A. | 0~t1時間內(nèi),物塊對傳送帶做正功 | |
B. | 物塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)μ小于tanθ | |
C. | 0~t2時間內(nèi),合力對物塊做功為$\frac{1}{2}$mv22-$\frac{1}{2}$mv12 | |
D. | 0~t1時間內(nèi),系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量一定比物塊動能的減少量大 |
分析 由圖看出,物塊先向下運(yùn)動后向上運(yùn)動,則知傳送帶的運(yùn)動方向應(yīng)向上.0~t1內(nèi),物塊對傳送帶的摩擦力方向沿傳送帶向下,可知物塊對傳送帶做功情況.由于物塊能向上運(yùn)動,則有 μmgcosθ>mgsinθ.根據(jù)動能定理研究0~t2內(nèi),傳送帶對物塊做功.根據(jù)能量守恒判斷可知,物塊的重力勢能減小、動能也減小都轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)產(chǎn)生的內(nèi)能,則系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量大小一定大于物塊動能的變化量大。
解答 解:A、由圖知,物塊先向下運(yùn)動后向上運(yùn)動,則知傳送帶的運(yùn)動方向應(yīng)向上.0~t1內(nèi),物塊對傳送帶的摩擦力方向沿傳送帶向下,則物塊對傳送帶做負(fù)功.故A錯誤.
B、在t1~t2內(nèi),物塊向上運(yùn)動,則有 μmgcosθ>mgsinθ,得μ>tanθ.故B錯誤.
C、0~t2內(nèi),由圖“面積”等于位移可知,物塊的總位移沿斜面向下,高度下降,重力對物塊做正功,設(shè)為WG,根據(jù)動能定理得:W+WG=$\frac{1}{2}$mv22-$\frac{1}{2}$mv12,則合力對物塊做功為$\frac{1}{2}$mv22-$\frac{1}{2}$mv12;故C正確;
D、0~t1內(nèi),物塊的速度為負(fù)方向,沿著斜面向下運(yùn)動,動能和重力勢能減小,系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量等于物塊機(jī)械能的減少量,大于物塊動能的減少量.故D正確.
故選:CD.
點(diǎn)評 本題由速度圖象要能分析物塊的運(yùn)動情況,再判斷其受力情況,得到動摩擦因數(shù)的范圍,根據(jù)動能定理求解功是常用的方法.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 不同原子的發(fā)光頻率是不一樣的,每種原子都有自己的特征譜線 | |
B. | 原子的特征譜線可能是由于原子從高能態(tài)向低能態(tài)躍遷時放出光子而形成的 | |
C. | 可以用特征譜線進(jìn)行光譜分析來鑒別物質(zhì)和確定物質(zhì)的組成成分 | |
D. | 原子的特征譜線是原子具有核式結(jié)構(gòu)的有力證據(jù) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)S1接a,S2接d時,電流為2I | B. | 當(dāng)S1接a,S2接d時,電流為$\frac{I}{2}$ | ||
C. | 當(dāng)S1接b,S2接c時,電流為4I | D. | 當(dāng)S1接b,S2接d時,電流為$\frac{I}{2}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電阻R1兩端的電壓為50V | B. | 二極管的反向耐壓值應(yīng)大于50$\sqrt{2}$V | ||
C. | 原線圈的輸入功率為200W | D. | 通過R2的電流為$\sqrt{2}$A |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 最終兩導(dǎo)體棒都做勻速直線運(yùn)動 | |
B. | 最終兩導(dǎo)體棒都做勻加速直線運(yùn)動 | |
C. | 導(dǎo)體棒MN上的電流一直增大 | |
D. | 導(dǎo)體棒PQ上的電流先不斷增大后保持不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 核反應(yīng)堆內(nèi)發(fā)生的是輕核聚變反應(yīng) | |
B. | 核反應(yīng)堆內(nèi)發(fā)生的是重核裂變反應(yīng) | |
C. | 放射性同位素的半衰期由原子核內(nèi)部因素決定,與外部條件及其變化無關(guān) | |
D. | 放射性同位素的半衰期既與原子核內(nèi)部因素有關(guān),也與外部條件有關(guān) | |
E. | 核反應(yīng)過程中釋放的γ射線是波長很短的電磁波,它具有很強(qiáng)的穿透本領(lǐng) |
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