A. | 若晶體熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,該晶體一定是離子晶體 | |
B. | 若晶體熔化時(shí)化學(xué)鍵斷裂,該晶體一定是原子晶體 | |
C. | 若晶體中含有非極性分子,該晶體可能有較低的熔沸點(diǎn) | |
D. | 若晶體中含有極性共價(jià)鍵,該晶體不可能有很高的熔沸點(diǎn) |
分析 A、熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物是離子晶體,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的單質(zhì)是金屬;
B、熔化時(shí)不需要破壞化學(xué)鍵的是分子晶體,原子晶體、離子晶體、金屬晶體熔化時(shí)需要破壞化學(xué)鍵;
C、若晶體中含有非極性分子,則該晶體為分子晶體;
D、一般不同非金屬元素之間易形成極性鍵,已知某晶體中含有極性鍵,則該晶體為化合物,可能是離子化合物、共價(jià)化合物.
解答 解:A、熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物晶體中含有陰陽離子,若是單質(zhì),則為金屬晶體,故A錯(cuò)誤;
B、原子晶體、離子晶體、金屬晶體熔化時(shí)需要破壞化學(xué)鍵,化學(xué)鍵斷裂的晶體不一定是原子晶體,故B錯(cuò)誤;
C、若晶體中含有非極性分子,則晶體為分子組成的晶體,為分子晶體,分子晶體熔沸點(diǎn)較低,故C正確;
D、含有極性鍵的晶體可能是原子晶體,如二氧化硅中含有Si-O極性鍵,其熔沸點(diǎn)很高,故D錯(cuò)誤.
故選:C.
點(diǎn)評 本題考查離子晶體的判斷,側(cè)重考查學(xué)生分析判斷能力,共價(jià)化合物和離子化合物可以通過熔融狀態(tài)是否導(dǎo)電判斷,注意不能根據(jù)溶解性、熔沸點(diǎn)及水溶液的導(dǎo)電性判斷離子晶體,為易錯(cuò)點(diǎn).
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | OA段的反應(yīng)離子方程式為:2Al3++3SO42-+3Ba2++6OH-→2Al(OH)3↓+3BaSO4↓ | |
B. | AB段的離子方程式只有:Al(OH)3+OH-→AlO2-+2H2O | |
C. | A點(diǎn)的沉淀為Al(OH)3和BaSO4的混合物 | |
D. | B點(diǎn)溶液為KAlO2溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | a=b | B. | HA與BOH的電離常數(shù)相等 | ||
C. | 混合溶液中,c(H+)=$\sqrt{{K}_{W}}$mol/L | D. | 混合溶液中,c(H+)+c(B+)═c(OH-)+c(A-) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 都是極性分子 | |
B. | 都是共價(jià)化合物 | |
C. | 共價(jià)分子間的作用力都比化學(xué)鍵弱 | |
D. | 溶于水的共價(jià)分子都能產(chǎn)生自由移動(dòng)的離子 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 實(shí)驗(yàn)室制備乙烯時(shí),產(chǎn)生的氣體使溴水褪色,能證明有乙烯生成 | |
B. | 除去溴苯中的溴,可用稀NaOH溶液反復(fù)洗滌,并用分液漏斗分液 | |
C. | 加熱NaOH和少量溴乙烷的混合液后滴加硝酸銀,可生成淺黃色沉淀 | |
D. | 制取硝基苯時(shí),試管中先加入濃H2SO4,再逐滴滴入濃HNO3和苯,振蕩混合均勻后,保持55℃水浴加熱 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 綠色化學(xué)的核心是從源頭上消除工業(yè)生產(chǎn)對環(huán)境的污染 | |
B. | “硫黃姜”又黃又亮,可能是在用硫黃熏制的過程中產(chǎn)生的SO2所致 | |
C. | 鐵在潮濕的空氣中放置,易發(fā)生化學(xué)腐蝕而生銹 | |
D. | 華裔科學(xué)家高琨在光纖傳輸信息領(lǐng)域中取得突破性成就,光纖的主要成分是高純度的二氧化硅 |
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