前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB₂能升華；C和E原子都有一個未成對電子，C⁺比E^-少一個電子層，E原子得到一個電子后3p軌道全充滿；D最高價氧化物中D的質(zhì)量分數(shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F⁺和F²⁺兩種離子�；卮鹣铝袉栴}：

（1）元素電負性：D____E (填＞、＜或＝)

（2）A、C單質(zhì)熔點A_____C(填＞、＜或＝)

（3）AE₄中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______

（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍色溶液，加入乙醇會析出藍色晶體，該晶體中F與NH₃之間的化學鍵為_______

（5）氫化物的沸點：B比D高的原因______;

（6）元素X的某價態(tài)陰離子X^n-中所有電子正好充滿K和L電子層，C_nX晶體的最小結構單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個數(shù)比為_______，晶體中每個X^n-被_____個等距離的C⁺離子包圍。

前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB₂能升華；C和E原子都有一個未成對電子，C⁺比E^-少一個電子層，E原子得到一個電子后3p軌道全充滿；D最高價氧化物中D的質(zhì)量分數(shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F⁺和F²⁺兩種離子�；卮鹣铝袉栴}：

（1）元素電負性：D____E (填＞、＜或＝)

（2）A、C單質(zhì)熔點A_____C(填＞、＜或＝)

（3）AE₄中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______

（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍色溶液，加入乙醇會析出藍色晶體，該晶體中F與NH₃之間的化學鍵為_______

（5）氫化物的沸點：B比D高的原因______;

（6）元素X的某價態(tài)陰離子X^n-中所有電子正好充滿K和L電子層，C_nX晶體的最小結構單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個數(shù)比為_______，晶體中每個X^n-被_____個等距離的C⁺離子包圍。

前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB₂能升華；C和E原子都有一個未成對電子，C⁺比E^-少一個電子層，E原子得到一個電子后3p軌道全充滿；D最高價氧化物中D的質(zhì)量分數(shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F⁺和F²⁺兩種離子�；卮鹣铝袉栴}：
（1）元素電負性：D____E (填＞、＜或＝)
（2）A、C單質(zhì)熔點A_____C(填＞、＜或＝)
（3）AE₄中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______
（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍色溶液，加入乙醇會析出藍色晶體，該晶體中F與NH₃之間的化學鍵為_______
（5）氫化物的沸點：B比D高的原因______;
（6）元素X的某價態(tài)陰離子X^n-中所有電子正好充滿K和L電子層，C_nX晶體的最小結構單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個數(shù)比為_______，晶體中每個X^n-被_____個等距離的C⁺離子包圍。

前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB₂能升華；C和E原子都有一個未成對電子，C⁺比E^-少一個電子層，E原子得到一個電子后3p軌道全充滿；D最高價氧化物中D的質(zhì)量分數(shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F⁺和F²⁺兩種離子�；卮鹣铝袉栴}：

（1）元素電負性：D____E (填＞、＜或＝)

（2）A、C單質(zhì)熔點A_____C(填＞、＜或＝)

（3）AE₄中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______

（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍色溶液，加入乙醇會析出藍色晶體，該晶體中F與NH₃之間的化學鍵為_______

（5）氫化物的沸點：B比D高的原因______;

（6）元素X的某價態(tài)陰離子X^n-中所有電子正好充滿K和L電子層，C_nX晶體的最小結構單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個數(shù)比為_______，晶體中每個X^n-被_____個等距離的C⁺離子包圍。

前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB₂能升華；C和E原子都有一個未成對電子，C⁺比E^-少一個電子層，E原子得到一個電子后3p軌道全充滿；D最高價氧化物中D的質(zhì)量分數(shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F⁺和F²⁺兩種離子�；卮鹣铝袉栴}：

（1）元素電負性：D____E (填＞、＜或＝)

（2）A、C單質(zhì)熔點A_____C(填＞、＜或＝)

（3）AE₄中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______

（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍色溶液，加入乙醇會析出藍色晶體，該晶體中F與NH₃之間的化學鍵為_______

（5）氫化物的沸點：B比D高的原因______;

（6）元素X的某價態(tài)陰離子X^n-中所有電子正好充滿K和L電子層，C_nX晶體的最小結構單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個數(shù)比為_______，晶體中每個X^n-被_____個等距離的C⁺離子包圍。