分析 粒子進(jìn)入電場后做類平拋運(yùn)動,水平方向勻速直線運(yùn)動,豎直方向勻加速直線運(yùn)動.
解答 解:(1)水平方向做勻速直線運(yùn)動,t=$\frac{L}{{V}_{0}}$
(2)豎直方向做勻加速直線運(yùn)動,偏移距離y=$\frac{1}{2}a{t}^{2}$=$\frac{1}{2}\frac{qU}{md}\frac{{L}^{2}}{{V}_{0}^{2}}$
(3)飛出電場時的位移大小x=$\sqrt{{L}^{2}+{y}^{2}}$=$\sqrt{{L}^{2}+(\frac{qU{L}^{2}}{2md{V}_{0}^{2}})^{2}}$
位移與水平方向夾角為α,tanα=$\frac{y}{L}$=$\frac{qUL}{2md{V}_{0}^{2}}$
(4)飛出電場時的速度大小V=$\sqrt{{V}_{0}^{2}+{V}_{y}^{2}}$=$\sqrt{{V}_{0}^{2}+(\frac{qU}{md}\frac{L}{{V}_{0}})^{2}}$
與水平方向的夾角為θ,tanθ=$\frac{{V}_{y}}{{V}_{0}}$=$\frac{qU}{md{V}_{0}^{2}}$
(5)由動能定理知,從進(jìn)入電場到飛出電場時動能的變化量△EK=q$\frac{U}l7vvvt1$y=$(\frac{qUL}{\sqrt{2m}d{V}_{0}})^{2}$
(6)粒子從飛出電場到打到屏上的時間t′=$\frac{Vcosθ}$
(7)粒子打在屏上的位置在O點(diǎn)上方h處,則tanθ=$\frac{h}{\frac{L}{2}+b}$,所以h=(0.5L+b)tanθ
(8)設(shè)加速電場的電壓為U′,則qU′=$\frac{1}{2}m{V}_{0}^{2}$,速度與水平方向的夾角為θ,tanθ=$\frac{{V}_{y}}{{V}_{0}}$=$\frac{qU}{md{V}_{0}^{2}}$=$\frac{U}{2dU′}$
答:(1)飛出電場時間$\frac{L}{{V}_{0}}$
(2)豎直方向偏移距離$\frac{1}{2}\frac{qU}{md}\frac{{L}^{2}}{{V}_{0}^{2}}$
(3)飛出電場時的位移大小$\sqrt{{L}^{2}+(\frac{qU{L}^{2}}{2md{V}_{0}^{2}})^{2}}$
位移與水平方向夾角為arctan$\frac{qUL}{2md{V}_{0}^{2}}$
(4)飛出電場時的速度大小$\sqrt{{V}_{0}^{2}+(\frac{qU}{md}\frac{L}{{V}_{0}})^{2}}$
與水平方向的夾角為arctan$\frac{qU}{md{V}_{0}^{2}}$
(5)從進(jìn)入電場到飛出電場時動能的變化量$(\frac{qUL}{\sqrt{2m}d{V}_{0}})^{2}$
(6)粒子從飛出電場到打到屏上的時間$\frac{Vcosθ}$
(7)粒子打在屏上的位置在O點(diǎn)上方(0.5L+b)tanθ
(8)速度與水平方向的夾角為arctan$\frac{U}{2dU′}$
點(diǎn)評 掌握粒子在偏轉(zhuǎn)電場中做類平拋運(yùn)動,應(yīng)用運(yùn)動的分解求解即可.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 粒子帶負(fù)電 | B. | 粒子在bc段做減速運(yùn)動 | ||
C. | 粒子在b點(diǎn)與d點(diǎn)的速度相同 | D. | 粒子在c點(diǎn)時電勢能最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 兩次移動時電荷在初位置的加速度之比為10:1 | |
B. | 兩次移動過程電場力做功之比為1:1 | |
C. | 移動過程中末速度之比為$\sqrt{10}$:1 | |
D. | 導(dǎo)體上右端點(diǎn)A的電勢等于左端點(diǎn)B的電勢 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 所有同步通訊衛(wèi)星的周期都是24h | |
B. | 所有同步通訊衛(wèi)星必須定點(diǎn)在地球赤道上空某處 | |
C. | 不同的同步通訊衛(wèi)星的軌道半徑一般是不同的 | |
D. | 不同的同步通訊衛(wèi)星運(yùn)行的線速度大小是相同的,但加速度的大小可能不同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | a點(diǎn)的重力勢能比在b點(diǎn)少5J | B. | 在 a點(diǎn)的動能比在b點(diǎn)多7J | ||
C. | 在a點(diǎn)的機(jī)械能比在b點(diǎn)少2J | D. | 在a點(diǎn)的機(jī)械能比在b點(diǎn)多2J |
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