D.帶電粒子垂直進(jìn)入磁場時(shí).受到洛倫茲力的作用.其計(jì)算公式是F=qvB.和其他力一樣.洛倫茲力對(duì)帶電粒子可能做功. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫s1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過狹縫s2、s3射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫s3的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫s3的距離為d,
(1)導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式
(2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M
為48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式
(3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個(gè)M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.
在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
元 素 H C F Cl Br
含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù) 1 12 19 35,37 79,81

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如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫s1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過狹縫s2、s3射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫s3的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫s3的距離為d,
(1)導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式
(2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M
為48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式
(3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個(gè)M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.
在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
元 素 H C F Cl Br
含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù) 1 12 19 35,37 79,81
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如測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫s1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過狹縫s2、s3射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫s3的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫s3的距離為d,
(1)導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式
(2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M
為48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式
(3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個(gè)M值,分別為64和66.試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.
在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:
元 素HCFClBr
含量較多的同位互的質(zhì)量數(shù)1121935,3779,81


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圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過狹縫S2S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S2的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫S3的距離為d

 

  (1)導(dǎo)出分子、離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.

 

  (2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含C、H和鹵素的化合物的M48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式.

 

 �。�3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個(gè)M值,分別為6466,試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:

元素

H

C

F

C1

Br

含量較多的同

位素的質(zhì)量數(shù)

1

12

19

35,37

79,81

 

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圖所示是測量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S2的細(xì)線,若測得細(xì)線到狹縫S3的距離為d

 

  (1)導(dǎo)出分子、離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.

 

  (2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡式,若某種含CH和鹵素的化合物的M48,寫出其結(jié)構(gòu)簡式.

 

 �。�3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測得兩個(gè)M值,分別為6466,試說明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡式.在推測有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:

元素

H

C

F

C1

Br

含量較多的同

位素的質(zhì)量數(shù)

1

12

19

35,37

7981

 

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