A. | 線框在經(jīng)過2、3、4三個位置時,位置3時線圈速度一定最小 | |
B. | 線框進入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q=mgd | |
C. | 線框從位置2下落到位置4的過程中加速度一直減小 | |
D. | 線框在經(jīng)過位置3時克服安培力做功的瞬時功率為$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$ |
分析 線框進入磁場的過程做加速度減小的減速運動,完全進入磁場后做加速度為g的勻加速運動,則知3位置時線圈速度最小,由運動學公式求解位置3的速度,即得到最小速度.由功能關系可求得電熱及功率.
解答 解:A、線框進入磁場的過程做加速度減小的減速運動,完全進入磁場后做加速度為g的勻加速運動,則知3位置時線圈速度最;故A正確;
B、由功能關系可知,線框進入磁場中減小的重力勢能等于電熱,即Q=mgd;故B正確;
C、由于線框在完全進入磁場后做加速度為g的加速運動;故C錯誤;
D、因為進磁場時要減速,即此時的安培力大于重力,速度減小,安培力也減小,當安培力減到等于重力時,線圈做勻速運動,全部進入磁場將做加速運動,
設線圈的最小速度為vm,由動能定理,從cd邊剛進入磁場到線框完全進入時,則有:
$\frac{1}{2}m{v}_{m}^{2}-\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}=mgL-mgd$,
又有:$\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}=mgh$,綜上所述,線圈的最小速度即3位置時的速度為${v}_{m}=\sqrt{2gh-2gd+2gL}$;則克服安培力的功率P=BILvm=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{{v}^{2}}_{m}}{R}$=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$;故D正確;
故選:ABD.
點評 解決本題的關鍵根據(jù)根據(jù)線圈下邊緣剛進入磁場和剛穿出磁場時刻的速度都是v0,且全部進入磁場將做加速運動,判斷出線圈進磁場后先做變減速運動,也得出全部進磁場時的速度是穿越磁場過程中的最小速度.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 只要有磁場在變化,它的周圍就一定會產(chǎn)生電場 | |
B. | 空間某區(qū)域有不均勻變化的電場,則一定會產(chǎn)生電磁波 | |
C. | 電磁波不同于機械波之處是電磁波能在真空中傳播 | |
D. | 紫外線是一種比所有可見光波長更長的電磁波 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電流表的讀數(shù)I先增大,后減小 | |
B. | 電壓表的讀數(shù)U先減小,后增大 | |
C. | 電壓表讀數(shù)U與電流表讀數(shù)I的比值$\frac{U}{I}$不變 | |
D. | 電壓表讀數(shù)的變化量△U與電流表讀數(shù)的變化量△I的比值$\frac{△U}{△I}$不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 分子間距增大,分子勢能一定增大 | |
B. | 物體的溫度越高,其分子熱運動的平均動能越大 | |
C. | 外界對物體做功,物體的內(nèi)能一定增加 | |
D. | 只有熱傳遞才能改變物體的內(nèi)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{\sqrt{2}}{2}$ | B. | $\sqrt{2}$ | C. | 1.5 | D. | $\sqrt{3}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | I0 | B. | $\sqrt{2}$I0 | C. | $\sqrt{3}$I0 | D. | $\sqrt{6}$I0 |
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科目:高中物理 來源:2016-2017學年福建省四地六校高二上學期第一次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,水平面絕緣且光滑,一絕緣的輕彈簧左端固定,右端有一帶正電荷的小球,小球與彈簧不相連,空間存在著水平向左的勻強電場,帶電小球在靜電力和彈簧彈力的作用下靜止,現(xiàn)保持電場強度的大小不變,突然將電場反向,若將此時作為計時起點,則下列描述速度與時間、加速度與位移之間變化關系的圖像正確的是( )
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