已知：A、B、C、D、E、F六種元素核電荷數(shù)依次增大，屬周期表中前四周期的元素。其中A原子核外有三個未成對電子；化合物B₂E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩對成對電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質的熔點在同周期元素形成的單質中最高；F能形成紅色(或磚紅色)的F₂O和黑色的FO兩種氧化物。
回答下列問題：
（1）F的原子的M層電子排布式為                           。
（2）B、C、D的第一電離能由小到大的順序為                   。(用元素符號表示)
（3）A的簡單氫化物分子極易溶于水,其主要原因是                                 .
（4）E的最高價氧化物分子的空間構型是                。其中心原子的雜化方式為          。
（5）F的高價離子與A的簡單氫化物形成的配離子,配位數(shù)為       。
（6）A、F形成某種化合物的晶胞結構如圖所示，則其化學式為             ；（黑色球表示F原子）,已知緊鄰的白球與黑球之間的距離為a cm, 該晶胞的密度為             g/cm³。

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）。目前市售LED品片，材質基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結構如圖。

試回答：
⑴鎵的基態(tài)原子的電子排布式是                 。
⑵砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為           ，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為              。
⑶N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是        。 （用氫化物分子式表示）
⑷砷化鎵可由(CH₃)₃Ga和AsH₃在700℃時制得。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為           。
⑸比較二者的第一電離能：As______Ga（填“<”、“>”或“=”）。
⑹下列說法正確的是             （填字母）。
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同  B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As>Ga            D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

I．氫能的存儲是氫能應用的主要瓶頸，配位氫化物、富氫載體化合韌是目前所采用的主要儲氫材料。
（1）Ti（BH₄）₂是一種過渡元素硼氫化物儲氫材料。在基態(tài)Ti²⁺中，電子占據的最高能層符號為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為     ；
（2）液氨是富氫物質，是氫能的理想載體，利用實現(xiàn)儲氫和輸氫。下列說法正確的是        ；
a．NH₃分子中氮原子的軌道雜化方式為sp²雜化
b．NH⁺₄與PH⁺₄、CH₄、BH^-₄、ClO^—₄互為等電子體
c．相同壓強時，NH₃的沸點比PH₃的沸點高
d．[Cu（NH₃）₄]²⁺離子中，N原子是配位原子
（3）已知NF₃與NH₃的空間構型相同，但NF₃不易與Cu²⁺形成配離子，其原因是        ；
II．氯化鈉是生活中的常用調味品，也是結構化學中研究離子晶體時常用的代表物，其晶胞結構如圖所示。

（1）設氯化鈉晶體中Na⁺與跟它最近鄰的Cl^—之間的距離為r，則該Na⁺與跟它次近鄰的C1^—個數(shù)為      ，該Na⁺與跟它次近鄰的Cl^—之間的距離為     ；
（2）已知在氯化鈉晶體中Na⁺的半徑為以a pm，Cl^—的半徑為b pm，它們在晶
體中是緊密接觸的，則在氯化鈉晶體中離子的空間利用率為     ；（用含a、b的式子袁示）
（3）納米材料的表面原子占總原子數(shù)的比例很大，這是它有許多特殊性質的原因。假設某氯化鈉顆粒形狀為立方體，邊長為氯化鈉晶胞的10倍，則該氯化鈉顆粒中表面原子占總原子數(shù)的百分比為                。

依據物質的相關數(shù)據，可以推斷物質的結構和性質。下列利用物質的相關數(shù)據作出的相應推斷不合理的是

A．依據元素的原子序數(shù)，推斷該元素原子的核外電子數(shù)

B．依據原子最外層電子數(shù)的多少，推斷元素金屬性、非金屬性的強弱

C．依據氣體的摩爾質量，推斷相同狀態(tài)下不同氣體密度的大小

D．依據液體物質的沸點，推斷將兩種互溶液態(tài)混合物用蒸餾法分離的可行性

下列說法正確的是

A．原子最外層電子數(shù)為2的元素一定處于周期表的第IIA族

B．構成單質的分子中一定含有共價鍵

C．同主族元素形成的氧化物的晶體類型均相同

D．金屬與非金屬元素形成的化合物可能是離子化合物

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）S單質的常見形式為S₈，其環(huán)狀結構如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______；
（3）Se原子序數(shù)為______，其核外M層電子的排布式為______；
（4）H₂Se的酸性比H₂S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構型為______平面三角形，SO₃^2－離子的立體構型為______三角錐形；
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請根據結構與性質的關系解釋：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：                   ；第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強的原因：______；
（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為____________(列式并計算)，a位置S^2－離子與b位置Zn^2＋離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

材料是人類賴以生存的重要物質基礎。銅、鎳等金屬材料在現(xiàn)代社會中有著重要應用。請回答下列問題：
（1）銅在元素周期表中的位置為                          ，鎳的基態(tài)電子排布式為                      。
（2）在配離子[Ni(NH₃)₄]²⁺中，配體中N元素與它相鄰的C和O元素的第一電離能由大到小的順序為               ，這三種元素電負性由大到小的順序為            ；配體NH₃中N原子的雜化方式為          。
（3）據報道，只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導性。鑒于這三種元素都是常見元素，從而引起廣泛關注。該晶體的結構可看作由鎂原子和鎳原子在一起進行面心立方最密堆積，如圖，晶體中每個鎂原子周圍距離最近的鎳原子有     個，若已知晶胞的邊長為a pm，阿伏伽德羅常數(shù)為N_A，則該晶體的密度的數(shù)學表達式為          g?cm^-3（用a和N_A表示，只列式，可不用化簡）。

原子序數(shù)依次增大的A、B、C、D、E、F六種元素。其中A的基態(tài)原子有3個不同的能級，各能級中的電子數(shù)相等；C的基態(tài)原子2p能級上的未成對電子數(shù)與A原子的相同；D為它所在周期中原子半徑最大的主族元素；E和C位于同一主族，F(xiàn)的原子序數(shù)為24。
（1）F原子基態(tài)的核外電子排布式為   。
（2）在A、B、C三種元素中，第一電離能由大到小的順序是   （用元素符號回答）。
（3）元素B的簡單氣態(tài)氫化物的沸點遠高于元素A的簡單氣態(tài)氫化物的沸點，其主要原因是   。
（4）由A、B、C形成的離子CAB^－與AC₂互為等電子體，則CAB^－的結構式為   。
（5）在元素A與E所形成的常見化合物中，A原子軌道的雜化類型為   。
（6）由B、C、D三種元素形成的化合物晶體的晶胞如圖所示，則該化合物的化學式為        。

A、B是短周期VIIA族的兩種元素，A的非金屬性比B強。下列關于A、B的說法正確的是
A．A元素的單質可以把B元素的單質從NaB溶液中置換出來
B．NaA、NaB的晶體都是離子晶體，且NaA晶體的熔點比NaB高
C．HA的沸點比HB高，是因為1mol HA分子中H-A鍵斷裂時吸附的能量比1mol
HB分子中H-B鍵斷裂時吸收的能量多
D．常溫下,溶液的pH均大于7

同一周期（短周期）各元素形成單質的沸點變化如下圖所示（按原子序數(shù)連續(xù)遞增順序排列）。該周期部分元素氟化物的熔點見下表。

（1）A原子核外共有________種不同運動狀態(tài)的電子、_______種不同能級的電子；
（2）元素C的原子核外電子排布式______________________；
（3）解釋上表中氟化物熔點差異的原因：__________________________；
（4）在E、G、H三種元素形成的氫化物中，熱穩(wěn)定性最大的是________（填化學式）。A、B、C三種原子形成的簡單離子的半徑由大到小的順序為___________（填離子符號）。