Si3N4固體表面形成一層SiO2保護(hù)層,阻止了Si3N4繼續(xù)受空氣中的O2、H2O的侵蝕。
SiCl4與NH3反應(yīng)生成Si3N4的同時(shí)應(yīng)該有HCl生成。由Si—N鍵的鍵能小于Si一O鍵的鍵能,Si3N4與H2O反應(yīng)時(shí),Si—N鍵向Si—O鍵轉(zhuǎn)化,生成SiO2,同時(shí)應(yīng)該有NH3生成。同樣,Si3N4與和O2反應(yīng)時(shí),產(chǎn)物應(yīng)有SiO2生成,同時(shí)生成穩(wěn)定的N2;而與MgO在一定條件下反應(yīng),生成結(jié)構(gòu)緊密的SiO2覆蓋在Si3N4固體表面,阻止了Si3N4繼續(xù)受空氣中的H2O和O2的侵蝕。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(1)寫(xiě)出由四氯化硅和氨氣制備Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式:_________________________。
(2)分別寫(xiě)出粉末狀Si3N4和水及氧氣反應(yīng)的化學(xué)方程式:__________________________。
(3)為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受水和氧氣的侵蝕?
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(1)根據(jù)性質(zhì),推測(cè)氮化硅陶瓷的用途是____________。?
A.制汽輪機(jī)葉片
B.制有色玻璃?
C.制永久性模具
D.制造柴油機(jī)?
(2)氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強(qiáng),除氫氟酸外,不與其他無(wú)機(jī)酸反應(yīng)。試推測(cè)該陶瓷被氫氟酸腐蝕的化學(xué)方程式為_________________________。?
(3)現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃庵屑訌?qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),可制得高純度氮化硅,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
。?
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
①光導(dǎo)纖維的主要成分是_____________。?
②目前應(yīng)用最多的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是________________。?
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和
①寫(xiě)出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式________________。?
②Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和
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