Question

一塊N型半導體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e，將此元件放在勻強磁場中，磁場方向沿z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC^/兩個側面中，哪個面電勢高？
(2)試證明在磁感應強度一定時，此元件的CC^/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比；
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為：將導體放在勻強磁場之中，用毫安表測量通以電流I，用毫伏表測量C、C^/間的電壓U， 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù)，并測得U =0.6mV，I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。

Answer 1

⑴電勢較高，（2）由I=nebdv和得，所以側面的電勢差與其中的電流成正比，（3）0.02T

試題分析：⑴電子在洛倫茲力作用下向側面C移動，故電勢較高           
（2）假設定向移動速度為v，
由，q="nebdvt" 可得 I=nebdv                 
穩(wěn)定時有：                            
可得·                                            
由于B、n、e、d均為定值 ，所以側面的電勢差與其中的電流成正比  
（3）由上可知                               
代入數(shù)據(jù)可得：B=0.02T                                
點評：本題中左手定則判定電子的偏轉方向，找到電勢高的面，隨著電荷的積累，兩面間電壓增大，最終穩(wěn)定后電子在洛倫茲力和電場力的作用下處于平衡，根據(jù)平衡，結合電流的微觀表達式，可得出兩個側面的電勢差與其中的電流的關系．