11．下圖為幾種晶體或晶胞的示意圖: 請回答下列問題: ⑴ 上述晶體中.粒子之間以共價鍵結合形成的晶體是 . ⑵ 冰.金剛石.MgO.CaCl2.干冰5種晶體的熔點由高到低的順序為 . ⑶ NaCl晶胞與MgO晶胞相同.NaCl晶體的晶格能 MgO晶體.原因是 . ⑷ 每個Cu晶胞中實際占有 Cu原子.CaCl2晶體中Ca2+的配位數(shù)為 . ⑸ 冰的熔點遠高于干冰.除H2O是極性分子.CO2是非極性分子外.還有一個重要的原因是 . 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

請回答下列問題：

（1）S單質的常見形式為S8，其環(huán)狀結構如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
．
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量．Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序為
Al＞Mg
Al＞Mg
；O與F電負性大到小的順序為
F＞O
F＞O
．（用＜或=或＞表示）
（3）34號元素的價層電子的電子排布圖為
1s22s22p63s23p63d104s24p4
1s22s22p63s23p63d104s24p4
，在周期表位于
第四周期第ⅥA族
第四周期第ⅥA族
區(qū)；Mn2+基態(tài)的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d5
1s22s22p63s23p63d5
．
（4）氣態(tài)SO2分子的立體構型為
V形
V形
；SO32-離子的立體構型為
三角錐型
三角錐型
（均用文字描述）
（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10-2，請根據(jù)結構與性質的關系解釋；
①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因：
酸第一步電離產生的酸根陰離子帶有負電荷，吸引H+，同時產生的H+抑制第二步電離
酸第一步電離產生的酸根陰離子帶有負電荷，吸引H+，同時產生的H+抑制第二步電離
；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為（HO）2SeO2、（HO）2SeO，H2SeO3中Se為+4價，而H2SeO4中Se為+6價，后者Se原子吸電子能力強，導致羥基上氫原子更容易電離H+
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為（HO）2SeO2、（HO）2SeO，H2SeO3中Se為+4價，而H2SeO4中Se為+6價，后者Se原子吸電子能力強，導致羥基上氫原子更容易電離H+
；
（6）向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu（OH）4]2-．不考慮空間構型，[Cu（OH）4]2-的結構可用示意圖表示為
．
（7）Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結構如圖2所示，該氯化物的化學式是
CuCl
CuCl
．

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請回答下列問題：

（1）S單質的常見形式為S8，其環(huán)狀結構如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是______．
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量．Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序為______；O與F電負性大到小的順序為______．（用＜或=或＞表示）
（3）34號元素的價層電子的電子排布圖為______，在周期表位于______區(qū)；Mn2+基態(tài)的電子排布式為______．
（4）氣態(tài)SO2分子的立體構型為______；SO32-離子的立體構型為______（均用文字描述）
（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10-2，請根據(jù)結構與性質的關系解釋；
①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因：______；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：______；
（6）向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu（OH）4]2-．不考慮空間構型，[Cu（OH）4]2-的結構可用示意圖表示為______．
（7）Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結構如圖2所示，該氯化物的化學式是______．

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