分析 (1)研究導(dǎo)體棒在絕緣涂層上勻速運(yùn)動(dòng)過程,受力平衡,根據(jù)平衡條件即可求解動(dòng)摩擦因數(shù)μ.
(2)據(jù)題導(dǎo)體棒在滑上涂層之前已經(jīng)做勻速運(yùn)動(dòng),推導(dǎo)出安培力與速度的關(guān)系,再由平衡條件求解速度v.
(3)導(dǎo)體棒在滑上涂層滑動(dòng)時(shí)摩擦生熱為QT=μmgdcosθ,再根據(jù)能量守恒定律求解電阻產(chǎn)生的焦耳熱Q.
解答 解:(1)在絕緣涂層上,導(dǎo)體棒做勻速直線運(yùn)動(dòng),受力平衡,則有:
mgsinθ=μmgcosθ
解得:μ=tanθ
(2)導(dǎo)體棒在光滑導(dǎo)軌上滑動(dòng)時(shí):
感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為:E=BLv
感應(yīng)電流為:I=$\frac{E}{R}$
安培力為:F安=BIL
聯(lián)立得:F安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
受力平衡,有:F安=mgsinθ
解得:v=$\frac{mgRsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$
(3)導(dǎo)體棒在滑上涂層滑動(dòng)時(shí)摩擦生熱為:QT=μmgdcosθ
整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,根據(jù)能量守恒定律得:3mgdsinθ=Q+QT+$\frac{1}{2}m{v}^{2}$
解得:Q=2mgdsinθ-$\frac{{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}si{n}^{2}θ}{2{B}^{4}{L}^{4}}$.
答:(1)導(dǎo)體棒與涂層間的動(dòng)摩擦因素μ為tanθ;
(2)導(dǎo)體棒勻速運(yùn)的速度大小v為$\frac{mgRsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$;
(3)整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電阻產(chǎn)生的焦耳熱Q為2mgdsinθ-$\frac{{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}si{n}^{2}θ}{2{B}^{4}{L}^{4}}$.
點(diǎn)評(píng) 本題實(shí)質(zhì)是力學(xué)的共點(diǎn)力平衡與電磁感應(yīng)的綜合,都要求正確分析受力情況,運(yùn)用平衡條件列方程,關(guān)鍵要正確推導(dǎo)出安培力與速度的關(guān)系式,分析出能量是怎樣轉(zhuǎn)化的.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 氣球內(nèi)的氣體從外界吸收了熱量,內(nèi)能增加 | |
B. | 氣球內(nèi)的氣體溫度升高、體積不變、壓強(qiáng)減小 | |
C. | 氣球內(nèi)的氣體壓強(qiáng)增大,所以單位體積內(nèi)的分子增加,單位面積的碰撞頻率增加 | |
D. | 氣球內(nèi)的氣體雖然分子數(shù)不變,但分子對(duì)器壁單位時(shí)間、單位面積碰撞時(shí)的作用力減少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電壓表的示數(shù)為110V | |
B. | 原副線圈磁通量的變化率之比為2:1 | |
C. | 若將變阻器的滑片P向上滑動(dòng),則電流表示數(shù)變大,電壓表示數(shù)變小 | |
D. | 若將變阻器的滑片P向下滑動(dòng),則原線圈輸入功率減小 |
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