15. 硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.請(qǐng)回答下列問題: (1) 制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法.生產(chǎn)過程示意圖如下: ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式 . ②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3.HCl和另一種物質(zhì).寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式 ,H2還原SihCl3過程中若混02.可能引起的后果是 . (2)下列有頭硅材料的詳法正確的是 (填字母). A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.可用于生產(chǎn)耐高溫水混 B.氮化硅硬度大.熔點(diǎn)高.可用于制作高溫陶瓷和軸承 C.普通玻璃是由純堿.石灰石和石英砂的.其熔點(diǎn)很高 D.鹽酸可以與硅反應(yīng).故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中.逐滴加入飽和氯化銨溶液.振蕩.寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋 . (1) ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式: SiHCl3+H2==== Si+3HCl ②SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3.HCl和另一種物質(zhì).寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式3SiHCl3+3H2O===H2SiO3+H2↑+3HCl;H2還原SiHCl3過程中若混入O2.可能引起的后果是:高溫下.H2遇O2發(fā)生爆炸. (2)ABCD 解釋:SiC和Si3N4均為原子晶體.熔點(diǎn)高.性質(zhì)穩(wěn)定.AB正確.光導(dǎo)纖維的材料為SiO2.C正確.普通玻璃的主要成分為Na2SiO3和CaSiO3.它是以石英砂(SiO2).石灰石(CaCO3)和純堿(Na2CO3)為主要原料反應(yīng)制成的.Na2CO3+SiO2====Na2SiO3+CO2,CaCO3+SiO2====CaSiO3+CO2.D正確.常溫下.Si只能與唯一一種酸HF反應(yīng)不與HCl反應(yīng).E錯(cuò). (3)寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋:生成白色絮狀沉淀.又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng).SiO32- + 2 NH4+ + 2H2O === 2NH3·H2O + H2SiO3↓. 查看更多

 

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(08年廣東卷)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題:

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式________。

②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式____;H2還原SihCl3過程中若混02,可能引起的后果是______     。

(2)下列有頭硅材料的詳法正確的是_____    (填字母)。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水混

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點(diǎn)很高

D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

E.鹽酸可以和硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_____。

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