圖甲、乙中的箭頭表示三種限制性核酸內(nèi)切酶的酶切位點(diǎn),ampr表示氨芐青霉素抗性基因,neo表示新霉素抗性基因。下列敘述正確的是(??? )
A.圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后,含有4個(gè)游離的磷酸基團(tuán)
B.在構(gòu)建重組質(zhì)粒時(shí),可用PstⅠ和BamHⅠ切割質(zhì)粒和外源DNA
C.用PstⅠ和HindⅢ酶切,加入DNA連接酶后可得到1種符合要求的重組質(zhì)粒
D.導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌可在含氨芐青霉素的培養(yǎng)基中生長
C
【解析】圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后,會破壞兩個(gè)磷酸二酯鍵,磷酸二酯鍵是由相鄰脫氧核苷酸的磷酸基團(tuán)和脫氧核糖脫水形成的,因此只含有2個(gè)游離的磷酸基團(tuán)。由于BamHⅠ的切割位點(diǎn)在目的基因的內(nèi)部,使用它切割外源DNA會破壞目的基因。用PstⅠ和HindⅢ切割質(zhì)粒后,雖然破壞了ampr基因,但是會保留下neo基因作為標(biāo)記基因,以備篩選。用PstⅠ和HindⅢ切割外源DNA后,可得到兩個(gè)能與質(zhì)粒連接的DNA片段,但是只有帶目的基因的DNA片段與酶切后的質(zhì)粒連接才符合要求。由于氨芐青霉素抗性基因遭到破壞,因此,只能用含新霉素的培養(yǎng)基進(jìn)行篩選。
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科目:高中生物 來源:2014屆浙江省高三上學(xué)期第一次月考生物卷(解析版) 題型:選擇題
圖甲、乙中的箭頭表示三種限制性核酸內(nèi)切酶的酶切位點(diǎn),Ampr表示氨芐青霉素抗性基因,Ne r 表示新霉素抗性基因。下列敘述正確的是
A.圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后,含有4個(gè)游離的磷酸基團(tuán)
B.在構(gòu)建重組質(zhì)粒時(shí),可用PstⅠ和BamHⅠ切割質(zhì)粒和外源DNA
C.用PstⅠ和Hind III酶切,加入DNA連接酶后可得到1種符合要求的重組質(zhì)粒
D.導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌不可在含氨芐青霉素的培養(yǎng)基中生長
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科目:高中生物 來源:2014屆浙江省杭州市高三上學(xué)期第一次月考生物卷(解析版) 題型:選擇題
圖甲、乙中的箭頭表示三種限制性核酸內(nèi)切酶的酶切位點(diǎn),Ampr表示氨芐青霉素抗性基因,Ne r 表示新霉素抗性基因。下列敘述正確的是
A.圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后,含有4個(gè)游離的磷酸基團(tuán)
B.在構(gòu)建重組質(zhì)粒時(shí),可用PstⅠ和BamHⅠ切割質(zhì)粒和外源DNA
C.用PstⅠ和Hind III酶切,加入DNA連接酶后可得到1種符合要求的重組質(zhì)粒
D.導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌可在含氨芐青霉素的培養(yǎng)基中生長
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科目:高中生物 來源:2014屆江西省北校區(qū)高三8月月考生物試卷(解析版) 題型:選擇題
圖甲、乙中的箭頭表示三種限制性核酸內(nèi)切酶的酶切位點(diǎn),Ampr表示氨芐青霉素抗性基因,Ner表示新霉素抗性基因。下列敘述正確的是( 。
A.圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后,含有4個(gè)游離的磷酸基團(tuán)
B.在構(gòu)建重組質(zhì)粒時(shí),可用PstⅠ和BamHⅠ切割質(zhì)粒和外源DNA
C.用PstⅠ和HindⅢ酶切,加入DNA連接酶后可得到1種符合要求的重組質(zhì)粒
D.導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌可在含氨芐青霉素的培養(yǎng)基中生長
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科目:高中生物 來源:2012-2013學(xué)年浙江省富陽市高三8月教學(xué)質(zhì)量檢測生物試卷(解析版) 題型:選擇題
圖甲、乙中 的箭頭表示三種限制性核酸內(nèi)切酶的酶切位點(diǎn),Ampr表示氨芐青霉素抗性基因,Ne r 表示新霉素抗性基因。下列敘述正確的是
A.圖甲中的質(zhì)粒用BamHⅠ切割后,含有4個(gè)游離的磷酸基團(tuán)
B.在構(gòu)建重組質(zhì)粒時(shí),可用PstⅠ和BamHⅠ切割質(zhì)粒和外源DNA
C.用PstⅠ和Hind III酶切,加入DNA連接酶后可得到1種符合要求的重組質(zhì)粒
D.導(dǎo)入目的基因的大腸桿菌可在含氨芐青霉素的培養(yǎng)基中生長
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