【題目】有關(guān)運(yùn)動(dòng)的合成與分解,以下說法正確的是()
A. 分運(yùn)動(dòng)和合運(yùn)動(dòng)具有等時(shí)性
B. 若合運(yùn)動(dòng)是曲線運(yùn)動(dòng),則其分運(yùn)動(dòng)中至少有一個(gè)是曲線運(yùn)動(dòng)
C. 合運(yùn)動(dòng)的速度大小等于分運(yùn)動(dòng)的速度大小之和
D. 兩個(gè)直線運(yùn)動(dòng)的合運(yùn)動(dòng)一定是直線運(yùn)動(dòng)
【答案】A
【解析】
分運(yùn)動(dòng)和合運(yùn)動(dòng)具有等時(shí)性,選項(xiàng)A正確;平拋運(yùn)動(dòng)是曲線運(yùn)動(dòng),其豎直分運(yùn)動(dòng)和水平分運(yùn)動(dòng)都是直線運(yùn)動(dòng),故B錯(cuò)誤;合運(yùn)動(dòng)的速度大小等于分運(yùn)動(dòng)的速度的矢量和,選項(xiàng)C錯(cuò)誤;兩個(gè)直線運(yùn)動(dòng)的合運(yùn)動(dòng)不一定是直線運(yùn)動(dòng),例如平拋運(yùn)動(dòng),選項(xiàng)D錯(cuò)誤。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】在水平放置的兩塊金屬板上加上不同電壓,可以使從熾熱的燈絲釋放的電子以不同速度沿直線穿過板中心的小孔進(jìn)入寬度為的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度為,方向垂直紙面向里.若在、兩板間加上電壓時(shí),電子不能穿過磁場(chǎng)區(qū)域而打在板延長(zhǎng)線上的點(diǎn),如圖所示.已知電子的質(zhì)量為,電荷量為,并設(shè)電子離開板時(shí)的初速度為零.
()在、兩板間加上電壓時(shí),求電子穿過小孔時(shí)的速度大小.
()求點(diǎn)距小孔的距離.
()若改變、兩板間的電壓,使電子穿過磁場(chǎng)區(qū)域并從邊界上的點(diǎn)射出,且從點(diǎn)穿出時(shí)速度方向偏離原來的方向的角度為,則、兩板間電壓為多大.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,兩豎直且正對(duì)放置的導(dǎo)熱氣缸底部由細(xì)管道(體積忽略不計(jì))連通,兩活塞a、b用剛性輕桿相連,可在兩氣缸內(nèi)無摩擦地移動(dòng)。上下兩活塞(厚度不計(jì))的橫截面積分別為S1=10 cm2、S2=20 cm2,兩活塞總質(zhì)量為M=5 kg,兩氣缸高度均為H=10 cm。氣缸內(nèi)封閉有一定質(zhì)量的理想氣體,系統(tǒng)平衡時(shí)活塞a、b到氣缸底部距離均為l=5 cm(圖中未標(biāo)出)。已知大氣壓強(qiáng)為Po=1.0×105Pa,環(huán)境溫度為T0=300K,重力加速度g取10 m/s2。
(i)若緩慢升高環(huán)境溫度,使活塞緩慢移到一側(cè)氣缸的底部,求此時(shí)環(huán)境溫度;
(ii)若保持溫度不變,用豎直向下的力緩慢推活塞b,在活塞b由開始運(yùn)動(dòng)到氣缸底部過程中,求向下推力的最大值。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示為某物體運(yùn)動(dòng)的位移圖象,根據(jù)圖象求出:
(1)0~2 s內(nèi)、2~6 s內(nèi)、6~8 s內(nèi)物體各做什么運(yùn)動(dòng)?各段速度是什么?
(2)整個(gè)8 s內(nèi)的平均速度是多大?前6 s內(nèi)的平均速度是多大?
(3)4 s和7 s末的速度是多大?
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,滑塊A與小球B用一根不可伸長(zhǎng)的輕繩相連,且滑塊A套在水平直桿上,F(xiàn)用大小為10 N、與水平方向成30°角的力F拉B,使A、B一起向右勻速運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)過程中A、B保持相對(duì)靜止。已知A、B的質(zhì)量分別為2 kg、1 kg,重力加速度為10 m/s2,則( )
A. 輕繩與水平方向的夾角θ=60°
B. 輕繩與水平方向的夾角θ=30°
C. 滑塊A與水平直桿之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為
D. 滑塊A與水平直桿之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】下面幾種情況,不可能的是:( 。
A. 物體的位移與加速度方向相反;
B. 物體的速度與加速度方向相反;
C. 物體的速度恒定,而加速度在變化;
D. 物體的加速度恒定,而速度在變化。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】測(cè)量電源的內(nèi)阻,提供的器材如下:
A.待測(cè)電源E(內(nèi)阻約為10Ω)
B.電源E0(電動(dòng)勢(shì)E0略大于待測(cè)電源的電動(dòng)勢(shì)E)
C.靈敏電流計(jì)G(0-30μA)
D.電阻箱(0-99999.9Ω)
E.電阻箱(0-99.9Ω)
F.定值電阻R0
G.均勻金屬電阻絲及滑動(dòng)觸頭
H.開關(guān)、導(dǎo)線若干
(1)實(shí)驗(yàn)時(shí)采用上圖所示電路,閉合開關(guān)S1、S2,將滑動(dòng)觸頭P與金屬電阻絲試觸,根據(jù)靈敏電流計(jì)G指針偏轉(zhuǎn)方向調(diào)整P點(diǎn)位置,并_________(選填“增大”或“減小”)電阻箱R1的阻值,反復(fù)調(diào)節(jié),直到G表指針不發(fā)生偏轉(zhuǎn),此時(shí)金屬絲左端接線柱A與觸頭P間的電勢(shì)差UAP___________(選填“大于”、“小于”或“等于”)待測(cè)電源E的路端電壓;
(2)改變R2的阻值重復(fù)實(shí)驗(yàn),用(1)中的方法調(diào)節(jié)到G表不發(fā)生偏轉(zhuǎn),用刻度尺測(cè)量觸頭P到接線柱A間的距離,記下此時(shí)電阻箱R2的阻值,根據(jù)上述步驟測(cè)得的數(shù)據(jù),作出電阻箱R2的阻值R與對(duì)應(yīng)AP間距離L的關(guān)系圖象如右圖所示,測(cè)得圖線的斜率為k,圖線在縱軸上的截距為b,則待測(cè)電源E的內(nèi)阻測(cè)量值為___________;
(3)實(shí)驗(yàn)中,電阻箱R2應(yīng)選用_________(選填序號(hào)“D”或“E”);
(4)請(qǐng)寫出由金屬絲引起誤差的一個(gè)原因_________________________________________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】(1)實(shí)驗(yàn)室常用的電磁式打點(diǎn)計(jì)時(shí)器用的是低壓交流電源,打點(diǎn)頻率為50HZ.某次實(shí)驗(yàn)連續(xù)打了一系列點(diǎn)的紙帶如下圖,由此可以判斷,這段紙帶的運(yùn)動(dòng)屬于________(填“勻速”、“勻變速”)直線運(yùn)動(dòng),紙帶上AB段運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t =____s,AB段的平均速度______m/s(計(jì)算結(jié)果保留三位有效數(shù)字)
(2)利用圖1所示的裝置可測(cè)量滑塊在斜面上運(yùn)動(dòng)的加速度。一斜面上安裝有兩個(gè)光電門,其中光電門乙固定在斜面上靠近底端處,光電門甲的位置可移動(dòng),當(dāng)一帶有遮光片的滑塊自斜面上滑下時(shí),與兩個(gè)光電門都相連的計(jì)時(shí)器可以顯示出遮光片從光電門甲至乙所用的時(shí)間t。改變光電門甲的位置進(jìn)行多次測(cè)量,每次都使滑塊從同一點(diǎn)由靜止開始下滑,并用米尺測(cè)量甲、乙之間的距離s,記下相應(yīng)的t值;所得數(shù)據(jù)如下表所示。
s(m) | 0.500 | 0.600 | 0.700 | 0.800 | 0.900 | 0.950 |
t(ms) | 292.9 | 371.5 | 452.3 | 552.8 | 673.8 | 776.4 |
s/t(m/s) | 1.71 | 1.62 | 1.55 | 1.45 | 1.34 | 1.22 |
完成下列填空和作圖:
①已知滑塊沿斜面下滑時(shí)做勻加速運(yùn)動(dòng),滑塊加速度的大小a、滑塊經(jīng)過光電門乙時(shí)的瞬時(shí)速度v1、測(cè)量值s和t四個(gè)物理量之間所滿足的關(guān)系式是_________________;
②根據(jù)表中給出的數(shù)據(jù),在圖2給出的坐標(biāo)紙上畫出s/t-t圖線_____________;
③由所畫出的s/t-t圖線,得出滑塊加速度的大小 為a=_______m/s2(保留2位有效數(shù)字)。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】一帶負(fù)電的粒子在電場(chǎng)中做直線運(yùn)動(dòng)的v﹣t圖象如圖所示,t1、t2時(shí)刻分別經(jīng)過M、N兩點(diǎn),已知在運(yùn)動(dòng)過程中粒子僅受電場(chǎng)力作用,則下列判斷正確的是( )
A.在從M點(diǎn)到N點(diǎn)的過程中,電勢(shì)能逐漸增大
B.M點(diǎn)的電勢(shì)低于N點(diǎn)的電勢(shì)
C.該電場(chǎng)可能是由某負(fù)點(diǎn)電荷形成的
D.帶電粒子在M點(diǎn)所受電場(chǎng)力小于在N點(diǎn)所受電場(chǎng)力
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