Question

8．如圖所示，在一二象限-R≤x≤R范圍內(nèi)有豎直向下的勻強電場，場強大小為E，電場的上邊界方程為y=$\frac{1}{2R}$x²．在三四象限內(nèi)存在垂直于紙面向里、邊界方程為x²+y²=R²的勻強磁場．現(xiàn)在第二象限中電場的上邊界分布有許多質(zhì)量為m，電量為q的正離子，在y=$\frac{1}{2}$R處有一熒光屏，當(dāng)正離子達到熒光屏?xí)r會發(fā)光，不計重力和離子間相互作用力．
 （1）求橫坐標(biāo)為x=-$\frac{R}{2}$處的離子由靜止釋放后進入磁場時的速度大小；
（2）若僅讓橫坐標(biāo)為x=-$\frac{R}{3}$處的離子由靜止釋故，它最后能經(jīng)過（R，0），討論從釋放到經(jīng)過點（R，0）所需時間t；
（3）若同時將所有離子由靜止釋放，釋放后一段時間發(fā)現(xiàn)熒光屏上只有一點持續(xù)發(fā)出熒光，求該點坐標(biāo)和磁感應(yīng)強度B₁．

Answer 1

分析 （1）根據(jù)動能定理求出粒子經(jīng)電場加速度后獲得的速度，即進入磁場時速度．
（2）根據(jù)動能定理求出x=-$\frac{R}{3}$處的離子釋放后獲得的速度，然后運動學(xué)公式和牛頓第二定律求出從釋放到經(jīng)過點（R，0）所需時間t．
（3）所有離子都經(jīng)過的點為持續(xù)發(fā)出熒光的點，由幾何知識確定半徑，由牛頓第二定律求磁感應(yīng)強度．

解答 解：（1）當(dāng)x=$-\frac{R}{2}$，y=$\frac{1}{2R}{x}^{2}$=$\frac{R}{8}$，
根據(jù)動能定理得，$qE\frac{R}{8}=\frac{1}{2}m{v}^{2}$，解得v=$\sqrt{\frac{qER}{4m}}$．
（2）當(dāng)x=$-\frac{R}{3}$，y=$\frac{1}{2R}{x}^{2}=\frac{R}{18}$，
根據(jù)動能定理得，$qE\frac{R}{18}=\frac{1}{2}m{v}^{2}$，解得v=$\frac{1}{3}\sqrt{\frac{qER}{m}}$，
從釋放到到達x軸時間為：t₁=$\frac{v}{a}=\frac{\frac{1}{3}\sqrt{\frac{qER}{m}}}{\frac{qE}{m}}=\frac{1}{3}\sqrt{\frac{mR}{qE}}$．
a）第一種情況：離子直接從x=-$\frac{R}{3}$經(jīng)磁場達x=R 處．
在磁場中經(jīng)歷半圓時間為：t₂=$\frac{s}{v}$=$\frac{\frac{π}{2}（R+\frac{R}{3}）}{v}$=$2π\(zhòng)sqrt{\frac{mR}{qE}}$，
總時間為：T₁=t₁+t₂=（2π+$\frac{1}{3}$）$\sqrt{\frac{mR}{qE}}$，
b）第二種情況：離子直接從x=$-\frac{R}{3}$經(jīng)磁場達x=$\frac{R}{3}$處進入電場返回磁場再到x=R處
易得在磁場中時間仍然為：t₂=$2π\(zhòng)sqrt{\frac{mR}{qE}}$
在電場中時間為：3t₁=$\sqrt{\frac{mR}{qE}}$，
總時間為：T₂=3t₁+t₂=（2π+1）$\sqrt{\frac{mR}{qE}}$，
（3）在磁場B中有：qvB=$m\frac{{v}^{2}}{r}$，
所以運動半徑為：r=$\frac{mv}{qB}$=$\frac{1}{B}\sqrt{\frac{mE}{qR}}|\begin{array}{l}{x}&{\;}\\{\;}&{\;}\end{array}|$，
可以看出，B一定時，必有r∝|x|，當(dāng)|x|→0時，r→0 （離子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)從逼近原點出磁場）因此，所有離子都從原點（0，0）點出磁場，擊中熒光屏上（0，$\frac{1}{2}R$），
則有：2r=x
因為qvB₁=m$\frac{{v}^{2}}{r}$
所以有：B₁=$\frac{mv}{qr}$=$2\sqrt{\frac{mE}{qR}}$．
答：（1）橫坐標(biāo)為x=-$\frac{R}{2}$處的離子由靜止釋放后進入磁場時的速度大小為$\sqrt{\frac{qER}{4m}}$．
（2）從釋放到經(jīng)過點（R，0）所需時間為（2π+$\frac{1}{3}$）$\sqrt{\frac{mR}{qE}}$或（2π+1）$\sqrt{\frac{mR}{qE}}$．
（3）該點坐標(biāo)和磁感應(yīng)強度為$2\sqrt{\frac{mE}{qR}}$．

點評 本題中電場的區(qū)域邊界是數(shù)學(xué)解析式的表達方式，設(shè)計新穎，學(xué)習(xí)中應(yīng)該注意數(shù)學(xué)思想在物理中的應(yīng)用．