【題目】如圖所示,在真空云室中的矩形ABCD區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),靜止放置在O點(diǎn)的鈾238原子核發(fā)生衰變,放出射線后變成某種新的原子核,兩段曲線是反沖核(新核)和射線的徑跡,曲線OP為圓弧,x軸過(guò)O點(diǎn)且平行于AB邊。下列說(shuō)法正確的是( )
A.鈾238原子核發(fā)生的是β衰變,放出的射線是高速電子流
B.曲線OP是射線的徑跡,曲線OQ是反沖核的徑跡
C.改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,反沖核和射線圓周運(yùn)動(dòng)的半徑關(guān)系隨之改變
D.曲線OQ是α射線的徑跡,其圓心在x軸上,半徑是曲線OP半徑的45倍
【答案】D
【解析】
AD.衰變過(guò)程中動(dòng)量守恒,因初動(dòng)量為零,故衰變后兩粒子動(dòng)量大小相等,方向相反,由圖像可知,原子核發(fā)生的是α衰變,粒子做圓周運(yùn)動(dòng)向心力等于洛倫茲力
得
由于反沖核的電荷量比α射線大,則半徑更小,即曲線OQ是射線的徑跡,曲線OP是反沖核的徑跡,由于曲線OP為圓弧,則其圓心在x軸上,射線初速度與x軸重直,新核初速度與x軸垂直,所以新核做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心在x軸上
由質(zhì)量數(shù)守恒和電荷數(shù)守恒可知反沖核的電荷量是α粒子的45倍,由半徑公式可知,軌道半徑之比等于電荷量的反比,則曲線OQ半徑是曲線OP半徑的45倍,故A錯(cuò)誤,D正確。
BC.由動(dòng)量守恒可知
粒子做圓周運(yùn)動(dòng)向心力等于洛倫茲力
得
由于反沖核的電荷量比α射線大,則半徑更小,即曲線OQ是射線的徑跡,曲線OP是反沖核的徑跡,反沖核的半徑與射線的半徑之比等于電荷量的反比,由于電荷量之比不變,則改變磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,反沖核和射線圓周運(yùn)動(dòng)的半徑關(guān)系不變,故BC錯(cuò)誤。
故選D。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】某同學(xué)通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)定一捆長(zhǎng)度約為100m的銅導(dǎo)線(電阻約為1.5Ω)的實(shí)際長(zhǎng)度,首先利用螺旋測(cè)微器測(cè)量其直徑,如圖1所示,再利用下列器材測(cè)出銅導(dǎo)線的電阻。
可供使用的器材有
電流表:量程0.6A,內(nèi)阻約0.2Ω;
電壓表:量程3V,內(nèi)阻約9kΩ;
滑動(dòng)變阻器R1:最大阻值10Ω;
滑動(dòng)變阻器R2:最大阻值200Ω;
定值電阻:R0=3Ω
電源:電動(dòng)勢(shì)6V,內(nèi)阻可不計(jì);
開(kāi)關(guān)、導(dǎo)線若干
要求實(shí)驗(yàn)中盡可能準(zhǔn)確地測(cè)量銅導(dǎo)線的阻值,回答下列問(wèn)題:
(1)由圖1可知,銅導(dǎo)線的直徑D=_____________mm。
(2)實(shí)驗(yàn)中滑動(dòng)變阻器應(yīng)選________(選填“R1”或“R2”)。
(3)在圖2方框內(nèi)畫(huà)出測(cè)量銅導(dǎo)線阻值的電路圖_______(銅導(dǎo)線用電阻元件符號(hào)表示)。
(4)調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器,電壓表的示數(shù)為U,電流表的示數(shù)為I,銅的電阻率為ρ,不考慮電表內(nèi)阻對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響,則導(dǎo)線的長(zhǎng)度為_____________(用已知和所測(cè)量的字母表示)。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】場(chǎng)是物質(zhì)存在的一種形式。我們可以通過(guò)物體在場(chǎng)中的受力情況來(lái)研究場(chǎng)的強(qiáng)弱等特點(diǎn)。將電流元IL垂直于磁場(chǎng)方向放入磁場(chǎng)中某處時(shí),電流元所受到的磁場(chǎng)力F與電流元之比叫做該點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度,即:
(1)請(qǐng)根據(jù)磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義特點(diǎn)寫(xiě)出電場(chǎng)強(qiáng)度的定義,并說(shuō)明各物理量的含義;
(2)請(qǐng)根據(jù)磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義特點(diǎn)寫(xiě)出重力場(chǎng)強(qiáng)度的定義,并說(shuō)明各物理量的含義。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖甲所示,一匝數(shù)N=10匝、總電阻R=7.5Ω、ad長(zhǎng)L1=0.4m、ab寬L2=0.2m的勻質(zhì)矩形金屬線框靜止在粗糙水平面上,線框的bc邊正好過(guò)半徑r=0.1m的圓形磁場(chǎng)的直徑,線框的左半部分處于垂直線框平面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域內(nèi),磁感應(yīng)強(qiáng)度B0=1T,圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直線框平面向下,大小隨時(shí)間變化規(guī)律如圖乙所示,已知線框與水平面間的最大靜摩擦力f=1.2N,π≈3,則
A. t=0時(shí)刻穿過(guò)線框的磁通量大小為0.01Wb
B. 線框靜止時(shí),線框中的感應(yīng)電流為0.2A
C. 線框靜止時(shí),ad邊所受安培力水平向左,大小為0.8N
D. 經(jīng)時(shí)間t=2s,線框開(kāi)始滑動(dòng)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】用圖示裝置可以檢測(cè)霍爾效應(yīng)。利用電磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng),電流表檢測(cè)輸入霍爾元件的電流,電壓表檢測(cè)元件輸出的電壓。已知圖中的霍爾元件是半導(dǎo)體,與金屬導(dǎo)體不同,它內(nèi)部形成電流的“載流子”是空穴,空穴可視為能自由移動(dòng)的帶正電的粒子。圖中的1、2、3、4是霍爾元件上的四個(gè)接線端。當(dāng)開(kāi)關(guān)S1、S2閉合后,電流表A和電流表B、C都有明顯示數(shù),下列說(shuō)法中正確的是
A. 電表B為電壓表,電表C為電流表
B. 接線端4的電勢(shì)低于接線端2的電勢(shì)
C. 若調(diào)整電路,使通過(guò)電磁鐵和霍爾元件的電流與原電流方向相反,但大小不變,則電壓表的示數(shù)將保持不變
D. 若增大R1、增大R2,則電壓表示數(shù)增大
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A經(jīng)狀態(tài)B變化到狀態(tài)C的P-V圖象如圖所示。若已知在A狀態(tài)時(shí),理想氣體的溫度為320K,則下列說(shuō)法正確的是_______(已知)
A. 氣體在B狀態(tài)時(shí)的溫度為720K
B. 氣體分子在狀態(tài)A分子平均動(dòng)能大于狀態(tài)C理想氣體分子平均動(dòng)能
C. 氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過(guò)程中氣體對(duì)外做功
D. 氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過(guò)程中氣體溫度先降低后升高
E. 氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過(guò)程中氣體吸收熱量為900 J
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,三段長(zhǎng)度相等的直導(dǎo)線a、b、c相互平行處在同一豎直面內(nèi),a、b間的距離等于b、c間的距離,通電電流Ia<Ib<Ic,方向如圖所示,則下列判斷正確的是( )
A.導(dǎo)線b受到的安培力可能為0
B.導(dǎo)線a受到的安培力可能為0
C.導(dǎo)線c受到的安培力的方向一定向左
D.導(dǎo)線a、b受到的安培力的方向一定相同
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示為氫原子的能級(jí)圖,用某種頻率的光照射大量處于基態(tài)的氫原子,結(jié)果受到激發(fā)后的氫原子能輻射出六種不同頻率的光子。讓輻射出的光子照射某種金屬,所有光線中,有三種不同波長(zhǎng)的光可以使該金屬發(fā)生光電效應(yīng),則下列有關(guān)說(shuō)法中正確的是( 。
A.受到激發(fā)后的氫原子處于n=6能級(jí)上
B.該金屬的逸出功小于10.2eV
C.該金屬的逸出功大于12.75eV
D.光電子的最大初動(dòng)能一定大于2.55eV
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】已知天然材料的折射率都為正值(n>0)。近年來(lái),人們針對(duì)電磁波某些頻段設(shè)計(jì)的人工材料,可以使折射率為負(fù)值(n<0),稱(chēng)為負(fù)折射率介質(zhì)。電磁波從正折射率介質(zhì)入射到負(fù)折射介質(zhì)時(shí),符合折射定律,但折射角為負(fù),即折射線與入射線位于界面法線同側(cè),如圖1所示。點(diǎn)波源S發(fā)出的電磁波經(jīng)一負(fù)折射率平板介質(zhì)后,在另一側(cè)成實(shí)像。如圖2所示,其中直線SO垂直于介質(zhì)平板,則圖中畫(huà)出的4條折射線(標(biāo)號(hào)為1、2、3、4)之中,正確的是( 。
A.1B.2
C.3D.4
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