19.如圖所示,豎直平面內(nèi)有兩條水平的平行虛線ab、cd,間距為d,其間(虛線邊界上無磁場)有磁感應強度為B的勻強磁場,一個正方形線框邊長為L,質(zhì)量為m,電阻為R.線框位于位置1時,其下邊緣到ab的距離為h.現(xiàn)將線框從位置1由靜止釋放,依次經(jīng)過2、3、4三個位置,其下邊緣剛進入磁場和剛要穿出磁場時的速度相等,重力加速度為g.下列說法正確的是( 。
A.線框在經(jīng)過2、3、4三個位置時,位置3時線圈速度一定最小
B.線框進入磁場過程中產(chǎn)生的電熱Q=mgd
C.線框從位置2下落到位置4的過程中加速度一直減小
D.線框在經(jīng)過位置3時克服安培力做功的瞬時功率為$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$

分析 線框進入磁場的過程做加速度減小的減速運動,完全進入磁場后做加速度為g的勻加速運動,則知3位置時線圈速度最小,由運動學公式求解位置3的速度,即得到最小速度.由功能關系可求得電熱及功率.

解答 解:A、線框進入磁場的過程做加速度減小的減速運動,完全進入磁場后做加速度為g的勻加速運動,則知3位置時線圈速度最;故A正確;
B、由功能關系可知,線框進入磁場中減小的重力勢能等于電熱,即Q=mgd;故B正確;
C、由于線框在完全進入磁場后做加速度為g的加速運動;故C錯誤;
D、因為進磁場時要減速,即此時的安培力大于重力,速度減小,安培力也減小,當安培力減到等于重力時,線圈做勻速運動,全部進入磁場將做加速運動,
設線圈的最小速度為vm,由動能定理,從cd邊剛進入磁場到線框完全進入時,則有:
$\frac{1}{2}m{v}_{m}^{2}-\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}=mgL-mgd$,
又有:$\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}=mgh$,綜上所述,線圈的最小速度即3位置時的速度為${v}_{m}=\sqrt{2gh-2gd+2gL}$;則克服安培力的功率P=BILvm=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{{v}^{2}}_{m}}{R}$=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$;故D正確;
故選:ABD.

點評 解決本題的關鍵根據(jù)根據(jù)線圈下邊緣剛進入磁場和剛穿出磁場時刻的速度都是v0,且全部進入磁場將做加速運動,判斷出線圈進磁場后先做變減速運動,也得出全部進磁場時的速度是穿越磁場過程中的最小速度.

練習冊系列答案
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B.電壓表的讀數(shù)U先減小,后增大
C.電壓表讀數(shù)U與電流表讀數(shù)I的比值$\frac{U}{I}$不變
D.電壓表讀數(shù)的變化量△U與電流表讀數(shù)的變化量△I的比值$\frac{△U}{△I}$不變

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A.插上大頭針P3,使P3擋住P2的像
B.插上大頭針P3,使P3擋住P1、P2的像
C.插上大頭針P4,使P4擋住P3的像
D.插上大頭針P4,使P4擋住P3和P1、P2的像
②正確完成上述操作后,在紙上標出大頭針P3、P4的位置(圖中已標出).為測量該種玻璃的折射率,兩位同學分別用圓規(guī)及刻度尺作出了完整光路和若干輔助線,如圖2甲、乙所示.在圖2中能夠僅通過測量ED、FG的長度便可正確計算出折射率的是圖乙(選填“甲”或“乙”),所測玻璃折射率的表達式n=$\frac{DE}{GF}$(用代表線段長度的字母ED、FG表示).

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