（2008?東城區(qū)模擬）如圖所示，一束光以入射角i從空氣射入某種介質(zhì)，若折射角為r，則該介質(zhì)的折射率n為（　�。�

（2010?東城區(qū)模擬）如圖所示，均勻直導(dǎo)體棒ab質(zhì)量為m，電阻為R，跨接在U型金屬框架上與電阻R組成閉合回路，框架兩豎直平行導(dǎo)軌相距為L，位于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場中，框架的電阻忽略不計(jì)且足夠長．用豎直向上的恒力F拉ab使之由靜止沿框架豎直向上運(yùn)動(dòng)，忽略一切摩擦．則對于從導(dǎo)體棒開始運(yùn)動(dòng)到剛好達(dá)到最大速度的過程，下列說法中正確的是（　�。�

（2012?東城區(qū)模擬）如圖所示，質(zhì)量為2kg的物體放在水平地板上，在F₁=4N的水平拉力作用下，沿地板恰好能勻速運(yùn)動(dòng)．若改用F₂=10N的力沿水平方向拉此物體使它由靜止開始運(yùn)動(dòng)，求：
（1）此物體的加速度；
（2）F₂作用4s時(shí)物體運(yùn)動(dòng)的速度大小．

（2012?東城區(qū)模擬）如圖所示為某質(zhì)點(diǎn)做直線運(yùn)動(dòng)的v-t圖象，關(guān)于這個(gè)質(zhì)點(diǎn)在4s內(nèi)的運(yùn)動(dòng)情況，下列說法中正確的是（　　）

（2010?東城區(qū)模擬）如圖所示，在xoy平面內(nèi)，MN和x軸之間有平行于y軸的勻強(qiáng)電場和垂直于xoy平面的勻強(qiáng)磁場，y軸上離坐標(biāo)原點(diǎn)4L的A點(diǎn)處有一電子槍，可以沿+x方向射出速度為v₀的電子（質(zhì)量為m，電量為e）．如果電場和磁場同時(shí)存在，電子將做勻速直線運(yùn)動(dòng)．如果撤去電場，只保留磁場，電子將從x軸上距坐標(biāo)原點(diǎn)3L的C點(diǎn)離開磁場．不計(jì)重力的影響，求：
（1）磁感應(yīng)強(qiáng)度B和電場強(qiáng)度E的大小和方向；
（2）如果撤去磁場，只保留電場，電子將從D點(diǎn)（圖中未標(biāo)出）離開電場，求D點(diǎn)的坐標(biāo)；
（3）電子通過D點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能．