B．如圖所示.一圓柱形容器豎直放置.通過活塞封閉著攝氏溫度為t的理想氣體.活塞的質(zhì)量為m.橫截面積為S.與容器底部相距h.現(xiàn)通過電熱絲給氣體加熱一段時間.結(jié)果使活塞又緩慢上升了h.若這段時間內(nèi)氣體吸收的熱量為Q.已知大氣壓強為P0.重力加速度為g.不計器壁向外散失的熱量.求:(1)氣體的壓強, (2)這段時間內(nèi)氣體的內(nèi)能增加了多少? (3)這段時間內(nèi)氣體的溫度升高了多少? 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（1）如圖所示，一圓柱形絕熱氣缸豎直放置，通過絕熱活塞封閉著一定質(zhì)量的理想氣體．活塞的質(zhì)量為m，橫截面積為S，與容器底部相距H．現(xiàn)通過電熱絲緩慢加熱氣體，活塞逐漸上升，活塞與缸壁間摩擦不計．下列說法正確的是_______________

A．上述過程氣體做等壓膨脹，溫度升高

B．上述過程氣體做絕熱膨脹，溫度升高

C．氣體的吸收熱量大于它對外做功，內(nèi)能增加

D．氣體吸收的熱量等于它對外做功，內(nèi)能不變

（2）在上小題中，已知該理想氣體摩爾質(zhì)量為μ，在加熱之前該氣體的密度為ρ，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求容器內(nèi)理想氣體的分子數(shù)n和加熱之前分子間的平均距離d（忽略電熱絲體積大小）．

 

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（1）如圖所示，一圓柱形絕熱氣缸豎直放置，通過絕熱活塞封閉著一定質(zhì)量的理想氣體．活塞的質(zhì)量為m，橫截面積為S，與容器底部相距H．現(xiàn)通過電熱絲緩慢加熱氣體，活塞逐漸上升，活塞與缸壁間摩擦不計．下列說法正確的是_______________

A．上述過程氣體做等壓膨脹，溫度升高
B．上述過程氣體做絕熱膨脹，溫度升高
C．氣體的吸收熱量大于它對外做功，內(nèi)能增加
D．氣體吸收的熱量等于它對外做功，內(nèi)能不變
（2）在上小題中，已知該理想氣體摩爾質(zhì)量為μ，在加熱之前該氣體的密度為ρ，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求容器內(nèi)理想氣體的分子數(shù)n和加熱之前分子間的平均距離d（忽略電熱絲體積大�。�

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（1）如圖所示，一圓柱形絕熱氣缸豎直放置，通過絕熱活塞封閉著一定質(zhì)量的理想氣體．活塞的質(zhì)量為m，橫截面積為S，與容器底部相距H．現(xiàn)通過電熱絲緩慢加熱氣體，活塞逐漸上升，活塞與缸壁間摩擦不計．下列說法正確的是_______________

A．上述過程氣體做等壓膨脹，溫度升高

B．上述過程氣體做絕熱膨脹，溫度升高

C．氣體的吸收熱量大于它對外做功，內(nèi)能增加

D．氣體吸收的熱量等于它對外做功，內(nèi)能不變

（2）在上小題中，已知該理想氣體摩爾質(zhì)量為μ，在加熱之前該氣體的密度為ρ，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求容器內(nèi)理想氣體的分子數(shù)n和加熱之前分子間的平均距離d（忽略電熱絲體積大�。�

 

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（1）如圖所示，一圓柱形絕熱氣缸豎直放置，通過絕熱活塞封閉著一定質(zhì)量的理想氣體．活塞的質(zhì)量為m，橫截面積為S，與容器底部相距H．現(xiàn)通過電熱絲緩慢加熱氣體，活塞逐漸上升，活塞與缸壁間摩擦不計．下列說法正確的是_______________
A．上述過程氣體做等壓膨脹，溫度升高
B．上述過程氣體做絕熱膨脹，溫度升高
C．氣體的吸收熱量大于它對外做功，內(nèi)能增加
D．氣體吸收的熱量等于它對外做功，內(nèi)能不變
（2）在上小題中，已知該理想氣體摩爾質(zhì)量為μ，在加熱之前該氣體的密度為ρ，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求容器內(nèi)理想氣體的分子數(shù)n和加熱之前分子間的平均距離d（忽略電熱絲體積大�。�

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如圖所示，A板和B板為平行板電容器的兩極板，其中A板帶負電，B板帶正電，兩極板的中央都有一個小空隙可以允許粒子穿過，兩板間的電勢差的大小為U=1×105B極板的右上方存在著一個圓心為O1圓柱形勻強磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強度B=0.1T，磁場區(qū)域半徑r=
2
3
3
m，磁場的方向垂直于紙面向里．今有質(zhì)量m=3.2×10-26、帶電荷量q=-1.6×10-19某種粒子，從A極板小孔處以極小的初速度（其方向由A到B，大小可以視為零）進入兩平行金屬板之間的區(qū)域．圖中A、B板上的兩個小孔和O1點共線．粒子穿越圓柱形磁場后恰好從磁場區(qū)域的最右端C點穿出，立即進入一個豎直方向的有界勻強電場，其左右邊界分別為DE和FH，兩邊界間的距離為8m，上邊和下邊沒有邊界．勻強電場的場強大小為E=3.75×104/C，方向在豎直方向上．試求：
（1）該粒子剛剛進入圓柱形勻強磁場區(qū)域時的速度大小；
（2）該粒子通過圓形磁場區(qū)域所用的時間；
（3）該粒子在有界勻強電場中的位移大�。�

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