A. “天宮一號”比“神舟八號”速度大

B. “天宮一號”比“神舟八號”周期長

C. “天宮一號”比“神舟八號”角速度大

D. “天宮一號”比“神舟八號”加速度大

（1）由靜止釋放導(dǎo)體，導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm；

（2）在最大速度vm時，在ab上釋放的電功率。（g=10m／s2）。

（1）勻強(qiáng)電場的大小。

（2）如果B點(diǎn)電勢為φB=1V，則A點(diǎn)電勢為多大。

A. 從P到c過程中重力的沖量大于彈性繩彈力的沖量

B. 從P到c過程中重力做的功等于人克服彈力所做的功

C. 從P到b過程中人的速度不斷增大

D. 從a到c過程中加速度方向保持不變

A．電流表（量程100μA，內(nèi)阻2kΩ）

B．電流表（量程500μA，內(nèi)阻300Ω）

C．電壓表（量程10V，內(nèi)阻100kΩ）

D．電壓表（量程50V，內(nèi)阻500kΩ）

E．直流穩(wěn)壓電源（電動勢15V，允許最大電流1A）

F．滑動變阻器（最大電阻1kΩ，額定功率1W）

G．導(dǎo)線若干.

（1）電流表應(yīng)選_____，電壓表應(yīng)選______.

（2）畫出測量Rx的電路圖_____.

（3）用實(shí)線表示導(dǎo)線，將圖中選定的器材連接成實(shí)驗(yàn)電路_____.

A. 三個等勢面中，Q點(diǎn)所在處的等勢面電勢最高

B. 該質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時電勢能最大

C. 該質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時動能最大

D. 該質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時加速度最大

【題目】如圖甲所示，一水平放置的線圈，匝數(shù)n=100匝，橫截面積，電阻，線圈處于水平向左的均勻變化的磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時間t變化關(guān)系如圖乙所示。線圈與足夠長的豎直光滑導(dǎo)軌MN、PQ連接，導(dǎo)軌間距L=20cm，導(dǎo)體棒ab與導(dǎo)軌始終接觸良好，ab棒的電阻，質(zhì)量m=5g，導(dǎo)軌的電阻不計(jì)，導(dǎo)軌處在與導(dǎo)軌平面垂直向里的勻強(qiáng)磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度。t=0時，導(dǎo)體棒由靜止釋放，g取。則下列說法正確的是：（ ）

A. t=0時，線圈內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小為2V

B. t=0時，導(dǎo)體棒ab兩端的電壓為1.0V

C. t=0時，導(dǎo)體棒的加速度大小為

D. 導(dǎo)體棒ab達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時，導(dǎo)體棒所受重力的瞬時功率0.25W

A. 若v0 ＞E/B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動，射出場區(qū)時，速度v＞v0

B. 若v0 ＞E/B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動，射出場區(qū)時，速度v＜v0

C. 若v0 ＜E/B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動，射出場區(qū)時，速度v＞v0

D. 若v0 ＜E/B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動，射出場區(qū)時，速度v＜v0

A.

B.

C.

D.

【題目】如圖所示，高L、上端開口的導(dǎo)熱氣缸與大氣連通，大氣壓強(qiáng)為，氣缸內(nèi)壁有一個光滑活塞，初始時活塞靜止，距離氣缸底部，活塞下部氣體的壓強(qiáng)為。

①若在氣缸上端開口處緩慢抽氣，當(dāng)抽氣至活塞上方為真空時，則活塞上升多少距離？

②若將氣缸上端的開口封閉，然后讓氣缸做自由落體運(yùn)動，則穩(wěn)定后活塞離開氣缸底部的距離為多少？