Question

【題目】現(xiàn)有部分前四周期元素的性質或原子結構如下表：

(1)B單質分子中，含有________個鍵和__________個鍵，元素B的氣態(tài)氫化物的空間型為________________。

(2)C單質的熔點____________A單質的熔點(填“高于”或“低于”)，其原因是：_______________

(3)寫出元素D基態(tài)原子的電子排布式：______________________。

Answer 1

【答案】1 2 三角錐形 低于 Cl2晶體屬于分子晶體，Si晶體屬于原子晶體，原子晶體中原子之間以很強的共價鍵結合，而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結合，因而原子晶體的熔點比分子晶體的熔點高 1s22s22p63s23p63d54s1

【解析】

根據(jù)信息A為第三周期中的半導體材料，得出A為Si；B的L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1，得出B為N；同一周期，元素原子對應的第一電離能有增大的趨勢，則根據(jù)C在第三周期主族元素中其第一電離能最大，推出該元素為Cl；D在前四周期中其未成對電子數(shù)最多，所以為Cr。

A為第三周期中的半導體材料，得出A為Si；B的L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1，即電子排布式為1s22s22p3，得出B為N元素；C在第三周期主族元素中其第一電離能最大，為Cl；D在前四周期呀中其未成對電子數(shù)最多，即M層d能級半滿，N層s能級半滿，即電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，所以該元素為Cr。

（1）B單質分子為氮氣，分子內為氮氮三鍵，則含有1個鍵和2個鍵；其氣態(tài)氫化物為NH3，空間構型為三角錐形，

故答案為：1；2；三角錐形；

（2）C單質為Cl2，其晶體類型為分子晶體；A單質為Si，其晶體屬于原子晶體，因原子晶體中原子之間以很強的共價鍵結合，而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結合，所以C單質（Cl2）的熔點低于A單質（Si）的熔點，

故答案為：低于；Cl2晶體屬于分子晶體，Si晶體屬于原子晶體，原子晶體中原子之間以很強的共價鍵結合，而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結合，因而原子晶體的熔點比分子晶體的熔點高；

（3）D在前四周期中，其未成對電子數(shù)最多，即M層d能級半滿，N層s能級半滿，即其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，

故答案為：1s22s22p63s23p63d54s1。