下圖中a、b表示相應(yīng)儀器中加入的試劑，可用下圖裝置制取、收集的氣體是
編號
氣體
a
b
A
NH3
濃氨水
生石灰
B
CO2
鹽酸
碳酸鈣
C
NO
稀硝酸
銅屑
D
H2
濃硫酸
鋅片
 
B
A錯，氨氣的密度比空氣小，不能用向上排空氣法收集；B正確；C錯，NO氣體能與空氣中的氧氣反應(yīng)，不能用排空氣法收集；D錯，氫氣的密度比空氣小，不能用向上排空氣法收集；
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

以下物質(zhì)的制備實驗裝置正確的是
            
A．溴乙烷的制取B．乙烯的制取C．苯的硝化反應(yīng)D．乙酸丁酯（沸點126℃）的制備

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：實驗題

（12分）實驗室用固體燒堿配制500mL0.1000mol/L的NaOH溶液。
（1）需稱量___________g燒堿
（2）配制過程中，不需要的儀器（填寫代號）____________________
a、燒杯 b、托盤天平 c、玻璃棒 d、1000mL容量瓶  e、漏斗 f、膠頭滴管
（3）根據(jù)實驗需要和（2）所列儀器判斷，完成實驗還缺少的玻璃儀器有____________
（4）步驟B通常稱為轉(zhuǎn)移，步驟A通常稱為           
（5）將上述實驗步驟A到F按實驗過程先后次序排列             
（6）若實驗時遇到下列情況，將使溶液的濃度偏低的是     。
A．忘記將洗滌液轉(zhuǎn)入容量瓶；
B．容量瓶洗滌后底部內(nèi)壁有水珠而未作干燥處理；
C．定容、搖勻、靜置后發(fā)現(xiàn)凹面低于刻度線又加水至刻度線；
D．定容時俯視刻度線；

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

擬用下圖所示裝置制取四種干燥、純凈的氣體（圖中加熱裝置和氣體的收集裝置均已略去；必要時可以加熱；a、b、c、d表示相應(yīng)儀器中加入的試劑）。其中不能達到目的的是

選項
制取氣體
a
b
c
d
A
NO
稀硝酸
銅片
H2O
濃硫酸
B
O2
雙氧水
MnO2
H2O
濃硫酸
C
NH3
濃氨水
堿石灰
濃硫酸
H2O
D
SO2
濃鹽酸
Na2SO3粉末
NaHSO3溶液
濃硫酸

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：實驗題

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì))，粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450～500℃)，四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：
a．四氯化硅遇水極易水解；
b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；
c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：
物質(zhì)
SiCl4
BCl3
AlCl3
FeCl3
PCl5
沸點/℃
57.7
12.8
—
315
—
熔點/℃
－70.0
－107.2
—
—
—
升華溫度/℃
—
—
180
300
162
請回答下列問題：
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式______________________。
(2)裝置A中g(shù)管的作用是________；裝置C中的試劑是________；裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是__________________________________。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是________(填寫元素符號)。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：實驗題

（6分）氯化銅是一種廣泛用于生產(chǎn)顏料、木材防腐劑等的化工產(chǎn)品。某研究小組用粗銅（含雜質(zhì)Fe）按下述流程制備氯化銅晶體（CuCl2·2H2O）。

（1）實驗室采用如下圖所示的裝置，可將粗銅與Cl2反應(yīng)轉(zhuǎn)化為固體1（部分儀器和夾持裝置已略去）。

①儀器A的名稱是     。
②裝置B中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式是     。
③有同學(xué)認為應(yīng)在濃硫酸洗氣瓶前增加吸收HCl的裝置，你認為是否必要（填“是”或“否”）     。
④ NaOH溶液的作用                       
（2）試劑X用于調(diào)節(jié)pH以除去雜質(zhì)， X可選用下列試劑中的（填序號）     。
a．NaOH   b．NH3·H2O   c．CuO   d．Cu2(OH) 2CO3   e．CuSO4

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

實驗室制取下列氣體時，應(yīng)選用下列哪種酸：（填入相應(yīng)的字母。）
A．濃鹽酸B．稀鹽酸C．稀硫酸D．濃硫酸
⑴用大理石和         制CO2 ； ⑵用MnO2和           制Cl2；
⑶用鋅粒和               制H2 ；  ⑷用食鹽和                制HCl。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：實驗題

（12分）某�；瘜W(xué)小組學(xué)生利用下圖所示裝置進行“乙二酸晶體受熱分解”的實驗，并驗證分解產(chǎn)物中有CO2和CO。（圖中夾持裝置及尾氣處理裝置均已略去）

（1）裝置C中盛放NaOH溶液的作用是                                     。
（2）①證明分解產(chǎn)物中有CO2的現(xiàn)象是                                      。
②證明分解產(chǎn)物中有CO的現(xiàn)象是                                           。
（3）實驗結(jié)束后，裝置F中黑色氧化銅變?yōu)榧t色固體。簡述檢驗紅色固體中是否含有Cu2O的實驗方法（已知Cu2O溶于稀硫酸生成銅單質(zhì)和硫酸銅）：                      。
（4）①草酸和草酸鈉（Na2C2O4）可以在酸性條件下被KMnO4、MnO2氧化。KMnO4和草酸鈉在稀硫酸中反應(yīng)的離子方程式是                                       。
②實驗室常用草酸鈉標定KMnO4溶液。操作如下：準確稱取0.2000g草酸鈉，放入錐形瓶中，加100mL稀硫酸溶解，用配置好的KMnO4溶液滴定。當(dāng)加入1滴KMnO4溶液后，錐形瓶中溶液立即由無色變?yōu)樽霞t色，且30s不褪色，即達到滴定終點。重復(fù)上述滴定操作三次，實驗數(shù)據(jù)如下表所示。
 
滴定前
第一次終點
第二次終點
第三次終點
滴定管液面刻度
0.00mL
16.02mL
16.00mL
16.01mL
KMnO4溶液的物質(zhì)的量濃度的計算式是                     。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列制備設(shè)計錯誤的是
A．以苯為原料制水楊酸（鄰羥基苯甲酸），應(yīng)向苯環(huán)上先引入酚羥基
B．制備表面活性劑對十二烷基苯磺酸鈉，可向苯環(huán)上先引入磺酸基(-SO3H)
C．制備十二烷基苯可以采用1-十二烯在一定條件下與苯加成
D．采用對MgCl2·6H2O在氯化氫氣流中加熱脫水制無水MgCl2

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同步練習(xí)冊答案