Question

已知A、B、C、D是原子序數(shù)依次遞增的短周期元素．A元素的原子半徑是所有元素原子中最小的； B元素原子最外層的電子數(shù)比D的最外層電子數(shù)多1個；C元素是短周期中金屬性最強的元素；D的單質是重要的半導體材料．請回答：
（1）寫出B在周期表中的位置

第二周期第ⅣA族

；
（2）寫出D的氧化物與C的最高價氧化物對應水化物反應的離子方程式

SiO₂+2OH^-=SiO₃^2-+H₂O

；
（3）1.92g Cu與B的最高價氧化物對應水化物的稀溶液充分反應，產生的氣體在標準狀況下的體積為

0.448

 L；
（4）某晶體甲中含有由A、B兩種元素組成的常見陽離子，在實驗室中檢驗該離子的方法是：取少量晶體甲于試管中，

加入氫氧化鈉溶液，加熱，生成氣體可以使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍

，則證明晶體甲中含有該陽離子．

Answer 1

分析：A、B、C、D是原子序數(shù)依次遞增的短周期元素，A元素的原子半徑是所有元素原子中最小的，故A為H元素； C元素是短周期中金屬性最強的元素，故C為Na元素；D的單質是重要的半導體材料，原子序數(shù)大于鈉元素，故D為Si元素，B元素原子最外層的電子數(shù)比D的最外層電子數(shù)多1個，故B最外層電子數(shù)為5，原子序數(shù)小于鈉元素，故B為N元素，據此解答．

解答：解：A、B、C、D是原子序數(shù)依次遞增的短周期元素，A元素的原子半徑是所有元素原子中最小的，故A為H元素； C元素是短周期中金屬性最強的元素，故C為Na元素；D的單質是重要的半導體材料，原子序數(shù)大于鈉元素，故D為Si元素，B元素原子最外層的電子數(shù)比D的最外層電子數(shù)多1個，故B最外層電子數(shù)為5，原子序數(shù)小于鈉元素，故B為N元素，則
（1）B為N元素，常用周期表第二周期第ⅣA族，
故答案為：第二周期第ⅣA族；
（2）D的最高價氧化物為SiO₂，C的最高價氧化物對應水化物為NaOH，二氧化硅與氫氧化鈉反應生成硅酸鈉與水，反應的離子方程式為SiO₂+2OH^-=SiO₃^2-+H₂O，
故答案為：SiO₂+2OH^-=SiO₃^2-+H₂O；
（3）1.92g Cu與稀HNO₃溶液充分反應生成NO氣體，1.92g Cu的物質的量為

1.92g

64g/mol

=0.03mol，根據電子轉移守恒可知，生成NO的物質的量為

0.03mol×2

3

=0.02mol，故NO的體積為0.02mol×22.4L/mol=0.448L，
故答案為：0.448；
（4）晶體甲中含有由A、B兩種元素組成的常見陽離子，故晶體甲為銨鹽，在實驗室中檢驗銨根離子的方法是：取少量晶體甲于試管中，加入氫氧化鈉溶液，加熱，生成氣體可以使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍，則證明晶體甲中含有該陽離子，
故答案為：加入氫氧化鈉溶液，加熱，生成氣體可以使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍．

點評：考查結構位置性質的關系，難度中等，推斷元素是解題的關鍵，注意基礎知識的掌握．