題目列表(包括答案和解析)
右圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)
的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良
導(dǎo)體。f的某種同位素常用于考古。
下列判斷不正確的是
A. 常溫下f和a形成1︰1液態(tài)化合物由液體變成氣體時(shí)克服的是范德華力
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式: 1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵
(8分)右圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。
(1)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含________σ鍵和________個(gè)π鍵。
(2)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為_(kāi)_______;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為_(kāi)_______,其中X與
Ag+之間以________鍵結(jié)合。
(3)右圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)原因 。
(4)氫鍵的形成對(duì)物質(zhì)的性質(zhì)具有一定的影響。沸點(diǎn) 。(填高或低)
(8分)右圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。
(1)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含________σ鍵和________個(gè)π鍵。
(2)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為_(kāi)_______;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為_(kāi)_______,其中X與
Ag+之間以________鍵結(jié)合。
(3)右圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)原因 。
(4)氫鍵的形成對(duì)物質(zhì)的性質(zhì)具有一定的影響。沸點(diǎn) 。(填高或低)
下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。
(1)請(qǐng)寫(xiě)出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式 。
(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1 :1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含 個(gè)鍵和 個(gè)鍵。
(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為 ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為 ,其中X與Ag+之間以 鍵結(jié)合。
(4)右圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)數(shù)原因 。
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