如圖4所示，厚度為h，寬度為d的導體放在垂直于它的磁感應(yīng)強度為B的均勻磁場中.當電流通過導體板時，在導體板的上側(cè)面A和下側(cè)面A′間會產(chǎn)生電勢差.這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).實驗表明，當磁場不太強時，電勢差U、電流I和磁感應(yīng)強度B的關(guān)系為U=k，式中的比例系數(shù)ｋ稱為霍爾系數(shù).霍爾效應(yīng)可解釋如下：
　外部磁場的洛倫茲力使運動的電子聚集在導體板的一側(cè)，在導體板的另一側(cè)會出現(xiàn)多余的正電荷，從而形成橫向電場.橫向電場對電子施加與洛倫茲力相反的靜電力.當靜電力與洛倫茲力達到平衡時，導體板上下兩側(cè)面之間會形成穩(wěn)定的電勢差.設(shè)電流I是由電子的定向流動形成的，電子的平均定向速度為v，電荷量為e，回答下列問題：
（1）達到穩(wěn)定狀態(tài)時，導體板上側(cè)面Ａ的電勢和下側(cè)面A′的電勢哪個高？
（2）電子所受的洛倫茲力的大小為多少.
（3）當導體板上下兩側(cè)面之間的電勢差為Ｕ時，電子所受靜電力的大小為多少.
（4）由靜電力和洛倫茲力平衡條件，證明霍爾系數(shù)為k=，其中n代表導體板的單位體積中電子的個

式中的比例系數(shù)k稱為霍爾系數(shù).

圖6-1-2

霍爾效應(yīng)可解釋如下：外部磁場的洛倫茲力使運動的電子聚集在導體板的一側(cè)，在導體板的另一側(cè)會出現(xiàn)多余的正電荷，從而形成橫向電場.橫向電場對電子施加與洛倫茲力方向相反的靜電力.當靜電力與洛倫茲力達到平衡時，導體板上下兩側(cè)之間就會形成穩(wěn)定的電勢差.

設(shè)電流I是由電子的定向流動形成的，電子的平均定向速度為v，電荷量為e，回答下列問題：

（1）達到穩(wěn)定狀態(tài)時，導體板上側(cè)面A的電勢_______________（填“高于”“低于”或“等于”）下側(cè)面A′的電勢.

（2）電子所受的洛倫茲力的大小為_______________.

（3）當導體板上下兩側(cè)面之間的電勢差為U時，電子所受靜電力的大小為_____________.

（4）由靜電力和洛倫茲力平衡的條件，證明霍爾系數(shù)k=，其中n代表導體板單位體積中電子的個數(shù).

圖10-4-4

（1）達到穩(wěn)定狀態(tài)時，導體板上側(cè)面A的電勢________下側(cè)面A′的電勢;（填“高于”“低于”或“等于”）

（2）電子所受洛倫茲力的大小為_________；

（3）當導體板上下兩側(cè)面之間的電勢差為U時，電子所受靜電力的大小為_________；

（4）由靜電力和洛倫茲力平衡條件，證明霍爾系數(shù)k=，其中n代表導體板的單位體積中電子的個數(shù).

如圖所示，厚度為h、寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中，當電流通過導體板時，在導體板的上側(cè)面A和下側(cè)面A′之間會產(chǎn)生電勢差，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。實驗表明，當磁場不太強時，電勢差U、電流I和B的關(guān)系為U＝k，式中的比例系數(shù)k稱為霍爾系數(shù)。

設(shè)電流I是由自由電子的定向流動形成的，電子的平均定向移動速度為v，電荷量為e，回答下列問題：

(1)達到穩(wěn)定狀態(tài)時，導體板上側(cè)面A的電勢________下側(cè)面A′的電勢(填“高于”“低于”或“等于”)；

(2)電子所受的洛倫茲力的大小為________；

(3)當導體板上下兩側(cè)之間的電勢差為U時，電子所受靜電力的大小為________；

(4)證明霍爾系數(shù)為k＝，其中n代表導體內(nèi)單位體積中自由電子的個數(shù)．

如圖所示，厚度為h、寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中，當電流通過導體板時，在導體板的上側(cè)面A和下側(cè)面A′之間會產(chǎn)生電勢差，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。實驗表明，當磁場不太強時，電勢差U、電流I和B的關(guān)系為U＝k，式中的比例系數(shù)k稱為霍爾系數(shù)。

設(shè)電流I是由自由電子的定向流動形成的，電子的平均定向移動速度為v，電荷量為e，回答下列問題：

1.達到穩(wěn)定狀態(tài)時，導體板上側(cè)面A的電勢________下側(cè)面A′的電勢(填“高于”“低于”或“等于”)；

2.電子所受的洛倫茲力的大小為________；

3.當導體板上下兩側(cè)之間的電勢差為U時，電子所受靜電力的大小為________；

4.證明霍爾系數(shù)為k＝，其中n代表導體內(nèi)單位體積中自由電子的個數(shù)．