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【題目】關于質點的位移和路程，下列說法中正確的是（　　）

A. 位移是矢量，位移的方向就是質點運動的方向

B. 路程是標量，即位移的大小

C. 質點做直線運動時，路程等于位移的大小

D. 位移的數值不會比路程大

【答案】D

【解析】路程沒有方向，只有大小，是標量，位移是矢量，位移的方向由初位置指向末位置，路程是標量，是運動路徑的長度，路程不是位移的大�。�AB錯誤；當質點做直線運動時，位移的大小不一定等于路程，只有當質點做單向直線運動時，位移的大小一定等于路程．故C錯誤．位移的大小等于初位置與末位置之間有向線段的長度，路程是物體運動路線的長度，位移不會大于路程．故D正確．故選D.

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，MN、PQ為間距L=0.5 m的足夠長平行導軌，NQ⊥MN。導軌平面與水平面間的夾角θ=37°，NQ間連接有一個R=5 Ω 的電阻。有一勻強磁場垂直于導軌平面，磁感應強度為B0=1 T。將一根質量為m=0.05 kg的金屬棒ab緊靠NQ放置在導軌上，且與導軌接觸良好，導軌與金屬棒的電阻均不計�，F由靜止釋放金屬棒，金屬棒沿導軌向下運動過程中始終與NQ平行。已知金屬棒與導軌間的動摩擦因數μ=0.5，當金屬棒滑行至cd處時已經達到穩(wěn)定速度，cd距離NQ為s=2 m。則：（g=10 m/s2，sin 37°=0.6，cos 37°=0.8）

（1）當金屬棒滑行至cd處時回路中的電流是多大？

（2）金屬棒達到的穩(wěn)定速度是多大？

（3）當金屬棒滑行至cd處時回路中產生的焦耳熱是多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】北半球某處，地磁場水平分量B1＝0.8×10－4 T，豎直分量B2＝0.5×10－4 T，海水向北流動，海洋工作者測量海水的流速時，將兩極板插入此海水中，保持兩極板正對且垂線沿東西方向，兩極板相距d＝20 m，如圖所示，與兩極板相連的電壓表(可看做是理想電壓表)示數為U＝0.2 mV，則(　　)

A. 西側極板電勢高，東側極板電勢低

B. 西側極板電勢低，東側極板電勢高

C. 海水的流速大小為0.125 m/s

D. 海水的流速大小為0.2 m/s

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】將實驗和邏輯推理（包括數學演算）和諧地結合起來，從而發(fā)展了人類的科學思維方式和科學研究方法的科學家是

A. 亞里士多德 B. 伽利略 C. 笛卡爾 D. 愛因斯坦

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列情形中的物體，可以看作質點的是（　�。�

A. 跳水冠軍郭晶晶在跳水比賽中

B. 一枚硬幣用力上拋，猜測它落地時是正面朝上還是反面朝上

C. 奧運會冠軍邢慧娜在萬米長跑中

D. 花樣滑冰運動員在比賽中

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學用如圖甲所示的裝置測量滑塊與水平桌面之間的動摩擦因數，實驗過程如下：

（1）用游標卡尺測量出固定于滑塊上的遮光條的寬度d= mm．在桌面上合適位置固定好彈簧和光電門，將光電門與數字計時器（圖中未畫出）連接．

（2）用滑塊把彈簧壓縮到某一位置，測量出滑塊到光電門的距離x．釋放滑塊，測出滑塊上的遮光條通過光電門所用的時間t，則此時滑塊的速度v= ．

（3）通過在滑塊上增減砝碼來改變滑塊的質量m，仍用滑塊將彈簧壓縮到（2）中的位置，重復（2）的操作，得出一系列滑塊質量m與它通過光電門時的速度v的值．根據這些數值，作出v2-m-1圖象如圖乙所示．已知當地的重力加速度為g．由圖象可知，滑塊與水平桌面之間的動摩擦因數μ= ；彈性勢能等于EP=

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，水平向左的勻強電場中，用長為l的絕緣輕質細線懸掛一小球，小球質量為m，帶電量為+q，將小球拉至豎直方向最低位置A點處無初速度釋放，小球將向左擺動，細線向左偏離豎直方向的最大角度θ=74°．（重力加速度為g，sin37°=0.6，cos37°=0.8，sin74°=0.96，cos74°=0.28）

（1）求電場強度的大小E；

（2）求小球向左擺動的過程中，對細線拉力的最大值。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】摩托車從靜止開始以a1=1m/s2的加速度沿直線勻加速行駛了t1=4s后，又以a2=2m/s2的加速度沿直線勻加速行駛了t2=3s，然后做勻運直線運動，則摩托車做勻速直線運動的速度大小是_____．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】【物理—選修3-3】

(1)下列說法正確的是（____）

A.一定質量的理想氣體，在體積不變時，分子每秒與器壁平均碰撞次數隨著溫度降低而減小

B.晶體熔化時吸收熱量，分子平均動能一定增大

C.空調既能制熱又能制冷，說明熱量可以從低溫物體向高溫物體傳遞

D.外界對氣體做功時，其內能一定會增大

E.生產半導體器件時，需要在純凈的半導體材料中摻入其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成

(2)如圖所示，一個絕熱的汽缸豎直放置，內有一個絕熱且光滑的活塞，中間有一個固定的導熱性良好的隔板，隔板將汽缸分成兩部分，分別密封著兩部分理想氣體A和B.活塞的質量為m，橫截面積為S，與隔板相距h.現通過電熱絲緩慢加熱氣體，當A氣體吸收熱量Q時，活塞上升了h，此時氣體的溫度為T1.已知大氣壓強為p0，重力加速度為g.

①加熱過程中，若A氣體內能增加了ΔE1，求B氣體內能增加量ΔE2；

②現停止對氣體加熱，同時在活塞上緩慢添加砂粒，當活塞恰好回到原來的位置時A氣體的溫度為T2.求此時添加砂粒的總質量Δm.

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