電場強(qiáng)度E的定義式為E＝ ，根據(jù)此式，下列說法中正確的是(　　)
① 上式說明電場中某點(diǎn)的場強(qiáng)E與F成正比，與q成反比，拿走q，則E＝0
② 式中q是放入電場中的點(diǎn)電荷的電量，F(xiàn)是該點(diǎn)=電荷在電場中某點(diǎn)受到的電場力，E是該點(diǎn)的電場強(qiáng)度
③ 式中q是產(chǎn)生電場的點(diǎn)電荷的電量，F(xiàn)是放在電場中的點(diǎn)電荷受到的電場力，E是電場強(qiáng)度
④ 在庫侖定律的表達(dá)式中，可以把看做是點(diǎn)電荷q2產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q1處的場強(qiáng)大小，也可以把看做是點(diǎn)電荷q1產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q2處的場強(qiáng)大小
A．只有①②B．只有①③C．只有②④D．只有③④
C

試題分析：電場強(qiáng)度的定義式為，E反映電場本身的性質(zhì)，與試探電荷無關(guān)，電場中某點(diǎn)電場強(qiáng)度一定，①錯(cuò)誤；上式中q是放入電場中的點(diǎn)電荷的電量，F(xiàn)是該點(diǎn)電荷在電場中某點(diǎn)受到的電場力，E是該點(diǎn)的電場強(qiáng)度②正確，③錯(cuò)誤，結(jié)合庫侖定律和電場強(qiáng)度的定義可知，可以把看做是點(diǎn)電荷q2產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q1處的場強(qiáng)大小，也可以把看做是點(diǎn)電荷q1產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q2處的場強(qiáng)大小，④正確，C正確。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖為正點(diǎn)電荷Q的電場，將負(fù)點(diǎn)電荷q沿直線從A移到B，則有
A．q所受的電場力增大，電勢能增大
B．q所受的電場力增大，電勢能減小
C．q所受的電場力減小，電勢能增大
D．q所受的電場力減小，電勢能減小

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

（18分）（1）如圖所示為一塊長為a，寬為b，厚為c的金屬霍爾元件放在直角坐標(biāo)系中，電流為I，方向沿x軸正方向，強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場沿y軸正方向，單位體積內(nèi)自由電子數(shù)為，自由電子的電量為e，與z軸垂直的兩個(gè)側(cè)面有穩(wěn)定的霍爾電壓。則          電勢高（填“上表面”或“下表面”），霍爾電壓=            。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

AB、CD為圓的兩條相互垂直的直徑，圓心為O. 將電荷量為q的正、負(fù)點(diǎn)電荷放在圓周上關(guān)于AB對(duì)稱且相距等于圓的半徑的位置，如圖所示，要使圓心處的電場強(qiáng)度為零，可在圓周上再放一個(gè)適當(dāng)電荷量的電荷Q，則該點(diǎn)電荷Q

A.應(yīng)放在C點(diǎn)，帶電荷量為－q
B.應(yīng)放在D點(diǎn)，帶電荷量為－q
C.應(yīng)放在A點(diǎn)，帶電荷量為2q
D.應(yīng)放在D點(diǎn)，帶電荷量為－2q

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

真空中有一正四面體ABCD，如圖MN分別是AB和CD的中點(diǎn)。現(xiàn)在A、B兩點(diǎn)分別固定電荷量為+Q、-Q的點(diǎn)電荷，下列說法中正確的是（  ）

A．將試探電荷+q從C點(diǎn)移到D點(diǎn)，電場力做正功，試探電荷+q的電勢能降低
B．將試探電荷-q從M點(diǎn)移到N點(diǎn)，電場力不做功，試探電荷-q的電勢能不變
C．C、D 兩點(diǎn)的電場強(qiáng)度相等
D．N點(diǎn)的電場強(qiáng)度方向平行AB且跟CD垂直

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

在電場線如圖所示的電場中有M、N兩點(diǎn)，一個(gè)帶電離子（不計(jì)重力）僅在電場力作用下由靜止開始從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)，則
A．M點(diǎn)處的電場強(qiáng)度比N點(diǎn)處的電場強(qiáng)度大
B．該離子在M點(diǎn)的電勢能大于在N點(diǎn)的電勢能
C．M點(diǎn)處的電勢比N點(diǎn)處的電勢低
D．該離子在N點(diǎn)的速度可能為零

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，分別在M、N兩點(diǎn)固定放置兩個(gè)點(diǎn)電荷+Q和－q (Q>q) ，以MN連線的中點(diǎn)O為圓心的圓周上有A、B、C、D四點(diǎn)。下列說法中正確的是

A．A點(diǎn)場強(qiáng)大于B點(diǎn)場強(qiáng)
B．C點(diǎn)場強(qiáng)與D點(diǎn)場強(qiáng)相同
C．A點(diǎn)電勢小于B點(diǎn)電勢
D．將某正電荷從C點(diǎn)移到O點(diǎn)，電場力做負(fù)功

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是
A．電勢公式只適用于點(diǎn)電荷產(chǎn)生電場
B．電場中某一點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小與放入電場中的檢驗(yàn)電荷的電量多少有關(guān)
C．電容公式只適用于平行板電容器
D．點(diǎn)電荷是一種理想化的物理模型

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，兩等量異種電荷分別位于A、B兩點(diǎn)，其中A處電荷為正電荷，過O點(diǎn)做AB連線的垂線，已知AO>BO，M、N是垂線上的兩點(diǎn)，則下列說法中正確的是：

A．M點(diǎn)場強(qiáng)大于N點(diǎn)場強(qiáng)
B．M點(diǎn)電勢低于N點(diǎn)電勢
C．一個(gè)負(fù)的試探電荷在M點(diǎn)電勢能大于在N點(diǎn)電勢能
D．一個(gè)正的試探電荷在M點(diǎn)電勢能大于在N點(diǎn)電勢能

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