解答:解:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電子在電場(chǎng)Ⅰ中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域Ⅰ的速度為v
0,接著在無(wú)電場(chǎng)區(qū)域勻速運(yùn)動(dòng),此后進(jìn)入電場(chǎng)Ⅱ,在電場(chǎng)Ⅱ中做類平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從NP邊射出,出射點(diǎn)坐標(biāo)為y
1,由
y=對(duì)于B點(diǎn),y=L,則
x=由動(dòng)能定理得
eE=m 解得
v0=設(shè)在電場(chǎng)Ⅱ中運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t
1,則有
t1=電子在y方向的位移:
L-y1=a=()2 解得 y
1=0
所以原假設(shè)成立,即電子離開(kāi)MNPQ區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,0)
(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ中的坐標(biāo)為(x,y).在電場(chǎng)Ⅰ中電子被加速,速度為v
1時(shí)飛離電場(chǎng)Ⅰ,接著在無(wú)電場(chǎng)區(qū)域做勻速運(yùn)動(dòng),然后進(jìn)入電場(chǎng)Ⅱ做類平拋運(yùn)動(dòng),并從NP邊離開(kāi),運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t
2,偏轉(zhuǎn)位移為y
2,則有
eEx=my2=a=()2解得:
y2=所以偏轉(zhuǎn)位移為y
2=y,電子將從P點(diǎn)射出.
所以原假設(shè)成立,即在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開(kāi)MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開(kāi)
(3)由以上的分析可知,電子在兩個(gè)電場(chǎng)中被加速,w=eEx+eEy
則從B到P由動(dòng)能定理得 eE(x+y)=E
k-0
又
y=所以只有x=y點(diǎn)釋放的電子,離開(kāi)P點(diǎn)時(shí)動(dòng)能最小 所以x+y=L 即 E
Kmin=eEL
答:(1)從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的坐標(biāo)為(-2L,0);
(2)證明略;
(3)由電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開(kāi)P點(diǎn)的最小動(dòng)能eEL.