Question

2012年在全球市場需求增速減緩形勢下，我國LED產業(yè)進入了行業(yè)格局重組和競爭模式轉變的新階段。目前市售LED晶片，材質基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結構如右圖。

試回答：

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是 。

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為 ，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為 。

(3)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是 (用氫化物分子式表示)。

(4)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為 。

(5)比較二者的第一電離能：As Ga(填“<”“＞”或“＝”)。

(6)下列說法正確的是 (填字母)。

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同

B．GaP與GaAs互為等電子體

C．電負性：As＞Ga

D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

 

Answer 1

(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1)

(2)4 正四面體

(3)NH3＞AsH3＞PH3

(4)sp2 雜化

(5)＞

(6)BCD

【解析】(1)鎵位于周期表中第四周期ⅢA族，故其核外電子排布式為[Ar]3d104s24p1。(2)根據(jù)“均攤法”：白色球個數(shù)為(6/2)＋(8/8)＝4。由晶胞圖可知與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為正四面體。(3)由于NH3分子間存在氫鍵，所以NH3的沸點最高，由于AsH3的相對分子質量大于PH3，故AsH3的沸點高于PH3。(4)由于Ga原子周圍只有3對成鍵電子對，故其雜化方式為sp2雜化。(5)As和Ga處于同一周期，而處于ⅤA族的As外圍電子處于半滿的較穩(wěn)定結構，故As的第一電離能大于Ga。(6)由題中晶胞圖可知A顯然是錯誤的；根據(jù)等電子體的概念可知選項B正確；根據(jù)電負性的概念可知選項C正確；由于Ga原子最外層只有3個電子，而每個Ga原子與4個As原子成鍵，因此其中一個共價鍵必為配位鍵，D正確。