考點:晶胞的計算,原子核外電子排布,位置結構性質(zhì)的相互關系應用
專題:元素周期律與元素周期表專題,化學鍵與晶體結構
分析:X、Y、Z、R、W、M五種元素分別位于周期表中四個緊鄰的周期,原子序數(shù)依次增大,
Z是除稀有氣體外第一電離能最大的元素,則Z是F元素;
W的單質(zhì)是人們將太陽能轉換為電能的常用材料,則W為Si元素;
M是人們生活中最常用的金屬且原子序數(shù)大于W,所以M是Fe元素;
根據(jù)R電離能大小知,R元素位于第IIIA族,且R原子序數(shù)大于F而小于Si,所以R是Al元素;
Y和R位于同一主族,且原子序數(shù)小于Al,所以Y為B元素;
X原子的價電子構型為ns
n,且這幾種元素位于相鄰的前四個周期,所以X位于第一周期,為H元素;
(1)X
為H元素,其原子核外有1個電子,據(jù)此書寫H原子電子排布圖;
(2)根據(jù)價層電子對互斥理論確定中心原子雜化方式及分子空間構型;
(3)分子晶體熔點較低;
(4)一個Si原子連接4個Si原子,所以每個硅原子占有2個Si-Si鍵,據(jù)此計算1molSi中Si-Si鍵數(shù)目;
原子晶體熔沸點與其鍵長成反比,與鍵能成正比;
(5)M為Fe元素,F(xiàn)e原子3d、4s能級上電子為其價電子,根據(jù)構造原理書寫M原子的價電子排布式;
該晶胞中最近的兩個M原子之間的距離為中心原子和頂點原子距離,其中心原子到頂點距離為晶胞邊長的
.
解答:
解:X、Y、Z、R、W、M五種元素分別位于周期表中四個緊鄰的周期,原子序數(shù)依次增大,
Z是除稀有氣體外第一電離能最大的元素,則Z是F元素;
W的單質(zhì)是人們將太陽能轉換為電能的常用材料,則W為Si元素;
M是人們生活中最常用的金屬且原子序數(shù)大于W,所以M是Fe元素;
根據(jù)R電離能大小知,R元素位于第IIIA族,且R原子序數(shù)大于F而小于Si,所以R是Al元素;
Y和R位于同一主族,且原子序數(shù)小于Al,所以Y為B元素;
X原子的價電子構型為ns
n,且這幾種元素位于相鄰的前四個周期,所以X位于第一周期,為H元素;
(1)X
為H元素,其原子核外有1個電子,其電子排布圖為
,故答案為:
;
(2)化合物BF
3的中心原子B的價層電子對個數(shù)=3且不含孤電子對,所以B原子的雜化類型為sp
2雜化,則BF
3的空間結構為平面三角形,故答案為:sp
2;平面三角形;
(3)Z為F元素,D與Z同主族且相鄰,則D為Cl元素,D和R形成的化合物的化學式(或分子式)為Al
2Cl
6,熔點:190℃,所以晶體Al
2Cl
6為分子晶體,故答案為:分子;
(4)一個Si原子連接4個Si原子,所以每個硅原子占有2個Si-Si鍵,則1molSi中Si-Si鍵數(shù)目為2N
A;
C的原子半徑小于Si,吸引電子能力大于Si,Si和C生成SiC,C-Si鍵鍵長小于Si-Si鍵,鍵能C-Si鍵大于Si-Si,所以SiC的熔點高于晶體硅,
故答案為:2N
A;>;C的原子半徑小于Si,吸引電子能力大于Si,因而鍵長C-Si鍵小于Si-Si鍵,而鍵能C-Si鍵大于Si-Si,所以SiC的熔點高于晶體硅;
(5)M為Fe元素,F(xiàn)e原子3d、4s能級上電子為其價電子,根據(jù)構造原理知M原子的價電子排布式為3d
64s
2;
該晶胞中最近的兩個M原子之間的距離為中心原子和頂點原子距離,其中心原子到頂點距離為晶胞邊長的
,該晶胞中原子個數(shù)=1+8×
=2,設晶胞的邊長為x,則晶胞體積為x
3,其密度ρ=
,所以V=
cm
3=
cm
3,則中心原子到頂點距離=
×cm,故答案為:3d
64s
2;
×.
點評:本題涉及晶體類型判斷、晶胞計算、原子雜化方式判斷、分子空間構型判斷等知識點,根據(jù)價層電子對互斥理論、晶胞計算公式等知識點分析解答即可,同時考查學生空間想象能力、數(shù)學運算能力等,題目難度中等.