某一次.把線框從靜止狀態(tài)釋放.線框恰好能夠勻速地穿過磁場區(qū)域.若當?shù)氐闹亓铀俣葹間.求:(1)線框通過磁場時的運動速度,(2)開始釋放時.MN與bb′之間的距離,(3)線框在通過磁場的過程中所生的熱. 北京市各區(qū)2009年高三上學期期末試題分類精編振動.波和熱學 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

質(zhì)量為m、總電阻為R的導線做成邊長為l的正方形線框MNPQ,并將其放在傾角為θ的平行絕緣導軌上,平行導軌的間距也為l,如圖所示。線框與導軌之間是光滑的,在導軌的下端有一寬度為l(即ab=l)、磁感應強度為B的有界勻強磁場,磁場的邊界aa′、bb′垂直于導軌,磁場的方向與線框平面垂直。某一次,把線框從靜止狀態(tài)釋放,線框恰好能夠勻速地穿過磁場區(qū)域。若當?shù)氐闹亓铀俣葹?i>g,求:

1.線框通過磁場時的運動速度;

2.開始釋放時,MNbb′之間的距離;

3.線框在通過磁場的過程中所生的熱。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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質(zhì)量為m、總電阻為R的導線做成邊長為l的正方形線框MNPQ,并將其放在傾角為θ的平行絕緣導軌上,平行導軌的間距也為l,如圖所示。線框與導軌之間是光滑的,在導軌的下端有一寬度為l(即ab=l)、磁感應強度為B的有界勻強磁場,磁場的邊界aa′、bb′垂直于導軌,磁場的方向與線框平面垂直。某一次,把線框從靜止狀態(tài)釋放,線框恰好能夠勻速地穿過磁場區(qū)域。若當?shù)氐闹亓铀俣葹?i>g,求:(1)線框通過磁場時的運動速度;(2)開始釋放時,MNbb′之間的距離;(3)線框在通過磁場的過程中所生的熱。

 

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質(zhì)量為m、總電阻為R的導線做成邊長為l的正方形線框MNPQ,并將其放在傾角為θ的平行絕緣導軌上,平行導軌的間距也為l,如圖所示。線框與導軌之間是光滑的,在導軌的下端有一寬度為l(即ab=l)、磁感應強度為B的有界勻強磁場,磁場的邊界aa′、bb′垂直于導軌,磁場的方向與線框平面垂直。某一次,把線框從靜止狀態(tài)釋放,線框恰好能夠勻速地穿過磁場區(qū)域。若當?shù)氐闹亓铀俣葹?i>g,求:

【小題1】線框通過磁場時的運動速度;
【小題2】開始釋放時,MNbb′之間的距離;
【小題3】線框在通過磁場的過程中所生的熱。

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質(zhì)量為m、總電阻為R的導線做成邊長為l的正方形線框MNPQ,并將其放在傾角為θ的平行絕緣導軌上,平行導軌的間距也為l,如圖所示。線框與導軌之間是光滑的,在導軌的下端有一寬度為l(即ab=l)、磁感應強度為B的有界勻強磁場,磁場的邊界aa′、bb′垂直于導軌,磁場的方向與線框平面垂直。某一次,把線框從靜止狀態(tài)釋放,線框恰好能夠勻速地穿過磁場區(qū)域。若當?shù)氐闹亓铀俣葹?i>g,求:

1.線框通過磁場時的運動速度;

2.開始釋放時,MNbb′之間的距離;

3.線框在通過磁場的過程中所生的熱。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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質(zhì)量為m、總電阻為R的導線做成邊長為l的正方形線框MNPQ,并將其放在傾角為θ的平行絕緣導軌上,平行導軌的間距也為l,如圖所示。線框與導軌之間是光滑的,在導軌的下端有一寬度為l(即ab=l)、磁感應強度為B的有界勻強磁場,磁場的邊界aa′、bb′垂直于導軌,磁場的方向與線框平面垂直。某一次,把線框從靜止狀態(tài)釋放,線框恰好能夠勻速地穿過磁場區(qū)域。若當?shù)氐闹亓铀俣葹?i>g,求:(1)線框通過磁場時的運動速度;(2)開始釋放時,MNbb′之間的距離;(3)線框在通過磁場的過程中所生的熱。

 

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