(6分)一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

(1)每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。
(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
(3)陽(yáng)離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_(kāi)____,陰離子周圍距離最近的陽(yáng)離子數(shù)_____。
(4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的體積是 ___________m3。

(6分,每空1分)(1)4、8        (2)CaF2    (3)8、4      (4)16r3

解析試題分析:(1)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,B請(qǐng)別再晶胞內(nèi),共計(jì)是8個(gè)。而A離子的個(gè)數(shù)個(gè)。
(2)根據(jù)(1)可知,該離子化合物的化學(xué)式是AB2。又因?yàn)锳的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則A是Ca,B是F,所以化學(xué)式是CaF2。
(3)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,鈣離子周圍距離最近的陰離子F數(shù)為8個(gè),而陰離子周圍距離最近的陽(yáng)離子數(shù)4個(gè)。
(4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的面半徑是4rm,所以晶胞的邊長(zhǎng)是,因此晶胞的體積是16r3。
考點(diǎn):考查晶胞結(jié)構(gòu)的判斷、計(jì)算和化學(xué)式的確定
點(diǎn)評(píng):該題是中等難度的試題,也是高考中的重要考點(diǎn)和題型,試題綜合性強(qiáng),注重基礎(chǔ)知識(shí)的鞏固,側(cè)重能力的培養(yǎng)和解題方法的指導(dǎo)與訓(xùn)練。有利于培養(yǎng)學(xué)生的邏輯推理能力和抽象思維能力。該題的關(guān)鍵是明確晶胞中離子個(gè)數(shù)的計(jì)算原則和依據(jù),有利于提高學(xué)生分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力。

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

一種離子晶體的晶胞如圖其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示.
(1)每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為
4
4
,含B離子數(shù)目為
8
8

(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是
CaF2
CaF2
;
(3)陽(yáng)離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為
8
8
,陰離子周圍距離最近的陽(yáng)離子數(shù)
4
4

(4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的體積是
16
2
r3
16
2
r3
m3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

(1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。

(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;

(3)陽(yáng)離子的配位數(shù)為_(kāi)________,陰離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。

(4)已知A的離子半徑為0.99×1010m,則該晶胞的體積是_______________m3。

(每空2分,共12分)

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(13分)(1)下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫(xiě))

(2)一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。若A的核外電子排布與Ar相同,B的核外電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;

(3)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(4)通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
鍵能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題

一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

(1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。

(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;

(3)陽(yáng)離子的配位數(shù)為_(kāi)________,陰離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。

(4)已知A的離子半徑為0.99×1010m,則該晶胞的體積是_______________m3。

(每空2分,共12分)

 

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