A. | 電子所受的電場力增大,電子克服電場力做功 | |
B. | 電子所受的電場力減小,電場力對電子做正功 | |
C. | 電子所受的電場力增大,電勢能減小 | |
D. | 電子所受的電場力增大,電勢能增大 |
分析 電場力F=qE,大小與場強E成正比,E由電場線的疏密判斷;電子帶負(fù)電,所受的電場力與場強方向相反,判斷出電場力做功正負(fù),即可分析電勢能的變化.
解答 解:A、B由圖看出,B處電場力密,場強E較大,電場力F=qE,則電子在B受到的電場力較大.而電場力方向與電場線方向相反,所以從A運動到B,電場力對電子做正功,故AB均錯誤.
C、D電子從A點移到B點時,電場力增大,而電場力做正功,其電勢能減小,故C正確,D錯誤.
故選:C
點評 根據(jù)電場線的物理意義:疏密表示場強的大小,及電子的電場力與電場線相反,判斷電場力做功正負(fù),都是應(yīng)具備的基本能力.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 通過abcd平面的磁通量大小為L2•B | |
B. | 通過dcfe平面的磁通量大小為$\frac{\sqrt{2}}{2}$L2•B | |
C. | 通過abfe平面的磁通量大小為L2•B | |
D. | 通過整個三棱柱的磁通量為$\frac{\sqrt{2}}{2}$L2•B |
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A. | 極限頻率越大的金屬材料逸出功越大 | |
B. | 只要光照射的時間足夠長,任何金屬都能產(chǎn)生光電效應(yīng) | |
C. | 從金屬表面出來的光電子的最大初動能越大,這種金屬的逸出功越小 | |
D. | 入射光的光強一定時,頻率越高,單位時間內(nèi)逸出的光電子數(shù)就越多 |
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A. | 2m/s,a正、b負(fù) | B. | 4m/s,a正、b負(fù) | C. | 2m/s,a負(fù)、b正 | D. | 4m/s,a負(fù)、b正 |
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A. | $\frac{1}{2π}$ $\sqrt{\frac{g}{h}}$ | B. | π$\sqrt{gh}$ | C. | $\frac{1}{2π}$ $\sqrt{\frac{g}{l}}$ | D. | 2π $\sqrt{\frac{l}{g}}$ |
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A. | U2變小,I3變小 | B. | I1變小,I2變大 | C. | U2不變,I3變大 | D. | I1變大,I2變大 |
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