分析 (1)粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中在加速運(yùn)動(dòng),電場(chǎng)力做功等于粒子動(dòng)能的增加,根據(jù)動(dòng)能定理和公式U=Ed求解場(chǎng)強(qiáng)E的大;
(2)粒子在磁場(chǎng)中由洛倫茲力提供向心力,列式可求出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑,再根據(jù)題意,正確畫出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡,根據(jù)幾何關(guān)系寫出粒子的半徑與磁場(chǎng)的半徑的關(guān)系,從而求出圓筒的半徑R.
(3)至從S孔射入電場(chǎng)期間與圓筒碰撞5次,根據(jù)幾何關(guān)系可知,5碰撞點(diǎn)和S將圓筒6等分,求出半徑,進(jìn)而求出進(jìn)而磁場(chǎng)時(shí)的速度,粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為一個(gè)周期,根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)基本公式求出在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間即可求解.
解答 解:(1)設(shè)兩板間的電壓為U,由動(dòng)能定理得:qU=$\frac{1}{2}$mv2-0…①
由勻強(qiáng)電場(chǎng)中電勢(shì)差與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系得:U=Ed…②
聯(lián)立上式可得:E=$\frac{m{v}^{2}}{2qd}$…③
(2)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后又從S點(diǎn)射出,根據(jù)幾何關(guān)系可知,兩碰撞點(diǎn)和S將圓筒三等分.
設(shè)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為r,由洛倫茲力提供向心力,得:
$Bqv=m\frac{{v}^{2}}{r}$
根據(jù)幾何關(guān)系r=$\sqrt{3}R$
聯(lián)立上式,解得:R=$\frac{\sqrt{3}mv}{3qB}$
(3)至從S孔射入電場(chǎng)期間與圓筒碰撞5次,根據(jù)幾何關(guān)系可知,5碰撞點(diǎn)和S將圓筒6等分,則有圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r′=R,
根據(jù)$Bqv′=m\frac{{v′}^{2}}{r′}$
解得:$v′=\frac{BqR}{m}$
粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為一個(gè)周期t${\;}_{1}=T=\frac{2πm}{Bq}$,
粒子在電場(chǎng)中加速的時(shí)間${t}_{2}=\fracis226w6{\frac{v′}{2}}=\frac{2dm}{BqR}$,
所以粒子由P處射出至返回P處的時(shí)間t=${t}_{1}+2{t}_{2}=\frac{2πm}{Bq}+\frac{4dm}{BqR}$=$\frac{2πm}{Bq}+\frac{4\sqrt{3}d}{v}$.
答:(1)M、N間電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小為$\frac{m{v}^{2}}{2qd}$;
(2)圓筒的半徑R為$\frac{\sqrt{3}mv}{3qB}$;
(3)粒子由P處射出至返回P處的時(shí)間t為$\frac{2πm}{Bq}+\frac{4\sqrt{3}d}{v}$.
點(diǎn)評(píng) 解決該題的關(guān)鍵是根據(jù)題目的要求,正確畫出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡,并根據(jù)幾何關(guān)系寫出粒子的半徑與磁場(chǎng)的半徑的關(guān)系.該題對(duì)空間思維的能力要求比較高.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | E=2πkσ($\frac{{R}_{1}}{\sqrt{{x}^{2}+{{R}_{1}}^{2}}}$-$\frac{{R}_{2}}{\sqrt{{x}^{2}+{{R}_{2}}^{2}}}$)x | B. | E=2πkσ($\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$‐$\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{2}^{2}}}$)x | ||
C. | E=2πkσ($\frac{{R}_{1}}{\sqrt{{x}^{2}+{{{R}_{1}}^{2}}^{\;}}}$+$\frac{{R}_{2}}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{2}^{2}}}$) | D. | E=2πkσ($\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{1}^{2}}}$+$\frac{1}{\sqrt{{x}^{2}+{R}_{2}^{2}}}$)x |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在a點(diǎn)在于容易飛離地面 | B. | 在b點(diǎn)在于容易飛離地面 | ||
C. | 在c點(diǎn)最容易爆胎 | D. | 在d點(diǎn)最容易爆胎 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
試驗(yàn)次數(shù) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
I(A) | 0.40 | 0.80 | 1.00 | 1.60 | 2.00 |
U(V) | 2.80 | 2.60 | 2.50 | 2.20 | 2.00 |
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