如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.
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(1)正離子被電壓為U0的加速電場加速后速度設(shè)為V1,則
對正離子,應(yīng)用動能定理有eU0=
1
2
mV12,
正離子垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,作類平拋運動
受到電場力F=qE0、產(chǎn)生的加速度為a=
F
m
,即a=
qE0
m
,
垂直電場方向勻速運動,有2d=V1t,
沿場強方向:Y=
1
2
at2,
聯(lián)立解得E0=
U0
d

又tanφ=
V1
at
,解得φ=45°;
(2)正離子進入磁場時的速度大小為V2,
解得V2=
V12+(at)2

正離子在勻強磁場中作勻速圓周運動,由洛侖茲力提供向心力,qV2B=
mV22
R
,
解得離子在磁場中做圓周運動的半徑R=2
mU0
eB2

(3)根據(jù)R=2
mU0
eB2
可知,
質(zhì)量為4m的離子在磁場中的運動打在S1,運動半徑為R1=2
(4m)U0
eB2
,
質(zhì)量為16m的離子在磁場中的運動打在S2,運動半徑為R2=2
(16m)U0
eB2

又ON=R2-R1,
由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離△S=
R22-ON2
-R1,
聯(lián)立解得△S=4(
3
-1)
mU0
eB2
;
由R′2=(2 R12+( R′-R12解得R′=
5
2
R1,
再根據(jù)
1
2
R1<R<
5
2
R1,
解得m<mx<25m.
答:(1)偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小為
U0
d
,HM與MN的夾角φ為45°;(2)質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑為2
mU0
eB2

    (3)S1和S2之間的距離為4(
3
-1)
mU0
eB2
,能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍為m<mx<25m.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?重慶)如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年山西省臨汾一中忻州一中長治二中高三第三次四校聯(lián)考(理綜)物理部 題型:計算題

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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科目:高中物理 來源:2012年四川省遂寧市射洪中學(xué)高考物理模擬試卷(四)(解析版) 題型:解答題

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
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