Question

【題目】銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途，如金屬銅用來制造電線電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑。

(1)Cu位于元素周期表第I B族。Cu2＋的核外電子排布式為__________。

(2)下圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，可確定該晶胞中陰離子的個數(shù)為_____。

(3)往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成[Cu(NH3)4]2＋配離子。已知NF3與NH3的空間構(gòu)型都是三角錐形，但NF3不易與Cu2＋形成配離子，其原因是_______________。

(4)Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的_________(填“高”或“低”)。

Answer 1

【答案】1s22s22p63s23p63d9 4 F電負(fù)性比N大，N-F成鍵電子對向F偏移，導(dǎo)致NF3中N原子核對其孤對電子的吸引能力增強(qiáng)難以形成配位鍵，故NF3不易與Cu2＋形成配位鍵 高

【解析】

(1) Cu電子排布式為: 1s22s22p63s23p63d104s1,在形成Cu2＋的過程中,參與反應(yīng)的電子是最外層的4s及3d上各一個電子,故Cu2＋離子的電子排布式是為: 1s22s22p63s23p63d9；本題正確答案是: 1s22s22p63s23p63d9。
(2)從圖中可以看出陰離子在晶胞有四類:頂點(diǎn)(8個)、棱上(4個)、面上(2個)、體心(1個),根據(jù)立方體的分?jǐn)偡?/span>,可以知道該晶胞中陰離子數(shù)目為:,8+4+1=4，本題正確答案是:4;
(3)因為N、F、H三種元素的電負(fù)性：F＞N＞H，所以N-F成鍵電子對向F偏移，導(dǎo)致NF3中N原子核對其孤對電子的吸引能力增強(qiáng)難以形成配位鍵，故NF3不易與Cu2＋形成配位鍵。答案：F電負(fù)性比N大，N-F成鍵電子對向F偏移，導(dǎo)致NF3中N原子核對其孤對電子的吸引能力增強(qiáng)難以形成配位鍵，故NF3不易與Cu2＋形成配位鍵。

（4）因為氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑,所帶電荷數(shù)又相同,所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵,所以Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的高.因此，本題正確答案是:高。