【題目】如圖所示,某同學用插針法測量楔形玻璃磚的折射率。請完善該同學的實驗步驟。
A.用圖釘把白紙固定在木板上;
B.在白紙上畫一條直線aa′,取aa′上的點O作為入射點;
C.畫出線段MO,在MO上插上P1、P2兩根大頭針;
D.把玻璃磚放在白紙上,使玻璃磚的界面AB與直線aa′對齊,畫出玻璃磚另一界面AC;
E.在玻璃磚AC側透過玻璃磚觀察,調整視線方向,使P2的像擋住P1的像。插上大頭針P3,使P3擋住________的像,插上大頭針P4,使P4擋住P3和________的像;
F.移去玻璃磚,拔掉大頭針,作圖找出以O點為入射點的一組入射角i和折射角r;
G.用________測量________的值,代入公式n=________,求得玻璃磚的折射率。
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【題目】如圖所示,質量為M的絕熱活塞把一定質量的理想氣體密封在豎直放置的絕熱汽缸內,活塞可在汽缸內無摩擦滑動.現通過電熱絲對理想氣體十分緩慢地加熱,設汽缸處在大氣中,大氣壓強恒定。經過一段較長時間后,下列說法正確的是( )
A.汽缸中氣體的壓強比加熱前要大B.汽缸中氣體的壓強保持不變
C.汽缸中氣體的體積比加熱前要大D.活塞在單位時間內受汽缸中分子撞擊的次數比加熱前要少
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【題目】某物理興趣小組想測量一電源的電動勢和內阻(電動勢約為 1.5V,內阻約為 10Ω),身邊沒有電流表,僅有電壓表、定值電阻R0=150Ω、電阻箱R(0~999.9Ω)、開關及導線。
(1)小張同學設計了如圖甲所示的電路圖,小明同學設計了如圖乙所示的電路圖,小王設計了如圖丙所示的電路圖。通過分析可判斷出 ________同學設計的電路圖不合適,理由是__________________;
(2)小張同學通過實驗數據描出圖象的一些點如圖丁所示。請根據所描出的點作出一條直線,
(____)
通過圖象求得電源的電動勢 E=_________V,內阻 R=______Ω;(結果保留三位有效數字)
(3)根據(2)所得電動勢E的測量值_______真實值,電源內阻的測量值__________真實值。(填“大于”“等于” 或“小于”)
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【題目】如圖,一熱敏電阻RT放在控溫容器M內;A為毫安表,量程6mA,內阻為數十歐姆;E為直流電源,電動勢約為3V,內阻很;R為電阻箱,最大阻值為999.9 Ω;S為開關。已知RT在95℃時的阻值為150 Ω,在20℃時的阻值約為550 Ω,F要求在降溫過程中測量在 之間的多個溫度下RT的阻值。
(1)在圖中畫出連線,完成實驗原理電路圖 ________________。
(2)完成下列實驗步驟中的填空:
①依照實驗原理電路圖連線;
②調節(jié)控溫容器M內的溫度,使得RT的溫度為95 ℃;
③將電阻箱調到適當的初值,以保證儀器安全;
④閉合開關,調節(jié)電阻箱,記錄電流表示數I0,并記錄____________;
⑤將RT的溫度降為T1 (20 ℃<T1<95 ℃),調節(jié)電阻箱,使得電流表的讀數__________,記錄_______________;
⑥溫度為T1時熱敏電阻的電阻值RT1=________________;
⑦逐步降低T1的數值,直至20℃為止;在每一溫度下重復步驟⑤、⑥。
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【題目】如圖所示一半徑為R、由透明介質制成的球體,左側有一沿豎直方向且與球體相切的墻面,圖中過圓心的水平線段為球體的直徑,在該直徑的最右側S點沿不同的方向發(fā)射出兩束光,其中射到A點的光經折射后垂直于墻面到達M點,而射到B點的光恰好在球體的表面發(fā)生全反射,∠OSA=30°.求:
(ⅰ)該透明介質的折射率;
(ⅱ)S點發(fā)出的光在傳播過程中,經過SA與AM所用的時間的比值;
(ⅲ)B點到SO的距離.
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【題目】關于位移、速度和加速度的關系,下列說法正確的是
A. 位移越大,速度越大
B. 速度越大,加速度越大
C. 位移變化越快,加速度越大
D. 速度變化越快,加速度越大
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【題目】如圖所示為演示交變電流產生的裝置圖,關于這個實驗,正確的說法是 ( )
A.線圈每轉動一周,指針左右擺動兩次
B.圖示位置為中性面,線圈中無感應電流
C.圖示位置ab邊的感應電流方向為a→b
D.線圈平面與磁場方向平行時,磁通量變化率為零
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【題目】如圖所示,用長L=0.50m的絕緣輕質細線,把一個質量m=1.0g帶電小球懸掛在均勻帶等量異種電荷的平行金屬板之間,平行金屬板間的距離d=5.0cm,兩板間電壓U=1.0×103V。靜止時,絕緣細線偏離豎直方向θ角,小球偏離豎直線的距離a=1.0cm。取g=10m/s2。則下列說法正確的是( 。
A.兩板間電場強度的大小為2.0×104V/m
B.小球帶的電荷量為1.0×10-7C
C.若細線突然被剪斷,小球在板間將做勻加速直線運動
D.若細線突然被剪斷,小球在板間將做類平拋運動
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【題目】如圖所示是一多匝線圈在勻強磁場中繞垂直于磁場的軸勻速轉動所產生的感應電動勢的圖象,根據圖象可知
A. 此感應電動勢的瞬時表達式為e=200sin(0.02t)V
B. 此感應電動勢的解時表達式為e=200sin(5Oπt)V
C. t=0.01s時,穿過線圈的磁通量為零
D. t=0.02s時,穿過線圈的磁通量的變化率為零
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