如圖所示,MNPQ是一個足夠長的處于豎直平面內的固定的金屬框架,框架的寬度為L,電阻忽略不計.a(chǎn)b是一根質量為m,有一定電阻的導體,能緊貼框架無摩擦下滑,整個框架平面處于垂直于框架平面的勻強磁場中,磁感強度為B.當單刀雙擲開關S置于1位置時,導體ab恰好靜止在框架的某一處.已知電源的電動勢為ε,內阻為r.
(1)勻強磁場的方向如何?
(2)當開關S置于2位置時,導體ab由靜止開始下落,試寫出ab下落運動的分析過程,并用所給的物理量表達ab在下落過程中的最大速度.
(3)ab達到最大速度的1/2時,其加速度大小是多大?此時ab兩端的電壓為多少?
(4)如果ab由靜止開始下落到達到最大速度所用的時間為t,下落高度為h.試推導則該過程中h和t應滿足的不等式關系?

【答案】分析:(1)當單刀雙擲開關S置于1位置時,導體ab恰好靜止,受到向上的安培力,由左手定則判斷磁場方向;
(2)當開關S置于2位置時,導體ab由靜止開始下落,棒受到重力和安培力,開始階段安培力小于重力,棒做加速度減小的加速運動,當兩力平衡時,棒做勻速運動,達到穩(wěn)定狀態(tài),根據(jù)安培力的表達式,由平衡條件求出最大速度;
(3)ab達到最大速度的時,求出安培力,再根據(jù)牛頓第二定律求加速度,由歐姆定律求電壓;
(4)作出ab運動過程的υ-t圖線:ab初始加速度為g,即圖線在原點的切線斜率為g.運動過程下落距離h即為圖線曲線部分所包的“面積”,它介于圖示“梯形面積”和“三角形面積”之間.即可得到h和t應滿足的不等式關系.
解答:解:(1)由左手定則判斷得知:磁場方向垂直紙面向內
(2)S接1時,mg=F=BIL=B  ①
S接2時,剛開始ab下落的加速度為g,接著加速運動、同時受重力和安培力作用,由牛頓第二定律得:mg-F=ma
隨著的υ的增大,感應電場也隨著增大,感應電流也增大,從而使F增大而導致速度a的減小,最終達到和重力的平衡而做勻速運動,因而有:
由①得R代入②整理后得:υm=
(3)由②可知,當ab達到最大速度的時,安培力F=mg,因此有:
   mg-F=ma
解得,a=g.
又因為,ab切割磁感線產(chǎn)生感應電動勢,其電阻相當于電源內阻,而據(jù)題意,框架電阻不計,因而外電阻為0,從而使ab兩端的電壓(端電壓)為0.
(4)作出ab運動過程的υ-t圖線:
ab初始加速度為g,即圖線在原點的切線斜率為g.運動過程下落距離h即為圖線曲線部分所包的“面積”,它介于圖示“梯形面積”和“三角形面積”之間.
故有:
將(2)中求的υm值代入得:
答:
(1)勻強磁場的方向垂直紙面向內;
(2)S接2時,剛開始ab下落的加速度為g,接著加速運動、同時受重力和安培力作用,由牛頓第二定律得:mg-F=ma,隨著的υ的增大,感應電場也隨著增大,感應電流也增大,從而使F增大而導致速度a的減小,最終達到和重力的平衡而做勻速運動,ab在下落過程中的最大速度為
(3)ab達到最大速度的時,其加速度大小是,此時ab兩端的電壓為0.
(4)該過程中h和t應滿足的不等式關系為:
點評:本題是電磁感應與力學知識的綜合,分析和計算安培力是關鍵,同時要抓住v-t圖象的物理意義分析h與t的關系式.
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(1)勻強磁場的方向如何?
(2)當開關S置于2位置時,導體ab由靜止開始下落,試寫出ab下落運動的分析過程,并用所給的物理量表達ab在下落過程中的最大速度.
(3)ab達到最大速度的1/2時,其加速度大小是多大?此時ab兩端的電壓為多少?
(4)如果ab由靜止開始下落到達到最大速度所用的時間為t,下落高度為h.試推導則該過程中h和t應滿足的不等式關系?

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如圖所示,MNPQ是一塊截面為正方形的玻璃磚,正方形的邊長為30cm.有一束很強的細光束AB射到玻璃磚的MQ面上,入射點為B,該光束從B點進入玻璃磚后再經(jīng)QP面反射沿DC方向射出.其中B為MQ的中點,∠ABM=30°,PD=7.5cm,∠CDN=30°.試在原圖上準確畫出該光束在玻璃磚內的光路圖,并求出該玻璃磚的折射率.

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①畫出激光束在玻璃磚內的光路示意圖,求出QP面上的反射點F到Q點的距離QF;
②求出該玻璃磚的折射率。
③求出激光束在玻璃磚內的傳播速度(真空中光速c=3×108m/s)。

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